存储器装置及操作存储器装置之方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器装置，包含阱、多晶硅层、侧壁、介电层、对齐层及主动区。该多晶硅层及该侧壁形成于该阱上方。该介电层形成且完全覆盖于该多晶硅层及该侧壁上方。该对齐层形成于该介电层上，用以接收对齐层电压及实质上于投影方向对齐于该介电层。该主动区形成于该阱上。该介电层比该对齐层厚。该多晶硅层及该主动区之第一重迭区域之面积，小于该第一多晶硅层及该介电层除该第一重迭区域之外的第二重迭区域之面积。二重迭区域之面积。二重迭区域之面积。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置及操作存储器装置之方法


[0001]本专利技术涉及一种存储器装置及操作存储器装置之方法，尤指包含对齐层之存储器装置及操作包含对齐层之存储器装置之方法。

技术介绍

[0002]随着对于资料储存之需求增加，存储器装置之重要性也上升。对存储器装置之普遍要求包含减小装置尺寸，以便于有限面积内设置更多存储器单元。然而，基于当前技术，于存储器装置中须使用至少两个阱。例如，当前的非挥发性存储器装置可具有选择栅极及浮栅，其中选择栅极可形成于第一阱上，且浮栅之两部分可分别形成于第一阱及第二阱上。由于至少须使用两阱来建构存储器装置，因此缩小存储器之尺寸实为艰难的挑战。

技术实现思路

[0003]一种存储器装置，包含阱、多晶硅层、侧壁、介电层、对齐层及主动区。所述多晶硅层及所述侧壁形成于所述阱上方。所述介电层形成且完全覆盖于所述多晶硅层及所述侧壁上方。所述对齐层形成于所述介电层上，用以接收对齐层电压，及实质上于投影方向对齐于所述介电层。所述主动区形成于所述阱上。所述介电层比所述对齐层厚。所述多晶硅层及所述主动区之第一重迭区域之面积，小于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其特征在于，所述存储器装置包含：阱；第一多晶硅层及侧壁，形成于所述阱上方；介电层，形成且完全覆盖于所述第一多晶硅层及所述侧壁上方；对齐层，形成于所述介电层上，用以接收对齐层电压，及实质上于投影方向对齐于所述介电层；及第一主动区，形成于所述阱上；其中所述介电层比所述对齐层厚，且所述第一多晶硅层及所述第一主动区之第一重迭区域之面积小于所述第一多晶硅层及所述介电层除所述第一重迭区域之外的第二重迭区域之面积。2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器装置还包括：第二主动区，形成于所述阱上；其中所述第一多晶硅层形成于所述第二主动区上方，且所述第一多晶硅层及所述第一主动区之所述第一重迭区域之面积小于所述第一多晶硅层及所述第二主动区之第三重迭区域之面积。3.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器装置还包括：第二多晶硅层，形成于所述阱及所述第二主动区上方。4.如权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述介电层及所述对齐层重迭于所述第二多晶硅层之部分。5.如权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述第二多晶硅层用以接收字线电压。6.如权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述第一多晶硅层及所述二多晶硅层皆比所述介电层厚。7.如权利要求3所述的存储器装置，其特征在于：所述第一主动区包含属于第一导电类型之掺杂区；且所述第二主动区包含属于第二导电类型之第一掺杂区及第二掺杂区；其中所述第二导电类型相异于所述第一导电类型。8.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，所述第一主动区之所述掺杂区用以接收擦除线电压，所述第二主动区之所述第一掺杂区用以接收源线电压，且所述第二主动区之所述第二掺杂区用以接收位线电压。9.一种操作存储器装置之方法，其特征在于，所述存储器装置包括阱、第一多晶硅层及侧壁，形成于所述阱上方、第二多晶硅层，形成于所述阱上方、介电层，形成且完全覆盖于所述第一多晶硅层及所述侧壁上方、对齐层，形成于所述介电层上且实质上于投影方向对齐于所述介电层、第一主动区，形成于所述阱上、及第二主动区，形成于所述阱上及所述第一多晶硅层及所述第二多晶硅层之下方，所述方法包括：当所述存储器装置执行擦除操作时，施加第一电压至所述第一主动区之掺杂区，且施加第二电压至所述第二主动区之第一掺杂区及第二掺杂区；其中所述第一电压高于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：许家荣，陈纬仁，孙文堂，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：