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本发明公开了一种存储器装置，包含阱、多晶硅层、侧壁、介电层、对齐层及主动区。该多晶硅层及该侧壁形成于该阱上方。该介电层形成且完全覆盖于该多晶硅层及该侧壁上方。该对齐层形成于该介电层上，用以接收对齐层电压及实质上于投影方向对齐于该介电层。该主...
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