光发射接收装置（１）具有本体部（４），在该本体部（４）的底面侧具有基体（５）。在该基体（５）的前面（５ａ）形成有凹状的第１空腔（７）和第２空腔（８），在第１空腔（７）内配置有ＬＤ（９），在第２空腔（８）内，配置有ＰＤ（１２）。ＬＤ（９）的ＬＤ端子电极（１５）经由导线（２８），与形成在前面（５ａ）的绝缘膜（４０）上的基体配线部（１９）电连接。另外，在层叠固定在基体（５）的前面（５ａ）侧的遮光部件（２０）上，形成有收容导线（２８）的导线收容部（２９）。由此，不需要在第１空腔（７）中设置收容导线（２８）的空间，因此，可使第１空腔（７）小型化。因此，使基体（５）小型化并且也使光发射接收装置（１）小型化。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种主要用于作为测定血流量等的血流感测装置的光 发射接收装置。
技术介绍
作为以往的光发射接收装置公知有如下血流计，其具备在表面 上形成有配置了发光元件及受光元件的凹部的半导体基板，和配置于 半导体基板的表面且形成有遮光膜的盖(cover)基板(例如，参照专 利文献l)。在该血流计中，发光元件的一方端子电极经由引线与形成 在凹部内面的电极电连接。日本专利特开2004-229920号公报
技术实现思路
然而，如上所述光发射接收装置存在如以下问题。即，因为发光 元件的一方端子电极通过导线与形成在凹部内面的电极电连接，所以 必须在凹部设置用于收容导线的空间，使装置变大了该空间的部分。 因此，妨碍了半导体基板的小型化，并妨碍光发射接收装置的小型化。于是，本专利技术有鉴于上述问题，目的在于提供一种可以实现小型 化的光发射接收装置。为达到上述目的，有关本专利技术的光发射接收装置，其特征在于， 具备用于向前方发出光的发光元件，用于接收从前方照射的光的受 光元件，基体，在其前面形成有，配置发光元件的第1凹部、和配置 有受光元件的第2凹部，遮光部件，其配置在基体的前面侧，并形成 有使由发光元件发出的光通过的第1光通过孔、和使由受光元件接收的光通过的第2光通过孔，光透过部件，其配置在遮光部件的前面侧， 并使由发光元件发出的光，及由受光元件接收的光透过；发光元件的 端子电极以及受光元件的端子电极的至少一个，经由导线，与形成在说明书第2/8页基体的前面的配线电连接；在遮光部件上形成有收容导线的导线收容 部。此外，有关本专利技术的光发射接收装置，其特征在于，具备用于 向前方发出光的发光元件，用于接收从前方照射的光的受光元件，基 体，在其前面形成有，配置发光元件以及受光元件的凹部，遮光部件， 其配置在基体的前面侧，并形成由使由发光元件发出的光通过的第1 光通过孔、和使由受光元件接收的光通过的第2光通过孔，光透过部 件，其配置在遮光部件的前面侧，并使由发光元件发出的光，及由受光元件接收的光透过；发光元件的端子电极以及受光元件的端子电极 的至少一个，经由导线，与形成在基体的前面的配线电连接；在遮光部件上，形成收容导线的导线收容部。在该等光发射接收装置，发光元件的端子电极以及受光元件的端 子电极的至少一个经由导线，与形成在基体的前面的配线电连接，并 在配置于基体前面侧的遮光部件，形成收容导线的导线收容部。由此， 由于不需要设置收容导线的空间，因此可以使凹部小型化。从而，可 以使基体小型化，进而，能够使光发射接收装置小型化。在有关本专利技术的光发射接收装置中，优选与发光元件的端子电极 的至少一个电连接的收容导线的导线收容部，为凹部或者贯通孔。在 此情况下，能简便地形成导线收容部。在有关本专利技术的光发射接收装置中，优选与发光元件的端子电极 的至少一个电连接的收容导线的导线收容部为贯通孔，且贯通孔与第1 光通过孔连续形成。在此情况下，可更进一步简便地形成导线收容部。在有关本专利技术的光发射接收装置中，优选与受光元件的端子电极 的至少一个电连接的收容导线的导线收容部，为凹部。在此情况下， 可简便地形成导线收容部，同时，可防止从前方照射的光经由导线收 容部而被受光元件受光。根据本专利技术，就可以使光发射接收装置小型化。附图说明图1是有关第1实施方式的光发射接收装置的概略立体图。图2是沿着图i所示的n-n线的概略剖面图。图3是图1所示的光发射接收装置的本体部的概略分解立体图。图4是沿着图3所示的IV-IV线的概略剖面图。图5是有关第2实施方式的光发射接收装置的本体部的，对应于 图4的概略剖面图。图6是有关第3实施方式的光发射接收装置的本体部的，对应于 图2的概略剖面图。图7是沿着图6所示的VII-VII线的概略剖面图。图8是有关第4实施方式的光发射接收装置的本体部的，对应于 图2的概略剖面图。图9是有关第4实施方式的光发射接收装置的本体部的，对应于 图4的概略剖面图。符号说明1:光发射接收装置5:基体 5a:前面7:第1空腔(第1凹部)8:第2空腔(第2凹部) 9: LD (发光元件)12: PD (受光元件)15,16: LD端子电极 17,18: PD端子电极 19:基体配线部(配线) 20:遮光部件22:开口 (第1光通过孔) '23:针孔(第2光通过孔) 27:光透过部件 28,31:导线 29,32:导线收容部 33:空腔(凹部)具体实施例方式下面，参照附图对本专利技术优选的实施方式进行详细说明。而且， 在各个附图中，对于同一部分或相当的部分添加同一符号，并省略重 复说明。[第1实施方式〗如图1和图2所示，第1实施方式的光发射接收装置1具有外围器2，其例如由塑料材料形成为前方开口的立方体杯状。在外围器2 中配置有本体部4，其内置有向前方出射光的LD (发光元件)9，和对 从前方照射的光进行受光PD (受光元件)12;在外围器2内的本体部 4的周围，填充有例如绝缘涂布的由含有碳素填料的硅树脂(silicone resin)组成的遮光性数值3。该光发射接收装置l，例如通过对生物体 组织照射光并由散乱后的散乱光检测生物体组织中的血流，可用于测 定血流量、血流速度、脉搏等。如图2和图3所示，本体部4，在外围器2内的底面侧具有基体5。 该基体5例如，由作为半导体材料的硅形成宽2.8mm，长6.0mm，厚 l.Omm的长方形板状，在基体5的前面5a形成有凹状的第1空腔 (cavity)(第1凹部)7和第2空腔(第2凹部)8。在第1空腔7内 配置有LD9，并与后述的LD阳极IO和LD阴极11电连接。另外，在 第2空腔8内，配置有PD12，后述的PD阳极13和PD阴极14电连 接。而且，例如通过对成为基体5的硅基板实施湿式蚀刻而形成空腔 7、 8。具体为，在成为基体5的硅基板的表面，设置用于画出空腔7、 8形状的由SiN等形成的掩模，并在该掩模的开口作用蚀刻剂，由此形 成空腔7、 8。在蚀刻后，除去SiN掩模，然后利用热氧化至少在空腔 表面和基板表面形成1.5(am的厚度的例如由Si02形成的绝缘膜40。LD9，使用例如由化合物半导体材料构成的厚度0.2mm的VCSEL (面发光激光器)，出射波长850nm的光。在该LD9中，在前端面上 设置有LD端子电极15，在后端面上设置有LD端子电极16。另外， PD12，使用例如由半导体材料构成的厚度0.3mm的Si-PD或GaAs-PD。 在该PD12中，在前端面上设置有PD端子电极17和PD端子电极18。而且，根据LD9出射的光的波长选择PD12的材料。例如，在LD9 出射的光的波长为780nm的情况下，作为PD12的材料使用Si或GaAs，在LD9出射的光的波长为1.31pm的情况下，作为PD12的材料使用 InGaAs 0在基板5的前面5a及空腔7、 8的内表面的绝缘膜40上，例如利 用A1、 Ti-Pt-Au的层叠膜、或Cr-Pt-Au的层叠膜以规定图案形成基体 配线部(配线)19。该基体配线部19，在第1空腔7侧具有LD阳极 10和LD阴极11，在第2空腔8侧具有PD阳极13和PD阴极14。上 述LD阳极IO、 LD阴极ll、 PD阳极13及PD阴极14，如图1及图2 所示，经由导线24，与在外围器2底本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种光发射接收装置，其特征在于， 具备： 用于向前方发出光的发光元件， 用于接收从前方照射的光的受光元件， 基体，在其前面形成有，配置所述发光元件的第１凹部、和配置有所述受光元件的第２凹部， 遮光部件，其配置在所述基体的前面侧，并形成有使由所述发光元件发出的光通过的第１光通过孔、和使由所述受光元件接收的光通过的第２光通过孔， 光透过部件，其配置在所述遮光部件的前面侧，并使由所述发光元件发出的光，及由所述受光元件接收的光透过； 所述发光元件的端子电极以及所述受光元件的端子电极的至少一个，经由导线，与形成在所述基体的前面的配线电连接； 在所述遮光部件上形成有收容所述导线的导线收容部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-2-23 047249/20061.一种光发射接收装置，其特征在于，具备用于向前方发出光的发光元件，用于接收从前方照射的光的受光元件，基体，在其前面形成有，配置所述发光元件的第1凹部、和配置有所述受光元件的第2凹部，遮光部件，其配置在所述基体的前面侧，并形成有使由所述发光元件发出的光通过的第1光通过孔、和使由所述受光元件接收的光通过的第2光通过孔，光透过部件，其配置在所述遮光部件的前面侧，并使由所述发光元件发出的光，及由所述受光元件接收的光透过；所述发光元件的端子电极以及所述受光元件的端子电极的至少一个，经由导线，与形成在所述基体的前面的配线电连接；在所述遮光部件上形成有收容所述导线的导线收容部。2. —种光发射接收装置，其特征在于， 具备用于向前方发出光的发光元件， 用于接收从前方照射的光的受光元件，基体，在其前面形成有，配置所述发光元件以及所述受光元件的 凹部，遮光部...
【专利技术属性】
技术研发人员：柴山胜己，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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