本发明专利技术公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备：支撑膜；黏合层，设置于支撑膜的一面上；以及非黏合层，设置于支撑膜的与设置有黏合层的面相反侧的面上。非黏合层的厚度为10μm以下。非黏合层的与和支撑膜相接的面相反侧的面的表面粗糙度Ra为0.1μm以上。反侧的面的表面粗糙度Ra为0.1μm以上。反侧的面的表面粗糙度Ra为0.1μm以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体以及制造半导体装置的方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体以及制造半导体装置的方法。
技术介绍
[0002]以往，一直使用具有如下结构的半导体封装体：半导体元件通过银膏等黏合剂而黏合于芯片焊盘(die pad)上，且半导体元件通过导线(wire)来接合引线框(lead frame)，留出外部连接用外引线而将整体密封。但是，伴随近年来的半导体封装体的高密度化、小面积化、薄型化等要求的提高，提出有各式各样结构的半导体封装体。作为其例，有LOC(lead on chip，芯片上引线)、COL(chip on lead，引线上芯片)结构，但在小面积化、薄型化的方面这些结构也存在极限。
[0003]为了解决这些课题，开发了具有如下结构的封装体：仅将封装体的单面(半导体元件侧)密封，并将背面露出的引线框用于外部连接用途(专利文献1及专利文献2)。该结构的封装体中，引线框不从密封树脂突出，因此可实现小面积化及薄型化。作为制造该封装体结构的半导体装置的方法之一，有包括如下所示的工序的制造方法。
[0004](1)将半导体密封成形用临时保护膜贴附于具有芯片垫及内引线的引线框的单面即背面上的工序；
[0005](2)将半导体元件搭载或黏合于芯片焊盘的与临时保护膜相反侧的面上的工序；
[0006](3)设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；
[0007](4)形成将半导体元件及导线密封的密封层，而获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；以及
[0008](5)从密封成形体剥离临时保护膜的工序。
[0009]在利用该方法的半导体封装体的制造中，存在如下情况：在密封成形时，产生密封树脂绕到引线框背面等不良情况。作为防止这种不良情况的方法，已知有如下方法：将临时保护膜作为半导体用黏合膜贴附于引线框的背面来保护引线框的背面，将搭载于引线框的与背面相反侧的面上的半导体元件密封成形之后，剥离临时保护膜。
[0010]以往技术文献
[0011]专利文献
[0012]专利文献1：日本特开平5
‑
129473号公报
[0013]专利文献2：日本特开平10
‑
12773号公报
技术实现思路
[0014]专利技术要解决的技术课题
[0015]半导体装置的制造中所使用的临时保护膜需要耐受半导体组装工序的热，因此大多使用聚酰亚胺膜作为基材(支撑膜)。然而，在使用聚酰亚胺膜等树脂制膜的情况下，存在
如下情况：因在装置中搬送时滑动变差等而在制造工序中产生搬送不良情况。
[0016]因此，本专利技术的一方面提供一种能够抑制半导体装置的制造工序中的平台上的搬送不良情况的半导体密封成形用临时保护膜。
[0017]用于解决技术课题的手段
[0018]本专利技术的一方面涉及一种半导体密封成形用临时保护膜，其用于在形成将搭载于引线框的半导体元件密封的密封层的密封成形期间对引线框进行临时保护。该临时保护膜具备：支撑膜；黏合层，设置于支撑膜的一面上；以及非黏合层，设置于支撑膜的与设置有黏合层的面相反侧的面上。非黏合层的厚度为10μm以下。非黏合层的与和支撑膜相接的面相反侧的面的表面粗糙度为0.1μm以上。所述表面粗糙度Ra是通过激光显微镜在物镜的倍率50倍的条件下测定的值。表面粗糙度Ra可为根据JIS B0601：2001的标准而算出的值。
[0019]于具有芯片焊盘及内引线的引线框将临时保护膜以黏合层与引线框相接的方式贴附时，黏合层与引线框之间的90度剥离强度在25℃下可为5N/m以上。
[0020]于具有芯片焊盘及内引线的引线框将临时保护膜以黏合层与引线框相接的方式贴附，在芯片焊盘的与临时保护膜相反侧的面上搭载半导体元件，形成与黏合层相接并且将半导体元件密封的密封层时，黏合层与引线框及密封层之间的90度剥离强度在0～250℃的温度范围的至少一部分、80～250℃的温度范围的至少一部分或将临时保护膜从引线框及密封层剥离时的温度下可为1000N/m以下。
[0021]黏合层的玻璃化转变温度可为100～300℃。黏合层在230℃下的弹性模量可为1MPa以上。黏合层的5％重量减少温度可为300℃以上。黏合层可含有：具有选自由酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基及磺基组成的组中的至少一种官能团的热塑性树脂；或者具有选自由酰胺基、酯基、酰亚胺基及醚基组成的组中的至少一种官能团的热塑性树脂。
[0022]支撑膜可为包含选自由芳香族聚酰亚胺、芳香族聚酰胺、芳香族聚酰胺酰亚胺、芳香族聚砜、芳香族聚醚砜、聚苯硫醚、芳香族聚醚酮、聚芳酯、芳香族聚醚醚酮及聚萘二甲酸乙二酯组成的组中的聚合物的膜。黏合层的厚度相对于支撑膜的厚度的比可为0.5以下。非黏合层在230℃下的弹性模量可为10MPa以上。
[0023]本专利技术的另一方面涉及一种卷轴体，其具备：卷芯；以及卷取于卷芯的上述临时保护膜。
[0024]本专利技术的另一方面涉及一种带有临时保护膜的引线框，其具备：具有芯片焊盘及内引线的引线框；以及上述临时保护膜，上述临时保护膜以其黏合层与引线框的单面相接的方式贴附于引线框。
[0025]本专利技术的一方面涉及一种带有临时保护膜的密封成形体，其具备：具有芯片焊盘及内引线的引线框；搭载于芯片焊盘的半导体元件；将半导体元件与内引线连接的导线；将半导体元件及导线密封的密封层；以及上述临时保护膜，并且上述临时保护膜的黏合层贴附于引线框的与搭载有半导体元件的面相反侧的面。
[0026]本专利技术的一方面涉及一种制造半导体装置的方法，其依次包括：于具有芯片焊盘及内引线的引线框的单面，将上述临时保护膜以其黏合层与引线框相接的朝向贴附的工序；将半导体元件搭载于芯片焊盘的与上述临时保护膜相反侧的面上的工序；设置将半导体元件与内引线连接的导线的工序；形成将半导体元件及导线密封的密封层，而获得具有引线框、半导体元件及密封层的密封成形体的工序；以及从密封成形体剥离临时保护膜的
工序。
[0027]制造半导体装置的方法也可还包括通过回焊将搭载于芯片焊盘的半导体元件与内引线利用导电材料连接的工序。
[0028]专利技术效果
[0029]根据本专利技术，可提供一种能够抑制半导体装置的制造工序中的平台上的搬送不良情况的半导体密封成形用临时保护膜。
[0030]根据本专利技术的半导体密封成形用临时保护膜，可通过抑制搬送不良情况来抑制堵塞(jamming)产生的可能性。因此，若使用本专利技术的半导体密封成形用临时保护膜，则能够提高半导体装置的生产率。进而，本专利技术的密封成形用临时保护膜也兼具可抑制卷曲及引线框的翘曲的半导体用途所需的诸多特性。
附图说明
[0031]图1是表示临时保护膜的一实施方式的剖视图。
[0032]图2是对半导体装置的制造方法的一实施方式进本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体密封成形用临时保护膜，其用于在形成将搭载于引线框的半导体元件密封的密封层的密封成形期间对所述引线框进行临时保护，所述半导体密封成形用临时保护膜具备：支撑膜；黏合层，设置于支撑膜的一面上；以及非黏合层，设置于所述支撑膜的与设置有所述黏合层的面相反侧的面上，所述非黏合层的厚度为10μm以下，所述非黏合层的与和所述支撑膜相接的面相反侧的面的表面粗糙度Ra为0.1μm以上，所述表面粗糙度Ra是通过激光显微镜在物镜的倍率50倍的条件下测定的值。2.根据权利要求1所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，于具有芯片焊盘及内引线的引线框将所述临时保护膜以所述黏合层与所述引线框相接的方式贴附时，所述黏合层与所述引线框之间的90度剥离强度在25℃下为5N/m以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，于具有芯片焊盘及内引线的引线框将所述临时保护膜以所述黏合层与所述引线框相接的方式贴附，在所述芯片焊盘的与所述临时保护膜相反侧的面上搭载半导体元件，形成与所述黏合层相接并且将所述半导体元件密封的密封层时，所述黏合层与所述引线框及所述密封层之间的90度剥离强度在0～250℃的温度范围的至少一部分为1000N/m以下。4.根据权利要求3所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述黏合层与所述引线框及所述密封层之间的所述90度剥离强度在80～250℃的温度范围的至少一部分为1000N/m以下。5.根据权利要求3或4所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述黏合层与所述引线框及所述密封层之间的所述90度剥离强度在将所述临时保护膜从所述引线框及所述密封层剥离时的温度下为1000N/m以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述黏合层的玻璃化转变温度为100～300℃。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述黏合层在230℃下的弹性模量为1MPa以上。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述黏合层的5％重量减少温度为300℃以上。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体密封成形用临时保护膜，其中，所述黏合层含有热塑性树脂，所述热塑性树脂具有选自由酰胺基、酯基、酰亚胺基、醚基及磺基组成的组中的至少一种官能团。10....
【专利技术属性】
技术研发人员：名儿耶友宏，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。