【技术实现步骤摘要】
一种HMDS喷涂结构及装置
[0001]本技术涉及半导体
,尤其涉及一种HMDS喷涂结构及装置。
技术介绍
[0002]为了保证光刻胶在晶圆处理过程中更好的完成图形转移,需要在晶圆上先进行喷涂HMDS处理的工艺,将晶圆表面亲水性的OH置换为疏水性的OSi(CH3)3,以实现晶圆表面接触角达到60
°
以上,进而保证光刻胶与晶圆表面更好的粘结。
[0003]但是,目前喷涂HMDS的设备中,由于喷嘴结构的问题,导致喷涂HMDS时的材料浪费,以及喷涂不均匀,从而影响光刻胶与晶圆表面的粘结。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种HMDS喷涂结构及装置,避免了喷涂材料的浪费,使喷涂时表面更加均匀。
[0005]为实现上述目的,本技术提供了一种HMDS喷涂结构,该喷涂结构包括:喷嘴主体,喷嘴主体的一端为输入端,喷嘴主体的另一端为输出端,输入端与输出端导通,输入端用于连接进气通道,输出端和输入端之间设有喷洒腔,喷洒腔的直径小于进气通道的直径。
[0006]本技术提供的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种HMDS喷涂结构,与进气通道连接,其特征在于,包括:喷嘴主体,所述喷嘴主体的一端为输入端,所述喷嘴主体的另一端为输出端;所述输入端与所述输出端导通,所述输入端用于连接所述进气通道;所述输出端和所述输入端之间设有喷洒腔,所述喷洒腔的直径小于所述进气通道的直径。2.根据权利要求1所述的HMDS喷涂结构,其特征在于,所述输出端上间隔设有若干第一流通孔,若干所述第一流通孔沿所述喷洒腔的轴线周向均匀设置,且所述第一流通孔的轴线与所述喷洒腔的轴线角度为35
°‑
50
°
。3.根据权利要求1或2所述的HMDS喷涂结构,其特征在于,所述输出端上还设有第二流通孔,所述第二流通孔对应所述喷洒腔的轴线设置。4.根据权利要求3所述的HMDS喷涂结构,其特征在于,所述第二流通孔具有前端孔和后端孔,所述后端孔与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩禹,王若愚,孙元斌,刘硕,谢永刚,
申请(专利权)人:沈阳芯源微电子设备股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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