本实用新型专利技术公开一种Micro LED基板，包括有玻璃基材、绝缘胶膜以及线路层；该线路层由金属箔制作成型，金属箔贴覆在绝缘胶膜的表面并与绝缘胶膜一并高温压合固定在玻璃基材的表面上。通过将绝缘胶膜高温压合固定在玻璃基材的表面上，线路层贴覆在绝缘胶膜的表面，无需在玻璃的表面上制作线路，降低线路层的制作成本，同时，线路层不直接与玻璃基材接触，提高线路层的粘结力，增强线路层的剥离力。增强线路层的剥离力。增强线路层的剥离力。
【技术实现步骤摘要】
Micro LED基板
[0001]本技术涉及LED基板领域技术，尤其是指一种Micro LED基板。
技术介绍
[0002]显示技术随着科学技术的进步与人类对显示效果的完美追求，取得了快速发展，从早期的显像管到LCD，再发展到OLED，都给人类带来显示技术的更新换代，但基于OLED的技术工艺限制，OLED应用仅限于小尺寸面板显示，同时产率低导致成本高，趋动了新型显示技术即Micro LED显示的产生，Micro LED显示是基于微间距RGB模块的无缝拼接，Micro LED显示能应用于市面上各种尺寸之显示，同时具有宽色域、高对比度、高饱和度的优点，Micro LED显示技术的发展越来越被业界重视。
[0003]Micro LED显示技术的工艺路线包括SMD封装工艺、COB封装工艺与COG封装工艺，其SMD封装工艺与COB封装工艺因工艺难度低，工艺成熟度高，及成本相对可控的因素，已经成功商业化；而COG封装工艺发展缓慢，主要原因是玻璃加工工艺不成熟，如玻璃钻孔工艺，玻璃表面上溅镀或蒸镀后镀铜来制作线路之铜线与玻璃之粘结力低，玻璃上制作线路的成本昂贵等。因此，本技术采用传统的压合法解决玻璃表面上制作线路成本昂贵的问题，同时解决铜线剥离力偏低的问题，推进COG Micro LED显示技术的发展。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本技术针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种Micro LED基板，其能有效解决现有之Micro LED基板制作线路成本昂贵，铜线剥离力偏低的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下之技术方案：一种Micro LED基板，包括有玻璃基材、绝缘胶膜以及线路层；该线路层由金属箔制作成型，金属箔贴覆在绝缘胶膜的表面并与绝缘胶膜一并高温压合固定在玻璃基材的表面上。
[0006]作为一种优选方案，所述绝缘胶膜和线路层为两个，两线路层上下设置并均由金属箔制作成型，两金属箔贴覆在对应的绝缘胶膜的表面并与对应的绝缘胶膜一并高温压合固定在玻璃基材的上表面和下表面上。
[0007]作为一种优选方案，所述绝缘胶膜为黑色、透明度低的绝缘胶膜。
[0008]作为一种优选方案，所述绝缘胶膜的厚度为3
‑
200μm。
[0009]作为一种优选方案，所述金属箔为铜箔。
[0010]作为一种优选方案，所述线路层由金属箔通过蚀刻制作成型。
[0011]作为一种优选方案，所述线路层的厚度为2
‑
18μm。
[0012]作为一种优选方案，线路层中线宽、线距及焊盘之间的距离均为10
‑
150μm。
[0013]本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：通过将绝缘胶膜高温压合固定在玻璃基材的表面上，线路层贴覆在绝缘胶膜的表面，无需在玻璃的表面上制作线路，降低线路层的制作成本，同时，线路层不直接与玻璃基材接触，提高线路层的粘结力，增强线路层的剥离力。
[0014]为更清楚地阐述本技术的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本技术进行详细说明。
附图说明
[0015]图1是本技术之较佳实施例压合前的截面图；
[0016]图2是本技术之较佳实施例蚀刻前的截面图；
[0017]图3是本技术之较佳实施例的成品截面图。
[0018]附图标识说明：
[0019]10、玻璃基材
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20、绝缘胶膜
[0020]30、线路层
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31、金属箔。
具体实施方式
[0021]请参照图1至图3所示，其显示出了本技术之较佳实施例的具体结构，包括有玻璃基材10、绝缘胶膜20以及线路层30。
[0022]该线路层30由金属箔31制作成型，金属箔31贴覆在绝缘胶膜20的表面并与绝缘胶膜20一并高温压合固定在玻璃基材10的表面上，增强金属箔31与绝缘胶膜20的粘结力，使线路层30不易被剥离；在本实施例中，该绝缘胶膜20和线路层30为两个，两线路层30上下设置并均由金属箔31制作成型，两金属箔31贴覆在对应的绝缘胶膜20的表面并与对应的绝缘胶膜20一并高温压合固定在玻璃基材10的上表面和下表面上，确保玻璃基材10两表面的应力对称，防止发生翘板；该绝缘胶膜20为黑色、透明度低的绝缘胶膜，黑色的绝缘胶膜可以保持黑底显示的高对比度效果，透明度低则保证外部LED芯片发出的光不会穿透绝缘胶膜20照射在玻璃基材10上而造成光损失，从而保证LED芯片不需要通过大电流，以此节省能耗；该绝缘胶膜20的厚度为3
‑
200μm；该线路层30由金属箔31通过蚀刻制作成型，该线路层30的厚度为2
‑
18μm，线路层30中线宽、线距及焊盘之间的距离均为10
‑
150μm；该金属箔31为铜箔。
[0023]详述本实施例的制备过程如下：
[0024]首先，将已成型的两金属箔31分别贴覆在相应的绝缘胶膜20上，接着，将贴覆固定在一起的金属箔31和绝缘胶膜20高温压合固定在玻璃基材10的上表面和下表面上，然后，通过对金属箔31进行蚀刻制作成型出相应的线路层30。
[0025]本技术的设计重点在于：通过将绝缘胶膜高温压合固定在玻璃基材的表面上，线路层贴覆在绝缘胶膜的表面，无需在玻璃的表面上制作线路，降低线路层的制作成本，同时，线路层不直接与玻璃基材接触，提高线路层的粘结力，增强线路层的剥离力。
[0026]以上所述，仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术的技术范围作任何限制，故凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Micro LED基板，其特征在于：包括有玻璃基材、绝缘胶膜以及线路层；该线路层由金属箔制作成型，金属箔贴覆在绝缘胶膜的表面并与绝缘胶膜一并高温压合固定在玻璃基材的表面上。2.根据权利要求1所述的Micro LED基板，其特征在于：所述绝缘胶膜和线路层为两个，两线路层上下设置并均由金属箔制作成型，两金属箔贴覆在对应的绝缘胶膜的表面并与对应的绝缘胶膜一并高温压合固定在玻璃基材的上表面和下表面上。3.根据权利要求1所述的Micro LED基板，其特征在于：所述绝缘胶膜为黑色、透明度低的绝缘胶膜。4.根据权利要求1所述的Micro L...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈为华，
申请(专利权)人：深圳伊帕思新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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