一种间隔屏蔽封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种间隔屏蔽封装结构，它包括基板，所述基板包括多个贴装区域，所述贴装区域内贴装有器件和芯片，各贴装区域共有的边界位置处设置有接地线路层，所述接地线路层部分表面设置有预镀锡层，所述基板上方设置有塑封层，所述器件、芯片和接地线路层包封于塑封层内，所述接地线路层端部延伸连接至塑封层侧壁，所述塑封层顶面在接地线路层对应位置处向下开设有导电沟槽，所述导电沟槽延伸至接地线路层，所述导电沟槽内填充有导电胶，所述塑封层的正面和四个侧面设置有屏蔽层。本实用新型专利技术一种间隔屏蔽封装结构，其可避免绿油残留，优化屏蔽沟槽部的截面，降低信号穿透风险。降低信号穿透风险。降低信号穿透风险。

【技术实现步骤摘要】
一种间隔屏蔽封装结构


[0001]本技术涉及一种间隔屏蔽封装结构，属于半导体封装


技术介绍

[0002]随着芯片的运算速度越来越快、或是资讯传递的讯号频率越来越高，封装器件中的元器件容易与其他内部或外部元器件相互产生电磁干扰，例如串扰、传输损耗、讯号反射等等，因此在封装器件中对元器件进行电磁干扰的防护显得尤为重要。
[0003]间隔屏蔽的SiP产品封装流程：屏蔽沟槽底部进行预上锡，和芯片或者器件贴装，接着将整条产品采用塑封料进行包封固化，而后按照一定形状采用激光工艺形成屏蔽沟槽，并在沟槽中填充进入导电胶，切割成单颗，最后在产品的外表面溅渡上多层金属，形成一个间隔屏蔽的SiP产品结构。
[0004]采用间隔屏蔽设计的SiP产品，在实际的封装工艺中，屏蔽沟槽底部的接地焊垫上往往需要预先进行锡膏印刷，通过一定厚度的锡膏对沟槽底部的接地焊垫进行保护，防止在激光开槽过程中激光对接地焊垫过度损伤，击穿该接地焊垫(基板正面第一层线路)，致使沟槽中填充的导电胶与基板第二层线路连接，引起产品短路，使得产品电性失效导致报废。因此在间隔屏蔽SiP产品封装工艺中，为了防止激光击穿屏蔽沟槽底部的接地焊垫上多采用预上锡工艺。
[0005]间隔屏蔽的SiP产品设计中沟槽通常需要连接产品侧壁，采用到边设计，而在产品侧壁的屏蔽沟槽的端点处，现有激光开槽工艺通常存在绿油残留等问题，填充导电胶时，端点底部容易导致出现空洞，产品在经过溅镀工艺或者高温上板时，屏蔽沟槽底部接地焊垫上的锡受热融化并流出，会导致导电胶与接地焊垫大面积的非接触，从而影响产品内部不同区域的信号屏蔽，影响产品性能。

技术实现思路

[0006]本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种间隔屏蔽封装结构，其可避免绿油残留，优化屏蔽沟槽部的截面，降低信号穿透风险。
[0007]本技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种间隔屏蔽封装结构，它包括基板，所述基板包括多个贴装区域，所述贴装区域内贴装有器件和芯片，各贴装区域共有的边界位置处设置有接地线路层，所述接地线路层部分表面设置有预镀锡层，所述基板上方设置有塑封层，所述器件、芯片和接地线路层包封于塑封层内，所述接地线路层端部延伸连接至塑封层侧壁，所述塑封层顶面在接地线路层对应位置处向下开设有导电沟槽，所述导电沟槽延伸至接地线路层，所述导电沟槽内填充有导电胶，所述塑封层的正面和四个侧面设置有屏蔽层，所述接地线路层端部与屏蔽层互连。
[0008]可选的，所述接地线路层端部上方覆盖绿油层。
[0009]可选的，所述接地线路层端部结构包括第一线路层和第二线路层，所述第一线路层和第二线路层之间通过远端导柱和近端导柱相连接，所述远端导柱和近端导柱之间的第
二线路层上设置有绝缘材料。
[0010]可选的，所述导电沟槽的顶部宽度大于底部宽度。
[0011]可选的，所述导电沟槽的端部结构包括远端斜面、端部底面和近端斜面，所述远端斜面的位置与远端导柱位置相对应，所述近端斜面的位置与近端导柱的位置相对应，所述端部底面位于第一线路层和第二线路层之间的绝缘材料上。
[0012]所述预镀锡层延伸接触远端斜面，距离塑封层侧壁有一定间隔。
[0013]与现有技术相比，本技术的优点在于：
[0014]1、本技术可避免绿油残留，优化屏蔽沟槽部的截面，降低信号穿透风险；
[0015]2、本技术可降低屏蔽沟槽端点被击穿风险；
[0016]3、本技术通过凹槽增加结合面长度和路径，降低高温时锡层从产品沟槽底部中膨胀流出风险和比例。
附图说明
[0017]图1为本技术一种间隔屏蔽封装结构未覆盖屏蔽层的立体示意图。
[0018]图2为本技术一种间隔屏蔽封装结构覆盖屏蔽层后的立体示意图。
[0019]图3为图2的俯视图。
[0020]图4为图3的A
‑
A剖视图。
[0021]图5为图3的B
‑
B剖视图。
[0022]图6为贴装器件和芯片以及预上锡后的基板的俯视图。
[0023]图7为图6的C
‑
C剖视图。
[0024]其中：
[0025]基板1
[0026]器件2
[0027]芯片3
[0028]接地线路层4
[0029]第一线路层41
[0030]第二线路层42
[0031]远端导柱43
[0032]近端导柱44
[0033]绝缘材料45
[0034]预镀锡层5
[0035]塑封层6
[0036]导电沟槽7
[0037]远端斜面71
[0038]端部底面72
[0039]近端斜面73
[0040]导电胶8
[0041]屏蔽层9
[0042]绿油层10。
具体实施方式
[0043]以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。
[0044]如图1～图7所示，本技术涉及的一种间隔屏蔽封装结构，它包括基板1，所述基板1包括多个贴装区域，所述贴装区域内贴装有器件2和芯片3，各贴装区域共有的边界位置处设置有接地线路层4，所述接地线路层4部分表面设置有预镀锡层5，所述基板1上方设置有塑封层6，所述器件2、芯片3和接地线路层4包封于塑封层6内，所述接地线路层4端部延伸连接至塑封层6侧壁，所述塑封层6顶面在接地线路层4对应位置处向下开设有导电沟槽7，所述导电沟槽7延伸至接地线路层4，所述导电沟槽7 内填充有导电胶8，所述塑封层6的正面和四个侧面设置有屏蔽层9，所述接地线路层4 与屏蔽层9互连。
[0045]所述接地线路层4端部上方覆盖绿油层10，所述绿油层10延伸连接至塑封层6侧壁；
[0046]所述导电沟槽7通过激光加工方式形成；
[0047]所述器件2和芯片3不指定具体功能，无源的和有源的均可，多个器件2和芯片3，典型地为通过焊锡、粘结剂、引线键合等工艺，贴装固定在基板1上；
[0048]所述预镀锡层5通过钢网印刷方式形成；
[0049]所述屏蔽层9采用喷涂或溅镀的方式形成；
[0050]所述接地线路层4端部结构包括第一线路层41和第二线路层42，所述第一线路层41 和第二线路层42之间通过远端导柱43和近端导柱44相连接，所述远端导柱43和近端导柱44之间的第二线路层42上设置有绝缘材料45，所述近端导柱44位于封装结构侧壁位置处，切割成型时至少部分留在封装结构侧壁上；
[0051]所述第二线路层42的宽度至少大于第一线路层41的开口宽度，其宽度大于导电沟槽7的下底部；
[0052]所述预镀锡层5覆盖部分第一层线路层41，并延伸至远端导柱43上方；
[0053]所述导电沟槽7的深度接近塑封层6的厚度；
[0054]所述导电沟槽7的端部深度延伸至接地线路层4的第一层线路和第二层线路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种间隔屏蔽封装结构，其特征在于：它包括基板(1)，所述基板(1)包括多个贴装区域，所述贴装区域内贴装有器件(2)和芯片(3)，各贴装区域共有的边界位置处设置有接地线路层(4)，所述接地线路层(4)部分表面设置有预镀锡层(5)，所述基板(1)上方设置有塑封层(6)，所述器件(2)、芯片(3)和接地线路层包封于塑封层(6)内，所述接地线路层(4)端部延伸连接至塑封层(6)侧壁，所述塑封层(6)顶面在接地线路层(4)对应位置处向下开设有导电沟槽(7)，所述导电沟槽(7)延伸至接地线路层(4)，所述导电沟槽(7)内填充有导电胶(8)，所述塑封层(6)的正面和四个侧面设置有屏蔽层(9)，所述接地线路层(4)与屏蔽层(9)互连。2.根据权利要求1所述的一种间隔屏蔽封装结构，其特征在于：所述接地线路层(4)端部上方覆盖绿油层(10)，所述绿油层(10)延伸连接至塑封层(6)侧壁。3.根据权利要求1所述的一种间隔屏蔽封装结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周青云，刘彬洁，周莎莎，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：