一种半导体器件的制造方法和半导体器件技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法和半导体器件，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；形成填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底表面的填充层；形成覆盖所述填充层的阻挡层；执行化学机械研磨工艺，以移除所述半导体衬底表面的阻挡层，并使所述半导体衬底表面至少剩余部分所述填充层，其中，所述半导体衬底上的所述填充层的表面不高于所述沟槽中的所述填充层表面；执行刻蚀工艺，以去除所述半导体衬底表面的剩余的所述填充层。根据本发明专利技术，使沟槽隔离结构中的碟型凹陷显著减小，也避免了半导体衬底表面的颗粒污染等缺陷，获得高光洁、无损伤的均匀表面。无损伤的均匀表面。无损伤的均匀表面。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法和半导体器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]在MEMS器件的结构中，深沟槽作为典型结构，用于实现各种MEMS器件的功能结构，比如空腔结构、隔离结构。
[0003]一种典型的高深度、高宽度的深沟槽隔离结构制备工艺中，往往通过采用一定厚度的硬掩膜层作为掩膜来干法刻蚀半导体衬底以获得沟槽，通过化学气相沉积工艺沉积电介质填充沟槽，最后利用化学机械研磨工艺去除硬掩模层并停留在半导体衬底表面。参见图1A-图1D示出了典型的深沟槽隔离结构的制备过程中形成的器件的结构示意图，其中，如图1A所示，提供半导体衬底100，在半导体衬底100上形成硬掩模层101和图案化的光刻胶掩膜层102，图案化的光刻胶掩膜层102露出拟形成沟槽的区域；如图1B所示，以图案化的光刻胶掩膜层102为掩膜刻蚀硬掩膜层101以形成图案化的硬掩模层，以图案化的硬掩模层101为掩膜刻蚀半导体衬底100形成沟槽103；如图1C所示，执行化学气相沉积工艺形成填充沟槽103并覆盖半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沟槽；形成填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底表面的填充层；形成覆盖所述填充层的阻挡层；执行化学机械研磨工艺，以移除所述半导体衬底表面的阻挡层，并使所述半导体衬底表面至少剩余部分所述填充层，其中，所述半导体衬底上的所述填充层的表面不高于所述沟槽中的所述填充层表面；执行刻蚀工艺，以去除所述半导体衬底表面的剩余的所述填充层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层包括光刻胶层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成覆盖所述填充层的阻挡层的步骤包括在温度范围为200℃-240℃的温度下对所述光刻胶层进行硬烘。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述填充层的步骤中，所述沟槽中填充的所述填充层表面高于所述半导体衬底的表面。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在执行化学机械研磨工艺步骤之后，所述沟槽的所述填充层表面至少剩余部分所述阻挡层。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行化学机械研磨工艺的步骤包括第一化学机械研磨和...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺腾飞，黄仁瑞，樊航，缪海生，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：