图案化膜层及等离子显示器之障壁的形成方法技术

一种图案化膜层的形成方法，此方法先进行网版印刷工艺，以于材料层上形成多个第一图案。接着图案化这些第一图案，以形成具有多个第二图案的图案化膜层。此方法可减少图案化工艺中所耗损的材料量，以便于节省工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种图案化工艺(patterning process)，且特别是关于一种可节省材料的图案化膜层及等离子显示器(Plasma Display Panel)之障壁(rib)的形成方法。
技术介绍
目前较为普遍的图案化工艺包括网版印刷工艺以及微影/蚀刻工艺。图1A至图1D为一种公知的图案化工艺的流程剖面图。请参照图1A，其先在材料层100上全面性地形成一层膜层102。接着请参照图1B，利用微影工艺在膜层102上形成图案化光阻层104。然后，请参照图1C，以此图案化光阻层104为掩膜，移除图案化光阻层104所暴露出之部分膜层102。之后请参照图1D，从膜层102上移除图案化光阻层104，以使材料层100上仅存有图案化膜层108。由此可知，在上述之图案化工艺中必须移除不需要的部分膜层102，以形成图案化膜层108。因此，倘若膜层102的材质价格较为昂贵，则以上述之图案化工艺形成图案化膜层108将造成工艺成本上的浪费。承上所述，以网版印刷工艺来形成图案化膜层108即可解决上述过于浪费材料的问题。然而，由于网板印刷工艺无法形成较精细的图案，因此并不符合现今组件微小化的潮流。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种，以节省工艺中所耗费的材料量。本专利技术提出一种等离子显示器之障壁的形成方法，适于基板上形成包括多个第二障壁图案的障壁。其中此基板上已形成有多个寻址电极(address electrodes)以及覆盖这些寻址电极的介电层。此障壁的形成方法是先进行网版印刷工艺，以于介电层上形成多个第一障壁图案，接着在这些障壁图案上形成图案化光阻层，而此图案化光阻层暴露出每一第一障壁图案的一部分。然后，以图案化光阻层为掩膜蚀刻这些第一障壁图案，以移除暴露出的部分第一障壁图案，进而在介电层上形成具有多个第二障壁图案的障壁。其中，障壁是暴露出对应于这些寻址电极的部分介电层。之后再移除图案化光阻层。依照本专利技术的较佳实施例所述，上述之网版印刷工艺例如是先将具有多个开口的网版设置在介电层上，接着将障壁材料涂布在网版上，以使障壁材料经由网版之开口流至介电层上，以形成上述之第一障壁图案。其中，这些第一障壁图案的线宽例如是200微米。然后，再将此网版由介电层上移除。在一实施例中，上述之第一障壁图案的间距(pitch)例如是394微米。依照本专利技术的较佳实施例所述，在蚀刻这些第一障壁图案以形成该障壁的步骤中，包括令此障壁之这些第二障壁图案的线宽为140微米。在一实施例中，这些第二障壁图案的间距例如是394微米。此外，此障壁的第二障壁图案例如是长条形、格状或是蜂窝状的图案。依照本专利技术的较佳实施例所述，蚀刻上述之第一障壁图案的方法例如是喷砂(sandblasting)工艺。另外，在移除图案化光阻层之后，还包括进行多次印刷工艺，以使障壁达到所需之特定厚度。本专利技术提出一种图案化膜层的形成方法，此方法是先进行网版印刷工艺，以于材料层上形成多个第一图案。接着图案化这些第一图案，以形成具有多个第二图案的图案化膜层。依照本专利技术之实施例所述，图案化上述之第一图案的步骤例如是先在这些第一图案上形成图案化光阻层，而此图案化光阻层暴露出每一第一图案的一部份。接着，以此图案化光阻层为掩膜而蚀刻暴露出的部分第一图案，以形成具有上述之第二图案的图案化膜层。然后再移除此图案化光阻层。依照本专利技术之实施例所述，蚀刻暴露出之部分第一图案的方法包括干式蚀刻或湿式蚀刻。依照本专利技术之实施例所述，上述之网版印刷工艺例如是先将具有多个开口的网版设置在材料层上，接着将膜层材料涂布在网版上，以使膜层材料经由网版之开口流至介电层上，以形成上述之第一图案。本专利技术先利用网板印刷工艺在材料层上形成多个尺寸较大的第一图案，之后再图案化这些第一图案，以于材料层上形成具有符合需求之尺寸的第二图案。与公知的仅以微影/蚀刻工艺进行图案化的工艺相比之下，本专利技术可减少图案化工艺中所移除的材料量，进而节省工艺成本。为让本专利技术之上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。具体实施例方式本专利技术利用网板印刷的方式形成多个第一图案后，再图案化这些第一图案，以获得具有实际所需之尺寸的第二图案。与公知的技术相比，本专利技术不但可节省工艺成本，也能够形成图案较为精细的膜层。以下将举实施例说明本专利技术，但其并非用以限定本专利技术。专利技术所属
的普通专业人员可依照本专利技术之精神对下述之实施例稍做变化，惟其仍属于本专利技术之范围内。图2A至图2D为本专利技术之一较佳实施例中图案化膜层的形成流程剖面图。请先参照图2A，首先进行网版印刷工艺，以在材料层200上形成多个第一图案210。其中，此网板印刷工艺例如是先将网板220设置于材料层200上，接着将膜层材料202涂布于网板220上，以使膜层材料202可经由网板220之开口222流至材料层200上，因而形成第一图案210。其中，将膜层材料202涂布在印刷网板220上的步骤例如是可透过刮刀206来完成的。值得注意的是，本专利技术并未限定网板220之开222的形状与排列方式，专利技术所属
的普通专业人员可依照实际工艺所欲形成之图案来选择网板220之开222的形状与排列方式。请参照图2B，在材料层200上形成第一图案210之后，接着将网板220由材料层200上移除。然后，在第一图案210上形成图案化光阻层212。其中，形成图案化光阻层212的方法例如是先在材料层上形成光阻层211(如图3A所示)，然后再利用光源215，并以光罩214为掩膜对光阻层211进行曝光(如图3B所示)。之后再进行显影，以移除材料层200上以及第一图案210上的部分光阻层211，进而在第一图案210上形成图2B所示之图案化光阻层212。请参照图2C，以图案化光阻层212为掩膜，对第一图案210进行蚀刻，以形成具有多个第二图案232的图案化膜层230。其中，蚀刻第一图案210的方法例如是干式蚀刻或是湿式蚀刻。之后，请参照图2D，将图案化光阻层212由图案化膜层230上移除，此时即完成图案化膜层230的工艺。以下将以形成等离子显示器之障壁的方法为实例说明本专利技术。图4A至图4D为本专利技术之一较佳实施例中等离子显示器之障壁的形成流程剖面图。请参照图4A，首先进行网版印刷工艺，以在介电层400上形成多个第一障壁图案410。其中，介电层400例如是设置在基板401上，并且覆盖住基板401上的多个寻址电极403。承上所述，此网板印刷工艺先将网板420设置于介电层400上，接着将障壁材料402涂布于网板420上，以使障壁材料402可经由网板420之开口422流至介电层400上，因而形成第一障壁图案410。在视频图形数组(video graphics array，VGA)的等离子显示器中，第一障壁图案410的线宽a例如是200微米，第一障壁图案410之间的间距b则例如是394微米。此外，上述将障壁材料402涂布在印刷网板420上的步骤例如是可透过刮刀406来完成的。同样地，本专利技术并未限定网板420之开口422的形状与排列方式，专利技术所属
的普通专业人员可依照实际工艺所欲形成之图案来选择网板420之开口422的形状与排列方式。请参照图4B，在介电层400上形成第一障壁图案410之后，接着将网本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子显示器之障壁的形成方法，适于在基板上形成障壁，该障壁包括多个第二障壁图案，且该基板上已形成有多个寻址电极以及覆盖上述这些寻址电极之介电层，其特征在于该等离子显示器之障壁的形成方法包括：进行网板印刷工艺，以于该介电层上形成多 个第一障壁图案；于该障壁图案上形成图案化光阻层，其中该图案化光阻层暴露出每一上述这些第一障壁图案之部分；以该图案化光阻层为掩膜而蚀刻上述这些第一障壁图案暴露出之部分，以于该介电层上形成该障壁，其中该障壁暴露出对应于上述这些寻 址电极之部分该介电层；以及移除该图案化光阻层。

【技术特征摘要】
1.一种等离子显示器之障壁的形成方法，适于在基板上形成障壁，该障壁包括多个第二障壁图案，且该基板上已形成有多个寻址电极以及覆盖上述这些寻址电极之介电层，其特征在于该等离子显示器之障壁的形成方法包括进行网板印刷工艺，以于该介电层上形成多个第一障壁图案；于该障壁图案上形成图案化光阻层，其中该图案化光阻层暴露出每一上述这些第一障壁图案之部分；以该图案化光阻层为掩膜而蚀刻上述这些第一障壁图案暴露出之部分，以于该介电层上形成该障壁，其中该障壁暴露出对应于上述这些寻址电极之部分该介电层；以及移除该图案化光阻层。2.根据权利要求1所述之等离子显示器之障壁的形成方法，其特征在于该网板印刷工艺包括将网板设置于该介电层上，该网板具有多个开口；将障壁材料涂布于该网板上，以使该障壁材料经由上述这些开口流至该介电层上，以形成上述这些第一图案，其中上述这些第一图案之线宽为200微米；以及移除该网板。3.根据权利要求2所述之等离子显示器之障壁的形成方法，其特征在于该网板印刷工艺包括将网板设置于该介电层上，该网板具有多个开口；将障壁材料涂布于该网板上，以使该障壁材料经由上述这些开口流至该介电层上，以形成上述这些第一图案，其中上述这些第一图案之间距(pitch)为394微米；以及移除该网板。4.根据权利要求2所述之等离子显示器之障壁的形成方法，其特征在于在蚀刻上述这些第一障壁图案以形成该障壁的步骤中，包括令该障壁之上述这些第二障壁图案的线宽为140微米。5.根据权利要求4所述之等离子显示器之障壁的形成方法，其特征在于在蚀刻该障壁图案以形成该...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊良，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]