一种PDP障壁新型再生方法技术

本发明专利技术公开了一种PDP障壁新型再生方法，该方法是指将障壁下层涂敷至障壁烧结炉前产生的障壁再生基板投入障壁烧结炉中进行烧结，然后将烧结后的障壁再生基板进行下线、将障壁膜层出现异常的再生基板和出现的障壁图形尺寸不良的再生基板也进行下线处理；然后将这些再生基板投入障壁刻蚀机进行刻蚀；最后将完全刻蚀后的再生基板进行下线后按正常屏工艺流程进行再次涂敷。本发明专利技术还公开了一种再生液—障壁刻蚀液硝酸，采用硝酸与障壁材料的无机粉末进行反应，最终使障壁材料与基板分离开，达到再生效果。本方法不仅解决了再生机对障壁干燥后的基板再生不完全的难题，同时能对障壁烧结后的不良基板进行再生，为公司降本做出了重要贡献。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及等离子显示屏障壁再生的方法，尤其是一种采用新技术手段替换再生机，从而使等离子显示屏障壁再生的方法，具体为一种PDP障壁新型再生方法，适用于障壁制作领域。
技术介绍
在PDP显示器中，障壁是构成PDP放电单元的基本要素，其高度和宽度直接影响放电空间的大小和控制驱动电路的动态范围，它们在全屏范围内的一致性更是决定显示器性能的重要指标。障壁的作用在于保证两块基板间的放电间隙，确保一定的放电空间；防止相邻单元间的光电串扰。主要技术要求对障壁的要求是高度一致(偏差在±5mm以内)，形状均匀。在保证障壁强度的前提下，障壁宽度应尽可能窄，以增大单元的开口率，提高器件亮度。障壁图形形成原理在后板后介质上分两次进行涂敷障壁，分别经过干燥后在进行烧结，其次在障壁膜层上涂敷一种负性感光胶，干燥后将所需要的障壁图形通过曝光母板，经过曝光、显影光刻技术转移到负性感光胶上，再通过刻蚀工艺，利用硝酸与未掩盖的障壁膜层进行化学反应，而被掩盖的障壁膜层则被保留下来，最后通过剥膜将感光胶剥离掉，便形成了障壁图形。在PDP行业障壁制作领域中，障壁涂敷难免会出现一些严重条纹、凹陷，凸起，混液等不良基板；障壁图形形成过程中，会出现障壁图形尺寸不良或因障壁缺陷报废面取超过2cell/Sheet以上的基板。再生机使用的再生液包括去离子水、丁基卡必醇、二乙二醇乙醚、N-甲基吡咯烷酮、乙醇胺、季铵碱以及非离子表面活性剂。再生机再生需从障壁干燥后进行下线，投入障壁再生机，利用再生液溶解障壁，使障壁与基板分离开，达到再生效果。障壁材料中各种材料配置比例不定，刻蚀性障壁材料由无机粉末和有机载体组成。而无机粉末包括低熔点玻璃粉(ZnO、BaO)、填料(A1203)和颜料组成，有机载体包括树脂、溶剂和助剂，如图一所示目前PDP量产过程中，再生机只能对障壁材料中的有机载体未完全挥发时进行再生，对干燥后的基板再生不完全，还需岗位人员用酒精进行擦拭，浪费人力和物力，且对烧结后的障壁基板、障壁图形尺寸不良或因障壁缺陷报废面取超过2cell/Sheet以上的基板不能进行再生，只能做报废处理。这些报废严重影响了产品良率，增大了公司运营成本。因此，有必要寻找一种新的方法，并制定相应的方案。
技术实现思路
本专利技术正是基于以上技术问题，提供一种可节省人力和物力、节约成本、使rop障壁再生完全、基板上无残留的障壁，可减少基板报废情况，提闻广品品质的一种F1DP障壁新型再生方法。本专利技术的技术方案为一种PDP障壁新型再生方法，首先是将障壁下层涂敷阶段至障壁烧结炉前之间的阶段产生的障壁再生基板投入障壁烧结炉中进行烧结，其烧结温度根据不同障壁材料而不同，但应满足能使障壁材料中的玻璃粉熔化并粘住浆料中的固体成分为可，通常其烧结温度控制在563±3°C。再生时，烧结温度等条件与正常生产时的条件设置为一样即可。然后将已烧结完毕后的障壁再生基板进行下线处理，将障壁烧结后障壁膜层出现异常的再生基板和障壁图形制作过程中出现的障壁图形尺寸不良的再生基板也进行下线处理；将烧结完毕的再生基板、膜层出现异常的再生基板和图形尺寸不良的再生基板均投入障壁刻蚀机，通过障壁刻蚀机进行刻蚀；刻蚀的条件为温度为40±5°C，压力为1.5±0. 5bar，pH值为1. 4±0. 2，速度为1500-3000mm/min。最后将完全刻蚀后的再生基板下线按照正常屏工艺流程进行再次涂敷。刻蚀采用的药液为硝酸，其与障壁材料发生了化学反应，具体为障壁材料中的氧化物和硝酸发生了反应，生产了硝酸盐和水，比如ZnO、BaO和Al2O3与硝酸的反应式如下2HN03+Zn0 — Zn (NO3) 2+H202HN03+Ba0 — Ba (NO3) 2+H206HN03+A1203 — 2A1 (NO3) 3+3H20障壁图形在制作领域中，会出现障壁图形尺寸不良，会出现一些严重条纹、凹陷、凸起和混液等的不良基板。障壁烧结后障壁膜层出现异常的再生基板是指障壁膜层出现刮痕、裂纹和圆斑的异常基板；障壁图形制作过程中出现的障壁图形尺寸不良的再生基板是指在障壁图形形成过程中出现的障壁图形不良或因障壁缺陷报废面取超过2cell/Sheet以上的基板。本申请中主要利用障壁图形形成的原理，使刻蚀液与未掩盖的障壁膜层进行化学反应，而被掩盖的障壁膜层则被保留下来，最后通过剥膜将感光胶剥离掉，便形成了障壁图形。而再生基板的障 壁表面没有保护障壁膜层的掩盖膜，基板在刻蚀机内部流动，随着药液与基板接触，使得药液与障壁材料充分接触发生反应，最终使障壁与基板分离，达到再生效果O与现有技术相比，本专利技术的有益效果为(一)避免了再生机对干燥后的基板再生不完全的问题。(二)节省了人力和物力，节约了生产成本。(三)对烧结后的障壁基板、障壁图形尺寸不良或因障壁缺陷报废面过大的基板不能进行再生的问题，减少了报废量。说明书附图附图说明图1为
技术介绍
中的障壁材料的配置图图2为传统的再生机再生过程与本申请中的新型再生过程对比示意图图3为本专利技术中的障壁刻蚀机再生示意图具体实施例方式下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于下述实施例。实施例1 :障壁上层涂敷前产生的障壁再生基板的再生，包括以下步骤(1)、在障壁的制作过程中，障壁下层涂敷时，若因一些uncoating、拖尾、混液等异常而需要再生；(2)障壁下层干燥时，因干燥异常需要再生；(3)、将步骤(I)的再生基板进行障壁下层干燥；(4)、将步骤(3)干燥后的再生基板，同步骤(2)的再生基板进行下线后一并投入障壁烧结炉中进行烧结，烧结条件通过正常生产时的烧结条件一样，温度控制在563°C ；(5 )、烧结完毕后，将再 生基板进行下线，投入障壁刻蚀机；(6)、更改障壁刻蚀机工艺条件,只更改速度工艺参数< 3000mm/min ;其余工艺参数可不进行变更，按照正常生产时的刻蚀条件进行。条件为40°C，压力设定为1.5bar，pH值设定为1. 4，在刻蚀过程中，采用硝酸作为刻蚀药液，利用硝酸与障壁材料中的无机粉末发生化学反应。硝酸与障壁材料发生了化学反应，具体为障壁材料中的氧化物和硝酸发生了反应，生产了硝酸盐和水，如2HN03+Zn0 — Zn(N03)2+H202HN03+Ba0 — Ba(N03)2+H206HN03+A1203 — 2A1(N03)3+3H20如此，障壁材料与基板分离开，从而到达再生效果。(7)、刻蚀再生完毕后，对再生基板进行下线；更改刻蚀速度参数为正常生产时的刻蚀速度；(8)、对已再生完毕的下线基板投入障壁涂敷前清洗机，按照正常屏工艺流程进行涂敷。障壁上层涂敷前产生的障壁再生基板的再生效果较好，直通率能达到84%以上，有效的减少了报废量，节约了生产成本，避免了不必要的浪费。实施例2:障壁上层涂敷至障壁烧结炉间产生再生基板的再生，包括以下步骤(1)、在障壁的制作过程中，障壁上层涂敷时，若因一些uncoating、拖尾、混液等异常而需要再生；(2)、障壁上层干燥时，因干燥异常需要再生；(3)、将步骤(I)的再生基板进行障壁上层干燥；(4)、将步骤(3)干燥后的再生基板同步骤(2)的再生基板一并流向障壁烧结炉进行烧结，烧结条件通过正常生产时的烧结条件一样本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种PDP障壁新型再生方法，其特征在于：将障壁下层涂敷至障壁烧结炉前产生的障壁再生基板投入障壁烧结炉中进行烧结，然后将已烧结完毕后的障壁再生基板进行下线处理、将障壁烧结后障壁膜层出现异常的再生基板和障壁图形制作过程中出现的障壁图形尺寸不良的再生基板也进行下线处理；然后将烧结完毕的再生基板、膜层出现异常的再生基板和图形尺寸不良的再生基板投入障壁刻蚀机，通过障壁刻蚀机进行刻蚀；最后将完全刻蚀后的再生基板进行下线，然后按照正常屏工艺流程进行再次涂敷。

【技术特征摘要】
1.一种rop障壁新型再生方法，其特征在于将障壁下层涂敷至障壁烧结炉前产生的障壁再生基板投入障壁烧结炉中进行烧结，然后将已烧结完毕后的障壁再生基板进行下线处理、将障壁烧结后障壁膜层出现异常的再生基板和障壁图形制作过程中出现的障壁图形尺寸不良的再生基板也进行下线处理；然后将烧结完毕的再生基板、膜层出现异常的再生基板和图形尺寸不良的再生基板投入障壁刻蚀机，通过障壁刻蚀机进行刻蚀；最后将完全刻蚀后的再生基板进行下线，然后按照正常屏工艺流程进行再次涂敷。2.根据权利要求1所述的PDP障壁新型再生方法，其特征在于所述的将障壁再生基板投入障壁烧结炉中进行烧结，其烧结温度根据不同障壁材料而定，但满足能使障壁材料中的玻璃粉熔化并粘住浆料中的固体成分，其烧结温度控制在563 ± 3 °C。3.根据权利要求1所述的P...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘衍伟，高永刚，李新亮，
申请(专利权)人：四川虹欧显示器件有限公司，
类型：发明
国别省市：