等离子体显示板制造技术

提供了一种等离子体显示板。所述等离子体显示板包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；在所述透明电极的上部形成的黑层；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极。所述汇流电极的宽度小于所述黑层的宽度。

【技术实现步骤摘要】

本文件涉及显示装置，更具体地，涉及等离子体显示装置。
技术介绍
在显示装置中，等离子体显示装置通常包括等离子体显示板和用于驱动等离子体显示板的驱动器。等离子体显示板包括由钠钙玻璃制成的前板和后板。在前板和后板之间形成的障壁形成放电单元。每个放电单元由惰性气体如He-Xe气体混合物、He-Ne气体混合物来填充。当惰性气体通过高频电压放电时，产生真空紫外线。真空紫外线激发形成于障壁之间的荧光体以在等离子体显示板上显示图像。前板包括透明电极和汇流电极。黑层形成于透明电极和汇流电极之间。黑层由导电材料形成，如氧化钌、氧化铅、碳系(carbon series)。在保持电极对(maintenance electrode pair)之间形成的黑层和黑矩阵(black matrix)改善了放电单元之间的对比度。由于形成汇流电极的Ag不透射由放电产生的光并且反射从等离子体显示板外产生的光，对比度被降级。能够改善对比度的黑层插入在透明电极和汇流电极之间以克服上述问题。黑层执行光阻挡功能以便通过吸收从前板的前玻璃基板外产生的外部光来减小反射度，并且改善前玻璃基板的对比度和色纯度。然而，由于相关技术黑层的宽度与汇流电极的宽度大约相等，在汇流电极的边缘易于产生边缘卷曲(edge curl)。在汇流电极接触黑层的地方发生不良接触。难以均匀地在放电单元中积累壁电荷。此外，黑层不充分地执行光阻挡功能，并且不充分地改善色纯度和对比度。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是至少解决
技术介绍
的问题和缺陷。本专利技术的实施例提供了能够容易地通过防止边缘卷曲来均匀地积累壁电荷并通过减小黑亮度来改善对比度的等离子体显示板。本专利技术的实施例还提供了具有改善的对比度的等离子体显示板，其可以以简化且成本降低的方式来制造。根据一个方面，提供一种等离子体显示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；在所述透明电极的上部形成的黑层；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度。根据另一个方面，提供一种等离子体显示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；黑层，形成于所述透明电极的上部以及放电单元之间的非放电区；以及汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度，形成于所述透明电极上的所述黑层的上部。根据又一个方面，提供一种等离子体显示板，包括前玻璃基板；黑层，形成于所述前玻璃基板上；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度。在根据本专利技术实施例的等离子体显示板中，通过将汇流电极形成得比黑层的宽度窄，防止了边缘卷曲，并且壁电荷得以均匀地积累。此外，通过减小黑亮度改善了对比度。根据本专利技术实施例的等离子体显示板简化了制造过程并减少了制造成本。附图说明将参照以下附图详细说明本专利技术，其中，相似的数字指代相似的要素。图1示出根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板；图2是根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板的前板的示意横截面视图；图3是根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板的前板的制造方法的流程图；图4是根据本专利技术第二实施例的等离子体显示板的前板的示意横截面视图；图5a至图5e是顺序说明根据本专利技术第二实施例的等离子体显示板的前板的制造方法中的每个阶段的横截面视图；以及图6是根据本专利技术第三实施例的等离子体显示板的前板的示意横截面视图。具体实施例方式将参照附图以更详细的方式说明本专利技术的实施例。根据本专利技术实施例的等离子体显示板包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；在所述透明电极的上部形成的黑层；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度。优选地，汇流电极形成于所述黑层的中部。优选地，黑层的宽度范围从20μm到100μm。优选地，黑层的宽度范围从50μm到80μm。优选地，汇流电极的宽度范围从所述黑层的宽度的50％到90％。优选地，所述黑层的宽度和所述汇流电极的宽度之间的差小于20μm 。根据本专利技术实施例的等离子体显示板包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；黑层，形成于所述透明电极的上部以及放电单元之间的非放电区上；以及汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度，形成于所述透明电极上的所述黑层的上部。优选地，汇流电极形成于所述透明电极上的所述黑层的中部。优选地，透明电极上的所述黑层的宽度范围从20μm到100μm。优选地，透明电极上的所述黑层的宽度范围从50μm到80μm。优选地，汇流电极的宽度范围从所述透明电极上的所述黑层的宽度的50％到90％。优选地，透明电极上的所述黑层的宽度和所述汇流电极的宽度之间的差小于20μm。根据本专利技术实施例的等离子体显示板包括前玻璃基板；黑层，形成于所述前玻璃基板上；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度。优选地，汇流电极形成于所述黑层的中部。优选地，黑层的宽度范围从20μm到100μm。优选地，黑层的宽度范围从50μm到80μm。优选地，汇流电极的宽度范围从所述黑层的宽度的50％到90％。优选地，黑层的宽度和所述汇流电极的宽度之间的差小于20μm。以下将参照附图详细说明本专利技术示范实施例。图1示出根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板。如图1所示，根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板包括前板100和后板110，其平行耦合成以其间的给定距离彼此相对。多个扫描电极102和多个维持电极(sustain electrode)103成对形成在前板100的前玻璃基板101上以形成多个保持电极对。扫描电极102和维持电极103各包括由透明氧化铟锡(ITO)材料制成的透明电极102a和103a，和由金属材料制成的汇流电极102b和103b。扫描电极102和维持电极103在一个放电单元中产生其间的互放电，并保持放电单元的光发射。扫描电极102和维持电极103由一或多个上电介质层104覆盖以限制放电电流并提供保持电极对之间的绝缘。带有MgO沉积物的保护层105形成在上电介质层104的上表面上以利于放电条件。多个条型(或井型)障壁112平行形成在后板110的后玻璃基板111上以形成多个放电空间，即，多个放电单元。多个寻址电极113与障壁112平行设置以便执行地址放电并产生真空紫外线。红(R)、绿(G)和蓝(B)荧光体114涂覆后玻璃基板111的上表面以便在寻址放电产生期间发射用于显示图像的可见光。下电介质层115形成于寻址电极113和荧光体114之间以保护寻址电极113。图2是根据本专利技术第一实施例的等离子体显示板的前板的示意横截面视图。如图2所示，多个保持电极对平行设置在前板100的前玻璃基板101上。保持电极对包括由透明ITO材料制成的透明电极102a和103a，以及透明电极102a和103a上由诸如Ag的金属材料制成的汇流电极102b和103b。由导电材料制成的黑层106a和106b各形成于透明电极102a和103a以及汇流电极102b和103b之间。黑层106a和106b通过吸收从前玻璃基板101外产生的外部光来执行光阻挡功能以便减小反射度，并改善前玻璃基板101的对比度和色纯度。形成于透明电极102a和103a以及汇流电极102b和103b之间的黑层106a和106b的宽度大于其上形成的汇流电极102b和103b的宽度。因而，黑亮度得以降低并且对比度得以改本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板，包括：前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；在所述透明电极的上部形成的黑层；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度。

【技术特征摘要】
KR 2005-5-11 10-2005-00392931.一种等离子体显示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；在所述透明电极的上部形成的黑层；以及在所述黑层的上部形成的汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度。2.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述汇流电极形成于所述黑层的中部。3.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述黑层的宽度范围是从20μm到100μm。4.如权利要求3所述的等离子体显示板，其中所述黑层的宽度范围是从50μm到80μm。5.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述汇流电极的宽度范围是从所述黑层的宽度的50％到90％。6.如权利要求5所述的等离子体显示板，其中所述黑层的宽度和所述汇流电极的宽度之间的差小于20μm。7.一种等离子体显示板，包括前玻璃基板；在所述前玻璃基板上形成的透明电极；黑层，形成于所述透明电极的上部以及放电单元之间的非放电区上；以及汇流电极，其宽度小于所述黑层的宽度，形成于所述透明电极上的所述黑层的上部。8.如权利要求7所述的等离子体显示板，其中所述汇流电极形成于所述透明电极上的所述黑层的中部。9....

【专利技术属性】
技术研发人员：郑闵鞫，
申请(专利权)人：LG电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]