等离子体显示面板制造技术

本发明专利技术提供了一种等离子体显示面板，其包括第一基底和第二基底，在第一基底和第二基底间具有被分隔开的放电室。第一电极和第二电极环绕放电室，并被分别邻近于相对于第一基底和第二基底设置。第一电极在第一方向上相互连接，第二电极在第一方向上相互连接。沿着与第一基底和第二基底的平面垂直的方向，寻址电极在第一电极和第二电极之间，与第一电极和第二电极分隔，并且寻址电极在与第一方向交叉的第二方向上连接，寻址电极也环绕放电室。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示面板，更具体地讲，本专利技术涉及一种提高了放电室的开口率或可见光的透射率的等离子体显示面板。
技术介绍
PDP的一个示例是三电极表面放电型PDP。三电极表面放电型PDP包括维持电极、扫描电极和寻址电极。维持电极和扫描电极在前基底的相同表面上相互平行。寻址电极被以与维持电极和扫描电极交叉的方向设置在后基底上。障肋被设置在前基底和后基底之间，即设置在扫描电极和寻址电极之间及维持电极和寻址电极之间。在障肋中，平行设置的维持电极和扫描电极与寻址电极交叉的部分形成放电室。放电室被填充放电气体。PDP通过施加到扫描电极的扫描脉冲和施加到寻址电极的寻址脉冲而引起的寻址放电，来选择选通的(turn-on)放电室；PDP通过对所选择的放电室的维持电极和扫描电极交替施加维持脉冲而引起的维持放电，来实现图像。PDP包括在放电室前部的维持电极和扫描电极。因此，PDP在维持电极和扫描电极的各内表面上产生等离子体放电，并将等离子体放电向着后基底扩散。等离子体放电激发放电室内部的荧光体，从而产生可见光。设置在前基底上的维持电极和扫描电极使放电室的开口率降低，并使在放电室内产生并被导向前基底的可见光的透射率下降。因此，三电极表面放电型PDP的明度(brightness)低或发光效率低。如果PDP被长时间地使用，放电气体中的带电粒子在电场的作用下在荧光体中产生离子溅射。这会导致持久的余像(after-image)。
技术实现思路
本专利技术的各个实施例具有改进的放电室的开口率或者具有提高的可见光的透射率，从而具有提高的明度和提高的发光效率。本专利技术的一些实施例提供了一种PDP，在该PDP中，可降低邻近的寻址电极之间的无功功耗，并可减少寻址电极中发生的热。本专利技术的其它实施例提供了一种PDP，在该PDP中，降低了寻址着火电压，使得通过低电压能够进行寻址放电。在一些实施例中，在前基底和后基底之间，各电极形成在放电室的面上。此外，在寻址电极和扫描电极引起的寻址放电期间以及维持电极和扫描电极引起的维持放电期间，放电气体的带电粒子被导向放电室的中心。等离子体显示面板(PDP)的一个实施例包括第一基底和第二基底，彼此相对设置，且其间具有预定的距离；多个放电室，在第一基底和第二基底之间被分隔；第一电极，环绕多个放电室中的放电室，邻近于第一基底和第二基底中的一个设置，并位于第一基底和第二基底之间，第一电极在第一方向上连接；第二电极，沿着与第一基底和第二基底的平面垂直的方向与第一电极分隔开，第二电极在第一方向上连接，其中，第二电极环绕多个放电室中的放电室，邻近于第一基底和第二基底中的另一个设置；多个寻址电极，沿着与第一基底和第二基底的平面垂直的方向，在第一电极和第二电极之间与第一电极和所述第二电极分隔开，多个寻址电极在与所述第一方向交叉的第二方向上连接，其中，寻址电极环绕多个放电室中的放电室。在一个实施例中，多个寻址电极包括第一寻址电极，邻近于第一电极设置；第二寻址电极，与第一寻址电极分隔开，邻近于第二电极设置。在另一个实施例中，在沿着与第一基底和第二基底的平面垂直的方向的剖面中第一电极、第二电极、第一寻址电极和第二寻址电极中的每个都具有为矩形剖面形状的第一边和第二边；第一电极、第二电极、第一寻址电极和第二寻址电极的第一边中的每个的长度都相同；第一电极和第二电极的第二边中的每个的长度，小于第一电极和第二电极中的每个的长度。在又一个实施例中，第一寻址电极的第二边的长度和第二寻址电极的第二边的长度之和，小于第一电极的第二边的长度或者小于第二电极的第二边的长度。在沿着与第一基底和第二基底的平面垂直的方向的剖面中，第一寻址电极和第二寻址电极中的每个的剖面面积小于第一电极和第二电极中的每个的剖面面积。在另一实施例中，第一寻址电极的剖面面积和第二寻址电极中的剖面面积之和，小于第一电极的剖面面积，或者小于第二电极的剖面面积。第一寻址电极和第二寻址电极可具有相同的形状。在一个实施例中，第一电极和第二电极中的每个包括环形构件，环绕放电室；连接构件，在第一方向上连接环形构件。寻址电极可包括环形构件，环绕放电室；连接构件，在第二方向上连接环形构件。沿着与第一基底和第二基底的平面垂直的方向，第一电极的环形构件、多个寻址电极的环形构件、第二电极的环形构件可平行地彼此分隔。在一个实施例中，第一电极、第二电极和多个寻址电极由金属电极形成。第一电极、第二电极和多个寻址电极可被掩藏在介电层内，介电层可被放电室内表面上的保护层覆盖。在另一个实施例中，多个放电室被设置在第一基底和第二基底之间的障肋层分隔；由介电层形成的电极层包围第一电极、多个寻址电极和第二电极。障肋层可形成在第二基底中，电极层可位于障肋层和第一基底之间。此外，多个放电室可具有与第一电极、多个寻址电极和第二电极的布置对应的圆柱形形状。PDP还可包括在由障肋层分隔的多个放电室内形成的荧光体层，荧光体层可由透射型荧光体形成。一个位于等离子体显示面板中的第一基底和第二基底之间的电极层的实施例，该电极层包括介电材料，具有多个限定放电室的开口；第一电极，分别环绕放电室中的每个，并被邻近于电极层的第一边设置，第一电极在第一方向上相互连接；第二电极，分别环绕放电室中的每个，并被邻近于电极层的第二边设置，第二电极在第一方向上相互连接；寻址电极，环绕所述放电室中的每个，寻址电极位于第一电极和第二电极之间，与第一电极和第二电极分隔开，并在与第一方向交叉的第二方向上连接。寻址电极可包括第一寻址电极，邻近于第一电极设置；第二寻址电极，与第一寻址电极分隔开，并邻近于第二电极设置。第一电极、第二电极和寻址电极中的每个包括环形构件，环绕各自的放电室中的一个；连接构件，将环形构件连接到相邻的环形构件。附图说明图1是根据本专利技术示例性实施例的PDP的分解透视图。图2是沿着图1中的线II-II截取的PDP的剖视图。图3是沿着图1中的线III-III截取的PDP的剖视图。图4是示出电极布置结构的一个实施例的透视图。图5是用于比较维持电极、扫描电极、第一寻址电极和第二寻址电极的剖面面积大小的图2中示出的电极层的局部剖视图。具体实施例方式在下文中，将参照附图来描述本专利技术的各种实施例，以使本领域的技术人员能够实现本专利技术。正如本领域的技术人员会认识到的，在不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式对所描述的实施例进行更改。在可能的任何地方，相同的标号在整个附图中将被用来表示相同或相似的部件。参照图1，PDP主要包括第一基底(在下文中被称作“后基底”)10和第二基底(在下文中被称作“前基底”)20，彼此相对地设置且其间有预定的距离；多个放电室17，在后基底10和前基底20之间被分隔开。放电室17包括第一放电室27，被障肋层26分隔开；第二放电室37，对应于障肋层26被电极层30分隔开。障肋层26在后基底10和前基底20之间分隔多个第一放电室27(参照图2)。障肋层26可如本示例性实施例中地形成在前基底20上，或者可形成在后基底10上。此外，障肋层26可单独地或一体地形成在基底10和20上(未示出)。障肋层26可以形成各种形状(比如方形或六边形(未示出))的第一放电室27。本示例性实施例示出了具有圆柱形的第一放电室27(参照图3)。在圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示面板，包括：第一基底和第二基底，彼此相对地设置且其间具有预定的距离；多个放电室，在所述第一基底和所述第二基底之间被分隔；第一电极，环绕所述多个放电室中的放电室，邻近于所述第一基底和所述第二基底中的一个设置，并位于所述第一基底和所述第二基底之间，所述第一电极在第一方向上连接；第二电极，沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向与所述第一电极分隔开，所述第二电极在第一方向上连接，其中，所述第二电极环绕所述多个放电室中的放电室，邻近于所述第一基底和所述第二基底中的另一个设置；多个寻址电极，沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向，在所述第一电极和所述第二电极之间与所述第一电极和所述第二电极分隔开，所述多个寻址电极在与所述第一方向交叉的第二方向上连接，其中，所述寻址电极环绕所述多个放电室中的放电室。

【技术特征摘要】
KR 2005-5-25 10-2005-00440181.一种等离子体显示面板，包括第一基底和第二基底，彼此相对地设置且其间具有预定的距离；多个放电室，在所述第一基底和所述第二基底之间被分隔；第一电极，环绕所述多个放电室中的放电室，邻近于所述第一基底和所述第二基底中的一个设置，并位于所述第一基底和所述第二基底之间，所述第一电极在第一方向上连接；第二电极，沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向与所述第一电极分隔开，所述第二电极在第一方向上连接，其中，所述第二电极环绕所述多个放电室中的放电室，邻近于所述第一基底和所述第二基底中的另一个设置；多个寻址电极，沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向，在所述第一电极和所述第二电极之间与所述第一电极和所述第二电极分隔开，所述多个寻址电极在与所述第一方向交叉的第二方向上连接，其中，所述寻址电极环绕所述多个放电室中的放电室。2.如权利要求1所述的等离子体显示面板，其中，所述多个寻址电极包括第一寻址电极，邻近于所述第一电极设置；第二寻址电极，与所述第一寻址电极分隔开，并邻近于所述第二电极设置。3.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，在沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向的剖面中所述第一电极、所述第二电极、所述第一寻址电极和所述第二寻址电极中的每个都具有构成矩形剖面形状的第一边和第二边；所述第一电极、所述第二电极、所述第一寻址电极和所述第二寻址电极的所述第一边中的每个的长度都相同；所述第一电极和所述第二电极的所述第二边中的每个的长度，小于所述第一电极和所述第二电极中的每个的长度。4.如权利要求3所述的等离子体显示面板，其中，所述第一寻址电极的所述第二边的长度和所述第二寻址电极的所述第二边的长度之和，小于所述第一电极的所述第二边的长度或者小于所述第二电极的所述第二边的长度。5.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，在沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向的剖面中，所述第一寻址电极和所述第二寻址电极中的每个的剖面面积小于所述第一电极和所述第二电极中的每个的剖面面积。6.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，在沿着与所述第一基底和所述第二基底的平面垂直的方向的剖面中，所述第一寻址电极的剖面面积和所述第二寻址电极中的剖面面积之和，小于所述第一电极的剖面面积，或者小于所述第二电极的剖面面积。7.如权利要求2所述的等离子体显示面板，其中，所述第一寻址电极和所述第二寻址电极具有相同的形状。8.如权利要求1所述的等离子体显示...

【专利技术属性】
技术研发人员：权泰正，姜景斗，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]