等离子体显示板制造技术

一种等离子体显示板，其中至少具有显示电极（６）和介电层（７）的前板（１）和后板（２）相对设置以形成放电空间（１４），并且向放电空间（１４）中填充放电气体。在介电层（７）上设置添加有硅和铝中的至少一种元素的氧化镁制的保护层（８）。放电气体至少包含氙和氢气。保护层（８）的硅和铝之一的浓度为３０ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下。氢气的浓度在１００００ｐｐｍ以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及显示装置等使用的等离子体显示板。
技术介绍
等离子体显示板(下面称为PDP)，基本由前板和后板构成。前板包括玻璃基板，由玻璃基板的主表面上的透明电极和汇流电极(bus electrode)构成的条状显示电极，覆盖显示电极的作为电容器操作的介电玻璃层以及介电层上形成的氧化镁(MgO)制得的保护层。 作为玻璃基板，使用可以容易制造大面积平坦区域的浮置法(floatmethod)制造。在显示电极中，在由薄膜成形方法形成的透明电极上使用确保导电性的银(Ag)膏形成预定的图案。其后，通过烧结形成汇流电极。通过涂布和烧结介电质膏形成介电层，以覆盖由透明电极和汇流电极构成的显示电极。最后，在介电层上使用薄膜成形方法形成由MgO构成的保护层。 另一方面，后板包括玻璃基板，玻璃基板的主表面上形成的条状寻址电极，覆盖寻址电极的介电层，介电层上形成的障壁，以及各障壁间形成在介电层上发出红色、绿色或蓝色光的荧光体层。 将前板和后板以电极形成侧彼此相对地气密封装。将诸如氖(Ne)-氙(Xe)等的放电气体以400Torr～600Torr的压力填充到由障壁分割的放电空间。PDP在显示电极上选择性地施加图像信号电压从而发生气体放电，通过该放电产生的紫外线激励各色的荧光体层发出红色、绿色、蓝色的光。《等离子体显示板全论》(内持平树、御子柴茂生合著、(日本)工业调查会出版、1997年5月1日、p79-p80)中揭示了以此方式显示彩色图像的实例。 图像显示使用将一帧图像分割为多个子场(SF)的灰度表示方式。通过该方式，为了控制放电，一个子场分割为初始化阶段、寻址阶段、维持阶段和擦除阶段。作为在用以选择要点亮的象素的寻址阶段期间进行稳定的寻址放电的技术，日本特开平10-334809号公报，日本特开2003-132801号公报和日本特开2004-103273号公报公开了在保护层的MgO中添加数百ppm到百分之几的硅(Si)或铝(Al)元素以改善保护层的电子发射特性的技术。 此外，日本特开2000-267625号公报和《PDP中各个部件的特性及最新的开发实例》(株式会社信息机构，2004年3月26日，P216-P218)公开了将初始化阶段期间的放电波形变为具有缓坡的普通矩形脉冲，并抑制由于各放电单元的形状差异或荧光体的带电状态的不同而引起的寻址放电电压的变化的技术。 但是，近年来对于具有高清晰度、高灰度以及低功耗的图像显示装置(诸如高清晰度电视屏幕)的期待不断增高。特别是近年来期待全系列(full-specification)高清晰度的42英寸的电视屏幕，其象素数为1920×1125，各放电单元的间距为小到0.15mm×0.48mm。因此高清晰度的PDP中，亮度和效率的降低的问题变得特别明显。 通过将PDP内的放电气体中Xe的浓度设定为至少5％(高于现有浓度)或使用交叉状的障壁作为增加亮度和效率的措施。但是，为了高亮度化而将PDP内的放电气体中的Xe浓度设为5％以上或使用交叉的障壁的情况下，驱动电压大幅度上升并发生不稳定的寻址放电，而不能提供高质量的图像。当Xe浓度增高时，Xe离子的量增大，MgO更易于溅射，保护层的寿命缩短的问题又会出现。 通常，对应于驱动电压上升造成不稳定放电的问题，使用MgO中添加Si或Al元素以增大从MgO的电子发射量的方法。但是，尽管与仅由MgO构成保护层的情况相比，驱动电压有轻微降低，该方法仍然不能为寻址阶段相对长的高清PDP稳定地寻址放电。 特别是，具有增高的Xe浓度在5％以上的高清PDP中，为了寻址扫描的高速化和寻址放电的稳定化以及低电压化的目的，向MgO中添加Si或Al会产生如下问题。即，初始化放电中，通过利用介电层上的壁电荷的方法试图点亮PDP时，驱动电压与现有的MgO保护层的情况相比较低，但是MgO保护层的良好的电子发射特性甚至会使得在初始化放电中形成的壁电荷消失，从而造成点亮失败(寻址失败)和图像质量下降。 为了寻址放电的稳定化和寻址电压降低的目的，使用缓坡电压波形的情况下，点亮失败(寻址失败)的发生更加显著。
技术实现思路
本专利技术的PDP中至少具有电极和介电层的前板和后板彼此相对设置以形成放电空间，并在放电空间中填充放电气体，其中介电层上设置添加有Si和Al中的至少一种元素的MgO制得的保护层，并且放电气体中至少包含Xe和氢气(H2)。 如上构成的PDP可以实现不会发生寻址放电期间的点亮失败(寻址失败)，具有高亮度和低操作电压，并且可以实现长时间的稳定驱动。附图说明图1所示为本专利技术实施例的等离子体显示板(PDP)的主要构成的截面透视图。 图2为图1的沿2-2线的截面图。 图3所示为本专利技术实施例的PDP的驱动波形图。 图4A为示出本专利技术实施例的PDP在初始化阶段期间的驱动波形中壁电荷的形态的图。 图4B为示出本专利技术实施例的PDP在初始化阶段终了时的驱动波形中壁电荷的形态的图。 图4C为示出本专利技术实施例的PDP在寻址阶段开始时的驱动波形中壁电荷的形态的图。 图4D为示出本专利技术实施例的PDP在寻址阶段期间的驱动波形中壁电荷的形态的图。 附图标记说明1 前板2 后板3 前玻璃基板4 扫描电极4a、5a 透明电极4b、5b 汇流电极5 维持电极6 显示电极7、11 介电层 8 保护层9 后玻璃基板10 寻址电极12 障壁13 荧光体层13R (红色)荧光体层13G (绿色)荧光体层13B (蓝色)荧光体层14 放电空间具体实施方式下面使用附图说明本专利技术实施例的PDP。 实施例图1所示为本专利技术实施例的PDP的主要构成的截面透视图。图2为图1沿2-2线的截面图。如图1所示，PDP由彼此相对设置以形成放电空间的前板1和后板2构成。 首先说明前板1。前玻璃基板3的背面板2侧的表面上，设置条状扫描电极4和维持电极5并夹入表面放电间隙(gap)从而形成显示电极6。即显示电极6由平行设置的成对的扫描电极4和维持电极5形成。扫描电极4和维持电极5由氧化铟(ITO)和氧化锡(SnO2)等的透明导电性材料形成的透明电极4a、5a、以及其上形成的比透明电极4a、5a的宽度窄且导电性好的汇流电极(bus electrode)4b、5b构成。汇流电极4b、5b中的每一个均由诸如Ag薄膜(厚度2μm～10μm)，Al薄膜(厚度0.1μm～1μm)和铬/铜/铬(Cr/Cu/Cr)积层薄膜(厚度0.1μm～1μm)中任一者构成。 在形成有显示电极6的前玻璃基板3上，形成介电层7用以覆盖显示电极6，例如，介电层7由具有PbO-SiO2-B2O3-ZnO-BaO系的玻璃成分的介电质玻璃材料制得，并在介电层7上的全部区域上进一步积层形成保护层8。保护层8由主要成分为MgO的薄膜形成。此处，保护层8由主成分为MgO添加诸如30ppm～50000ppm的Si和Al中的至少一种而组成。 然后说明后板2。后玻璃基板9的前面板1侧的表面上，形成条状寻址电极(address electrode)10。进一步形成介电层11以覆盖寻址电极10。在介电层11上，例如，在寻址电极10之间的位置处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体显示板，其中至少具有电极和介电层的前板和后板彼此相对设置以形成放电空间，并在所述放电空间中填充放电气体，所述等离子体显示板包括：所述介电层上设置的、添加有硅和铝中至少一种元素的氧化镁制得的保护层，所述放电气体至少包含氙和氢气。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-5-17 143780/20051.一种等离子体显示板，其中至少具有电极和介电层的前板和后板彼此相对设置以形成放电空间，并在所述放电空间中填充放电气体，所述等离子体显示板包括所述介电层上设置的、添加有硅和铝中至少一种元素的氧化镁制得的保护层，所述放电气体至少包含氙和氢气。2.根据权利要求1所述的等离子体显...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村征起，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]