氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统技术方案

本发明专利技术实施例公开了一种氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统，所述获取设备包括：制粒装置，所述制粒装置用于利用多晶硅原料块制备粒径均匀的多数量的多晶硅颗粒；反应装置，所述反应装置用于使所述多数量的多晶硅颗粒与氮气发生化学反应以获得相应的多数量的反应颗粒，其中，所述化学反应使每个多晶硅颗粒的表层生成为氮化硅，使得每个反应颗粒包括多晶硅核心和包裹所述多晶硅核心的氮化硅覆层；熔化装置，所述熔化装置用于将所述多数量的反应颗粒熔化以获得包括硅原子和氮原子的所述氮掺杂的硅熔体。子和氮原子的所述氮掺杂的硅熔体。子和氮原子的所述氮掺杂的硅熔体。

【技术实现步骤摘要】
氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统


[0001]本专利技术涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种氮掺杂硅熔体获取设备、方法及氮掺杂单晶硅制造系统。

技术介绍

[0002]用于生产集成电路等半导体电子元器件的硅片，主要通过将直拉(Czochralski)法拉制的单晶硅棒切片而制造出。Czochralski法包括使由石英制成的坩埚中的多晶硅熔化以获得硅熔体，将单晶晶种浸入硅熔体中，以及连续地提升晶种移动离开硅熔体表面，由此在移动过程中在相界面处生长出单晶硅棒。
[0003]在上述生产过程中，提供这样的一种硅片是非常有利的：该硅片具有从正面开始向体内延伸的无晶体缺陷区域(Denuded Zone，DZ)以及与DZ邻接并且进一步向体内延伸的含有体微缺陷(Bulk Micro Defect，BMD)的区域，这里的正面指的是硅片的需要形成电子元器件的表面。上述的DZ是重要的，因为为了在硅片上形成电子元器件，要求在电子元器件的形成区域内不存在晶体缺陷，否则会导致电路断路等故障的产生，使电子元器件形成在DZ中便可以避免晶体缺陷的影响；而上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于获取氮掺杂的硅熔体的获取设备，其特征在于，所述获取设备包括：制粒装置，所述制粒装置用于利用多晶硅原料块制备粒径均匀的多数量的多晶硅颗粒；反应装置，所述反应装置用于使所述多数量的多晶硅颗粒与氮气发生化学反应以获得相应的多数量的反应颗粒，其中，所述化学反应使每个多晶硅颗粒的表层生成为氮化硅，使得每个反应颗粒包括多晶硅核心和包裹所述多晶硅核心的氮化硅覆层；熔化装置，所述熔化装置用于将所述多数量的反应颗粒熔化以获得包括硅原子和氮原子的所述氮掺杂的硅熔体。2.根据权利要求1所述的获取设备，其特征在于，所述多数量的多晶硅颗粒的均匀的粒径介于5mm至20mm之间。3.根据权利要求1所述的获取设备，其特征在于，所述反应装置包括：容器，所述容器具有用于容置所述多数量的多晶硅颗粒的空腔；氮气供应器，所述氮气供应器用于将氮气供应至所述空腔中；加热器，所述加热器用于对所述容器进行加热以在所述空腔中提供高温。4.根据权利要求3所述的获取设备，其特征在于，所述空腔呈细长的管状，所述容器还具有分别设置在所述空腔的两个纵向端部处的入口和出口，并且所述氮气供应器构造成经由所述入口持续地将氮气供应至所述空腔中，使得氮气流经所述空腔并经由所述出口排出。5.根据权利要求3或4所述的获取设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李阳，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：