【技术实现步骤摘要】
一种声表面波谐振装置的封装方法
本专利技术涉及半导体
,具体而言,本专利技术涉及一种声表面波谐振装置的封装方法。
技术介绍
[0001]无线通信设备的射频(Radio Frequency,RF)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中,射频滤波器包括压电声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave,BAW)滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
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Mechanical System,MEMS)滤波器、集成无源装置(Integrated Passive Devices,IPD)滤波器等。
[0002]SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高,由SAW谐振器和BAW谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器,即SAW滤波器和BAW滤波器,是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中,Q值是谐振器的品质因数值,定义为中心频率除以谐振器3dB ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,包括:形成第一层,所述形成第一层包括:提供声表面波谐振装置,所述声表面波谐振装置包括:衬底层,所述衬底层包括第一侧及所述第一侧相对的第二侧;电极层,位于所述第一侧,位于所述衬底层上;形成连接部,位于所述第一侧,位于所述衬底层上,连接所述电极层;形成第二层,所述形成第二层包括:提供封装基底;连接所述第一层和所述第二层,所述封装基底位于所述第一侧,所述封装基底与所述电极层之间包括空腔;向位于所述衬底层第二侧上对应所述连接部的位置照射激光,用于在所述位置形成通孔。2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述连接部包括:连接盘,所述连接部的材料包括:铝。3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述激光的波长大于345纳米。4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征在于,所述衬底层包括:压电层,所述压电层的材料包括以下之一:钽酸锂、铌酸锂。5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置的封装方法,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩兴,周建,
申请(专利权)人:常州承芯半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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