声表面波滤波芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种声表面波滤波芯片封装结构，于声表面波滤波芯片内设置通孔，将线路层及导电凸块通过通孔背离芯片功能区设置，从而无需于封盖层上形成用于电性连接的孔槽等结构，降低了对封盖层的厚度及结构强度等性质的要求，使得能够选择高分子聚合物作为声表面波滤波芯片的封盖层，相较于金属、玻璃或晶圆盖板，高分子聚合物更薄，有利于封装结构小型化，且其成本更低，满足工业化需求。满足工业化需求。满足工业化需求。

【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波芯片封装结构


[0001]本技术涉及封装
，具体地涉及一种声表面波滤波芯片封装结构。

技术介绍

[0002]声表面波滤波器是移动通讯终端产品的重要部件，因声表面波滤波器产品性能和设计功能需求，需要于声表面波滤波芯片功能区上方覆盖盖板形成空腔结构，现有技术通常采用倒装焊技术或于盖板上设置贯通孔来实现焊球与芯片焊盘的电性连接。
[0003]然而上述的对封装结构对盖板的厚度及材质提出了一定要求，通常需要采用玻璃或晶圆基板来制作盖板，难以进一步降低封装结构的厚度，且材料及工艺成本高，工艺流程复杂。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种声表面波滤波芯片封装结构。
[0005]本技术提供一种声表面波滤波芯片封装结构，其包括声表面波滤波芯片，所述声表面波滤波芯片具有相对的芯片第一表面和芯片第二表面，所述芯片第一表面上形成有功能区和设于所述功能区周侧的焊盘，所述声表面波滤波芯片封装结构还包括封盖层，所述封盖层包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层覆于所述芯片第一表面上，其设有暴露所述功能区的镂空区，所述第二膜层覆于所述第一膜层上，其盖设于所述镂空区形成容置所述功能区的密闭空腔，且所述第一膜层和所述第二膜层至少有一层为高分子聚合物；
[0006]所述芯片第二表面上设有导电凸块和延伸至所述芯片第一表面的通孔，所述通孔内设有线路层，所述线路层延伸至所述芯片第二表面，将设于其上的导电凸块与所述焊盘电性连接。
[0007]作为本技术的进一步改进，所述第一膜层与所述第二膜层均为高分子聚合物。
[0008]作为本技术的进一步改进，所述封盖层的厚度范围为30～60μm。
[0009]作为本技术的进一步改进，所述第一膜层和所述第二膜层为环氧树脂膜层。
[0010]作为本技术的进一步改进，所述通孔为阶梯型通孔。
[0011]作为本技术的进一步改进，所述线路层上还覆盖有阻焊层，所述阻焊层上设有用以设置所述导电凸块的开口。
[0012]本技术的有益效果是：本技术于声表面波滤波芯片内设置通孔，将线路层及导电凸块通过通孔背离芯片功能区设置，从而无需于封盖层上形成用于电性连接的孔槽等结构，降低了对封盖层的厚度及结构强度等性质的要求，使得能够选择高分子聚合物作为声表面波滤波芯片的封盖层，相较于金属、玻璃或晶圆盖板，高分子聚合物更薄，有利于封装结构小型化，且其成本更低，满足工业化需求。
附图说明
[0013]图1是本技术一实施方式中的声表面波滤波芯片封装结构制造方法流程示意图。
[0014]图2至图8是本技术一实施方式中的声表面波滤波芯片封装结构制造方法各步骤示意图。
具体实施方式
[0015]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0016]下面详细描述本技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。
[0017]为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。
[0018]如图1所示，本技术提供一种声表面波滤波芯片1封装制造方法，包括步骤：
[0019]S1：如图2所示，提供声表面波滤波芯片1，其具有相对的芯片第一表面11和芯片第二表面12，于芯片第一表面11上设有功能区111和焊盘112。
[0020]功能区111包括压电材料基底和换能器等结构，用以实现声表面波滤波芯片1对声信号和电信号的传播及转换处理等功能，焊盘112设于功能区111周侧，与其电性耦合。
[0021]具体的，在本实施方式中，焊盘112环绕所述功能区111均匀对称分布。于其他实施方式中，也可根据芯片布线设计，调整焊盘112分布位置。
[0022]S2：如图3所示，在芯片第一表面11上贴附第一膜层21，并于第一膜层21上形成暴露功能区111的镂空区211。
[0023]于芯片第一表面11上旋涂胶层后，通过胶层将第一膜层21贴附于芯片第一表面11。
[0024]具体的，贴附第一膜层21后，对第一膜层21对应于功能区111的区域进行光刻，于第一膜层21上覆盖掩膜板，掩膜板形成有镂空区211的图形，曝光显影后去除掩膜板，形成镂空区211，镂空区211的面积大于功能区111，从而暴露出功能区111。
[0025]在本技术的其他实施方式中，也可通过其他诸如激光或接机械切割的方式，预先在第一膜层21上形成镂空区211之后，再将其贴附于芯片第一表面11上。
[0026]S3：如图4所示，在第一膜层21上贴附第二膜层22，第一膜层21和第二膜层22组成封盖层，第二膜层22盖设于镂空区211上方，形成容置功能区111的密闭空腔3，第一膜层21
和第二膜层22至少有一层为高分子聚合物。
[0027]于第一膜层21上表面旋涂胶层后，通过胶层将第二膜层22贴附于第一膜层21上表面，分步通过胶层贴附第一膜层21和第二膜层22来形成封盖层2，工艺方法简单便捷、易于实施。
[0028]优选的，在本实施方式中，第一膜层21与第二膜层22均为高分子聚合物，选择高分子聚合物来代替常规的金属围坝以及玻璃或晶圆盖板，可有效降低封盖层2的厚度，减小封装件的体积。
[0029]具体的，第一膜层21和第二膜层22的厚度之和范围为30～60μm，第一膜层21和第二膜层22为环氧树脂膜，环氧树脂膜满足声表面波滤波芯片1对气密性的要求的同时，其成本相较于金属、玻璃或晶圆盖板更加低廉。
[0030]需要说明的是，这里所述的第一膜层21和第二膜层22的厚度之和还包括两层胶层的厚度，这里将其共同归入膜层的厚度。
[0031]在本技术的另一些实施方式中，也可根据封装结构需要，调整第一膜层21或第二膜层22的材料，如先于声表面波滤波芯片1上生长一层金属层，刻蚀暴露出功能区111后覆盖一层高分子聚合物，或者先于声表面波滤波芯片1上贴附一层高分子聚合物，光刻暴露出功能区111后覆盖一层玻璃盖板等。
[0032]在本技术的另一些实施方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波芯片封装结构，其包括声表面波滤波芯片，所述声表面波滤波芯片具有相对的芯片第一表面和芯片第二表面，所述芯片第一表面上形成有功能区和设于所述功能区周侧的焊盘，其特征在于，所述声表面波滤波芯片封装结构还包括封盖层，所述封盖层包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层覆于所述芯片第一表面上，其设有暴露所述功能区的镂空区，所述第二膜层覆于所述第一膜层上，其盖设于所述镂空区形成容置所述功能区的密闭空腔，且所述第一膜层和所述第二膜层至少有一层为高分子聚合物；所述芯片第二表面上设有导电凸块和延伸至所述芯片第一表面的通孔，所述通孔底部以及侧壁设有线路层，所述线路层延伸至所述芯片第二表...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯厚，杨剑宏，王鑫琴，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：