【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】复合部件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求基于日本专利申请第2019
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117035号(申请日:2019年6月25日,专利技术的名称:“复合部件以及其制造方法”)的巴黎公约优先权。通过该引用将该申请公开的全部内容包含于本说明书中。
[0003]本专利技术涉及复合部件及其制造方法。
技术介绍
[0004]经由中介层(基板)将电子部件安装于母板。作为中介层,例如记载于2013Electronic Components&Technology Conference论文集(非专利文献1)的图7中。
[0005]非专利文献1:Larry Lin等人的“Reliability Characterization of Chip
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on
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Wafer
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Substrate(CoWoS)3D IC Integration Technology”,2013 Electronic ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种复合部件,其具备:中介层构造,其具备具有相互对置的第一主面和第二主面的硅基层、形成于所述第一主面上的再布线层、与该再布线层电连接并将所述硅基层内贯通的硅通孔、与所述第二主面对置的中介层电极、以及粘合层;和电子部件,其具有与所述硅通孔连接的部件电极,设置于所述中介层电极与所述硅基层之间,在所述复合部件中,所述电子部件将所述部件电极和形成有该部件电极的面经由所述粘合层粘合于所述硅基层的所述第二主面,所述硅通孔具有硅通孔主体部和延伸突出部,所述延伸突出部从所述第二主面延伸突出,将所述粘合层内贯通并且与所述部件电极电连接。2.根据权利要求1所述的复合部件,其中,从所述部件电极电连接至所述再布线层为止的导通布线仅由所述硅通孔构成。3.根据权利要求2所记载的复合部件,其中,所述导通布线的长度为3μm~46μm。4.根据权利要求1或者3所述的复合部件,其中,所述复合部件还具备将所述硅通孔与所述部件电极电连接的导电柱,从所述部件电极电连接至所述再布线层为止的导通布线由所述硅通孔和所述导电柱构成,所述导电柱由与构成所述硅通孔的导电性材料相同的导电性材料构成。5.根据权利要求1~4中的任一项所述的复合部件,其中,所述粘合层的厚度为26μm以下。6.根据权利要求1~5中的任一项所述的复合部件,其中,在复合部件的与层叠方向正交的平面中部件电极的截面形状为大致长方形,所述平面中的硅通孔的截面形状为大致圆形的情况下,所述硅通孔的直径φ满足以下的式(1)T(Si)+(T(A)-H(C))/3≤φ≤r
···
(1)[式(1)中,T(Si)表示硅基层的厚度,T(A)表示粘合层的厚度,H(C)表示部件电极的高度,r表示硅通孔与部件电极之间的界面中与部件电极的截面形状内切的圆的直径]。7.根据权利要求1~6中的任一...
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