【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤其涉及包含碳纳米管阵列的场发射 阴极的制造方法。
技术介绍
碳纳米管是九十年代初才发现的一种新型一维纳米材料，其具有优良的综合力 学性能，如高弹性模量、高杨氏模量和低密度，以及优异的电学性能、热学性能和 吸附性能。随着碳纳米管螺旋方式的变化，碳纳米管可呈现出金属性或半导体性质。 由于碳纳米管具有理想的一维结构以及在力学、电学、热学等领域优良的性质，其 在材料科学、化学、物理学等交叉学科领域已展现出广阔的应用前景，而形成在导 电基底上的碳纳米管阵列因其中的碳纳米管排列整齐有序，更广泛应用在场发射显 示技术中以作为场发射显示装置的场发射阴极。目前形成包含碳纳米管的主要包括提供一个硅或二氧 化硅基底；在基底上形成导电电极；在导电电极上形成催化剂层；将基底放置在空 气中，300°C~500°C下热处理10分钟~12小时，催化剂层经退火后形成氧化颗 粒；将基底放置在反应装置中，通入保护气体，在保护气体的保护下加热至400°C ~ 750°C;以及，通入碳源气与保护气体的混合气体，加热至400。O 750。C反应0.5 分钟~ 2小时生长出碳纳米管阵列...
【技术保护点】
一种场发射阴极的制造方法，包括：提供在基底上生长的碳纳米管阵列；配置聚甲基丙烯酸甲酯半聚合溶液；将制成的半聚合溶液倒入装有碳纳米管阵列的容器内，放置３０分钟以上使该半聚合溶液充分填充碳纳米管阵列的间隙；将覆盖有聚甲基丙烯酸甲酯的碳纳米管阵列固定在旋转台上，以每分钟２００～６００转的速度使旋转台旋转，在离心力的作用下去除覆盖在碳纳米管阵列上端部的聚甲基丙烯酸甲酯聚合材料，从而使碳纳米管阵列的上端部伸出聚甲基丙烯酸甲酯的上表面以形成初步聚合的薄膜；将初步聚合的薄膜加热至５０℃～６０℃继续聚合１小时～４小时，然后加热至９０℃～１００℃形成完全聚合的碳纳米管－聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；...
【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极的制造方法，包括提供在基底上生长的碳纳米管阵列；配置聚甲基丙烯酸甲酯半聚合溶液；将制成的半聚合溶液倒入装有碳纳米管阵列的容器内，放置30分钟以上使该半聚合溶液充分填充碳纳米管阵列的间隙；将覆盖有聚甲基丙烯酸甲酯的碳纳米管阵列固定在旋转台上，以每分钟200～600转的速度使旋转台旋转，在离心力的作用下去除覆盖在碳纳米管阵列上端部的聚甲基丙烯酸甲酯聚合材料，从而使碳纳米管阵列的上端部伸出聚甲基丙烯酸甲酯的上表面以形成初步聚合的薄膜；将初步聚合的薄膜加热至50℃～60℃继续聚合1小时～4小时，然后加热至90℃～100℃形成完全聚合的碳纳米管-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；以及将完全聚合的薄膜于水中浸泡约5分钟以上，碳纳米管-聚甲基丙烯酸甲酯薄膜从基底上脱落，将薄膜放置在导电电极上从而形成场发射阴极。2. 如权利要求1所述的场发射阴极的制造方法，其特征在于，所述的配置聚 甲基丙烯酸甲酯半聚合溶液的方法包括将95%~100%作为主体的甲基丙烯酸甲酯、0.02%~1%作为引发剂的偶氮二 异丁睛和0% ~ 5%作为增塑剂的邻苯二甲酸二丁脂混合；在80°C ~ 100°C水浴条件下搅拌5分钟~ 30分钟至甲基丙烯酸曱酯聚合使液 体呈甘油状；以及冷却溶液使反应停止。3. 如权利要求2所述的场发射阴极的制造方法，其特征在于，所述的碳纳米 管阵列的高度为10微米~ 1000微米。...
【专利技术属性】
技术研发人员：张丘岑，宋鹏程，刘长洪，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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