【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微型场发射电子器件，尤其涉及一种工作在大气压惰性 气体环境下的纳米级微型场发射电子器件。
技术介绍
现代计算机的专利技术是从电子管开始的，早期的二极管、三极管都是用真空电子管实现，世界上第一台电子计算机即用约18000个真空电子管制造出 来。1947年，贝尔实验室专利技术了晶体管，由于晶体管具有能耗低、易于微型 化和集成化、适于大规模制造且成本低廉等优点，它在绝大多数应用场合迅 速取代了真空电子管，并且使得微处理器的出现和计算机的大规模普及成为 可能。然而，在某些特殊的场合，真空电子管仍然具有晶体管不可替代的优 势，如极高频率、动态范围大、抗反向击穿、大功率，以及能够在高温、高 辐射场合下工作的特性。真空电子管的优点具体体现为其一，场发射电子 在IO伏特的真空加速电压下的运动速度约为1.87xl()Scm/s，比单晶硅中电子 的漂移速率1.5xlO cm/s(10 /cm电场)大一个数量级，只要电子管的阴-阳极间距足够小(如100nm),就可做成开关速度远快于晶体管的元器件； 其次，温度对半导体器件的性能影响很大，传统的硅基半导体工作温度一般 ...
【技术保护点】
一种微型场发射电子器件，其包括：一基底；一第一绝缘层与一第二绝缘层相隔一定距离设置于基底上；一阴极电极层与一阳极电极层分别设置于第一绝缘层与第二绝缘层上，该阴极电极层具有一场发射端正对该阳极电极层，其特征在于，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式：ｈ＜＊↓［ｅ］，其中，ｈ为阴极电极层的场发射端与阳极电极层之间的间距；＊↓［ｅ］为电子在惰性气体环境中的自由程。
【技术特征摘要】
1.一种微型场发射电子器件，其包括一基底；一第一绝缘层与一第二绝缘层相隔一定距离设置于基底上；一阴极电极层与一阳极电极层分别设置于第一绝缘层与第二绝缘层上，该阴极电极层具有一场发射端正对该阳极电极层，其特征在于，该微型场发射电子器件内密封有惰性气体，且满足条件式<math-cwu><![CDATA[<math> <mrow><mi>h</mi><mo><</mo><mover> <msub><mi>λ</mi><mi>e</mi> </msub> <mo>‾</mo></mover><mo>,</mo> </mrow></math>]]></math-cwu><!--img id=icf0001 file=A2006100617070002C1.gif wi=49 he=20 img-content=drawing img-format=tif/-->其中，h为阴极电极层的场发射端与阳极电极层之间的间距；为电子在惰性气体环境中的自由程。2. 如权利要求l所述的微型场发射电子器件，其特征在于，进一步包括一第 三绝缘层间隔设置于第 一绝缘层于第二绝缘层之间， 一栅极电极层设置于 该第三绝缘层...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈丕瑾，胡昭复，刘亮，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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