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一种场发射阴极的制造方法，包括：提供在基底上生长的碳纳米管阵列；配置聚甲基丙烯酸甲酯半聚合溶液；将半聚合溶液倒入装有碳纳米管阵列的容器内，放置３０分钟以上；将容器固定在转速为每分钟２００～６００转的旋转台上旋转，去除覆盖在碳纳米管阵列上端部...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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