【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体显示面板的配置,更具体而言,涉及可以降低地址放电电压并且可以防止电压的分散(dispersion)的等离子体显示面板的 配置。
技术介绍
表面放电型AC等离子体显示器(下文称之为PDP) —般通过在彼此 面对的两块玻璃基板之间密封放电气体来形成放电空间。这两块玻璃基板 中的一块玻璃基板一侧(下文称之为前基板)和在行方向上延伸的多个行 电极对被并行形成在列方向上,并且这多个行电极对被介电层所覆盖。在两块玻璃基板中的另一块玻璃基板一侧(下文称之为后基板)」二, 在列方向上延伸的多个列电极被并行形成在行方向上。并且在面对行电极 对和列电极相交叉的放电空间中的部分的区域中,形成有具有红、绿和蓝 荧光层的放电单元(discharge cell),并且这些放电单元以矩阵形式被布 置在面板表面上。对于密封在两块玻璃基板之间的放电气体,例如使用包含容积比 (volumeratio)为1到10%的氤气的放电气体。在具有该结构的PDP中,在形成行电极对的一对行电极中的一个行电 极和列电极之间有选择地生成地址放电,并且选择发射单元(在相对部分 的介电层中形成有壁电荷的放电单元)或非发射单元(擦除了相对部分的 介电层中的壁电荷的放电单元)。这样,发射单元和非发射单元被分布在 与视频信号的图像数据相对应的面板表面上。当维持脉冲(sustain pulse)被交替应用到构成每个行电极对的行电极 时,在发射单元中生成维持放电,并且通过该维持放电,从放电空间中的 放电气体中的氙气生成真空紫外线。利用生成的真空紫外线,每个发射单元中的红、绿和蓝荧光层被激励,并且生成 ...
【技术保护点】
一种等离子体显示面板,包括:彼此面对的一对基板,其间具有至少一个放电空间;在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极对,其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的;形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层;以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在所述基板对中的另一基板上的多个列电极,单元发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中,并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中,其中所述行电极对中的至少一个电极在列方向上的宽度被设置为150μm或更小,所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大,并且所述行电极对中扫描脉冲被应用到的那个行电极的宽度比所述对中另一行电极的宽度要大。
【技术特征摘要】
JP 2006-7-18 2006-1955661.一种等离子体显示面板,包括彼此面对的一对基板,其间具有至少一个放电空间;在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电极对,其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成的;形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层;以及在列方向上延伸并且在行方向上被形成在所述基板对中的另一基板上的多个列电极,单元发射区域被形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中,并且包含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中,其中所述行电极对中的至少一个电极在列方向上的宽度被设置为150μm或更小,所述放电气体中的氙气的分压被设置为6.67kPa或更大,并且所述行电极对中扫描脉冲被应用到的那个行电极的宽度比所述对中另一行电极的宽度要大。2. 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中所述行电极对中的每 个行电极包括透明电极和金属总线电极,所述透明电极在列方向上具有 预定宽度并且经由放电间隙而面对另一行电极,所述金属总线电极在列方 向上具有比所述透明电极更小的宽度并且与所述透明电极电连接。3. 如权利要求1所述的等离子体显示面板,其中在所述基板对之间基 本以格子形状形成有阻挡层,所述格子形状的阻挡层是通过所述阻挡层中 在行方向上平行延伸的多个行阻挡层和所述阻挡层中在列方向上平行延伸 的多个列阻挡层形成的,并且放电空间通过所述阻挡层被划分成单独的单 元发射区域,并且所述行电极被布置在面对分别通过所述阻挡层的划分而 获得的所述单元发射区域的位置上。4. 一种等离子体显示面板,包括彼此面对的一对基板,其间具有至少一个放电空间;在行方向上延伸并被形成在所述基板之一上的多个行电 极对,其中每一对分别是由经由放电间隙而彼此面对的所述行电极形成 的;形成在所述基板上并且覆盖所述行电极对的介电层;以及在列方向上 延伸并且在行方向上被形成在另一基板上的多个列电极,单元发射区域被 形成在所述列电极和行电极对相交叉的每一部分处的放电空间中,并且包 含氙气的放电气体被密封在所述放电空间中,其中 所述介电层包括薄膜部分和厚膜部分,并且所述介电层的所述薄膜部分被形成在所述行电极对中的至少- 个行电极上并且是在列方向上的宽度为150/mi或更小的区域,并且在所述行电极对中的另一行电极上形成有这样的薄膜,其在列方向上的宽度比在列方向上的宽度被设置为150/mi或更小的所述薄膜的宽度要大,并且 所述放电气体中...
【专利技术属性】
技术研发人员:四户耕治,秋山利幸,山田高士,野口康幸,
申请(专利权)人:株式会社下一代PDP研发中心,富士通株式会社,日本先锋公司,松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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