【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子体显示器面板等的制造中所使用的热处理装置,特别涉 及用辊道传送玻璃基板、同时进行热处理的热处理装置。
技术介绍
等离子体显示器装置由于向37英寸 103英寸等的大型化发展,同时价格 持续下降,因此正迅速普及。将等离子体显示器装置的等离子体显示器面板构 成为对2块平板状的玻璃基板有规则地配置电极,同时在相邻的电极间设置隔 板,并在两玻璃基板(称为前面板及背面板)之间形成利用隔板分离的多个放电 单元,封入以氖为主要成分的气体,并且通过控制对各放电单元施加的电压, 来有选择性地进行放电和发光。制造这样的等离子体显示器面板,需要在各玻璃基板上形成隔板、介质、 引线、电极、荧光体、电阻体等,这些主要是通过光刻形成厚膜图形及在这之 后的热处理来形成。例如,为了形成隔板,在基板整个面上涂布糊状的隔板材料,使其干燥, 在其上用感光胶通过平板印刷技术形成隔板图形的掩膜,通过该掩膜进行喷 砂,有选择性地除去隔板材料后,进行烧成。另外,为了形成阴极电极,在基 板上印刷对金属粉末加入玻璃粉末及粘结剂及溶剂的糊状材料,使其干燥,进 行烧成。根据面板结构及形成构件,反复 ...
【技术保护点】
一种热处理装置,该热处理装置的热处理室在内部具有将玻璃基板放置在正上面来进行传送的多个传送辊道,并将多个所述热处理室沿所述玻璃基板的传送方向连接,并且将在传送的玻璃基板的上面形成的热处理对象物进行热处理,其特征在于,作为传送辊道,使用在所述热处理的温度范围内维克斯硬度随着温度上升而增大的第一传送辊道、以及维克斯硬度随着温度上升而减小的第二传送辊道,并且在对所述玻璃基板的热处理温度进行设定的各热处理室中,选择所述第一传送辊道或所述第二传送辊道的任一种传送辊道进行排列,使得与该设定温度下的所述玻璃基板的维克斯硬度的硬度差较小。
【技术特征摘要】
JP 2007-3-1 2007-0508801.一种热处理装置,该热处理装置的热处理室在内部具有将玻璃基板放置在正上面来进行传送的多个传送辊道,并将多个所述热处理室沿所述玻璃基板的传送方向连接,并且将在传送的玻璃基板的上面形成的热处理对象物进行热处理,其特征在于,作为传送辊道,使用在所述热处理的温度范围内维克斯硬度随着温度上升而增大的第一传送辊道、以及维克斯硬度随着温度上升而减小的第二传送辊道,并且在对所述玻璃基板的热处理温度进行设定的各热处理室中,选择所述第一传送辊道或所述第二传送辊道的任一种传送辊道进行排列,使得与该设定温度下的所述玻璃基板的维克斯硬度的硬度差较小。2. 如权利要求1所述的热处理装置,其特征在于,第一传送辊道设置于设定温度不到250。C的热处理室,不到25(TC的温度 范围内的维克斯硬度是以...
【专利技术属性】
技术研发人员:植松克仁,森田真登,西木直巳,桐原信幸,石尾博明,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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