【技术实现步骤摘要】
本专利技术为等离子显示装置相关专利技术,更具体地说是等离子显示装置配备的 基板中电极结构相关专利技术。技术背景通常,等离子显示板中,形成在上部基板和下部基板之间的障壁形成一个 单位串,各串内充入了氖(Ne),氦(He)或氖及氦的混合气体(Ne+He)等主放电气 体和包含少量氙的惰性气体。通过高频电压发生放电时,惰性气体产生真空紫 外线(Vacu //m Ultravioletrays),使形成在障壁之间的荧光体发光而体现图像。 这种等离子显示板可以形成轻薄的结构,因此作为第二代显示装置备受瞩目。 如果是一般等离子显示板,则上部基板上形成了扫描电极及维持电极,上述扫 描电极及维持电极为了确保基板的开口率,具有层压由高价的ITO(Indi TinOxide)组成的透明电极和总线电极的结构。最近着眼于制造,降低制造费用 的同时,能够确保用户观看时充分的视觉特性及驱动特性的等离子显示板。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供等离子显示装置配备的基板中,去除由IT0组成 的透明电极,降低基板的制造成本的同时,能够改善的同时改善显示影像亮度 的等离子显示装置。解决上述 ...
【技术保护点】
一种等离子显示装置,其特征是,包括上部基板;形成在上述上部基板的第1电极及第2电极;与上述上部基板对置配置的下部基板;及形成在上述下部基板上的第3电极的等离子显示装置中,以上述第1电极为单层,包括形成在与上述第3电极交叉的方向上的第1,2电极线;及上述第1,2电极线当中,沿着邻接放电串中心的上述第1电极线凸出到上述放电串的中心方向的凸出电极,形成在上述上部基板的黑色矩阵的宽度,比在上述下部基板上与上述第3电极交叉的横向障壁的障壁度更小。
【技术特征摘要】
KR 2007-11-15 10-2007-01166831、一种等离子显示装置,其特征是,包括上部基板;形成在上述上部基板的第1电极及第2电极;与上述上部基板对置配置的下部基板;及形成在上述下部基板上的第3电极的等离子显示装置中,以上述第1电极为单层,包括形成在与上述第3电极交叉的方向上的第1,2电极线;及上述第1,2电极线当中,沿着邻接放电串中心的上述第1电极线凸出到上述放电串的中心方向的凸出电极,形成在上述上部基板的黑色矩阵的宽度,比在上述下部基板上与上述第3电极交叉的横向障壁的障壁度更小。2、 根据权利要求1所述的等离子显示装置,其特征是,以上述黑色矩阵与 上述横向障壁重叠。3、 根据权利要求1所述的等离子显示装置,其特征是,上述黑色矩阵的宽 度为上述横...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪相玟,
申请(专利权)人:乐金电子南京等离子有限公司,
类型:发明
国别省市:84[中国|南京]
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