可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列制造技术

本发明专利技术公开一种可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列，其存储单元阵列中的存储单元包括：一阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一栅极结构与一存储结构。第一掺杂区与第二掺杂区形成于阱区。第一栅极结构覆盖于第一掺杂区与第二掺杂区之间的一第一表面。存储结构形成于一第二表面上，且第二表面位于第一表面与第二掺杂区域之间。存储结构覆盖于部分的第一栅极结构、第二表面与一隔离结构。第二表面与一隔离结构。第二表面与一隔离结构。

【技术实现步骤摘要】
可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列


[0001]本专利技术涉及一种非挥发性存储器(non
‑
volatile memory)的存储单元阵列，且特别是涉及一种可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列。

技术介绍

[0002]请参照图1A至图1C，其为现有可编程可抹除的非挥发性存储器的存储单元(memory cell)。该可编程可抹除的非挥发性存储器的存储单元揭露于美国专利US8,941,167。
[0003]图1A为现有非挥发性存储器的上视图；图1B为现有非挥发性存储器的第一方向(a1
‑
a2方向)剖视图；图1C为现有非挥发性存储器的第二方向(b1
‑
b2方向)剖视图。
[0004]由图1A与图1B可知，现有非挥发性存储器的存储单元中包括二个串接的p型晶体管制作于一N型阱区(NW)。在N型阱区NW中包括三个p型掺杂区31、32、33，在三个p型掺杂区31、32、33之间的表面上方包括二个由多晶硅(polysilicon)所组成的栅极34、36。
[0005]第一p型晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列，包括多个存储单元，且该些存储单元中的第一存储单元包括：阱区；第一掺杂区与第二掺杂区，形成于该阱区，其中该第一掺杂区连接至第一源极线，该第二掺杂区连接至第一位线；第一栅极结构，形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的第一表面上，且该第一栅极结构连接至第一字符线；以及第一存储结构，形成于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的第二表面上，且该第二表面位于该第一表面与该第二掺杂区之间；其中，该第一存储结构的第一部分形成于部分的该第一栅极结构上，该第一存储结构的第二部分接触于该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的该第二表面，该第一存储结构的第三部分形成于隔离结构上。2.如权利要求1所述的存储单元阵列，还包括第二栅极结构，形成于该隔离结构的表面，且该第二栅极结构连接至抹除线；其中，该第一存储结构的第四部分形成于该第二栅极结构的第一部分上。3.如权利要求2所述的存储单元阵列，其中该些存储单元中的第二存储单元包括：第三掺杂区与第四掺杂区，形成于该阱区，其中该第三掺杂区连接至第二源极线，该第四掺杂区连接至第二位线；该第一栅极结构，覆盖于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的第三表面；第二存储结构，覆盖于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的第四表面，且该第四表面位于该第三表面与该第四掺杂区之间；该第二栅极结构，位于该隔离结构的表面；其中，该第二存储结构的第一部分形成于部分的该第一栅极结构上，该第二存储结构的第二部分接触于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该第四表面，该第二存储结构的第三部分形成于该隔离结构上，且该第二存储结构的第四部分形成于该第二栅极结构的第二部分上。4.如权利要求1所述的存储单元阵列，其中该第一存储结构包括阻断层与电荷存储层，该阻断层覆盖于部分的该第一栅极结构、该第二表面、与部分的该隔离结构，且该电荷存储层覆盖于该阻断层。5.如权利要求1所述的存储单元阵列，其中该第一栅极结构包括第一栅极氧化层、第一栅极层与第一侧壁绝缘层，该第一栅极氧化层覆盖于该第一表面，该第一栅极层覆盖于该第一栅极氧化层，该第一侧壁绝缘层围绕该第一栅极氧化层与该第一栅极层，该第一字符线接触于该第一栅极层。6.如权利要求2所述的存储单元阵列，其中该第一存储结构包括阻断层与电荷存储层，该阻断层覆盖于部分的该第一栅极结构、该第二表面、部分的该隔离结构、与该第二栅极结构的该第一部分，且该电荷存储层覆盖于该阻断层。7.如权利要求6所述的存储单元阵列，其中该第一栅极结构包括第一栅极氧化层、第一栅极层与第一侧壁绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：许家荣，孙文堂，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：