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本发明公开一种可编程的非挥发性存储器的存储单元阵列，其存储单元阵列中的存储单元包括：一阱区、一第一掺杂区、一第二掺杂区、一第一栅极结构与一存储结构。第一掺杂区与第二掺杂区形成于阱区。第一栅极结构覆盖于第一掺杂区与第二掺杂区之间的一第一表面。...
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