电子器件及其制造方法技术

技术编号:31455816 阅读:19 留言:0更新日期:2021-12-18 11:21
本申请公开了电子器件及其制造方法。电子器件包括半导体存储器,半导体存储器包括:衬底,其包括单元区域、设置在单元区域两侧的第一外围电路区域和第二外围电路区域;第一线路,其延伸穿越单元区域和第一外围电路区域;第二线路,其设置在第一线路之上并且延伸穿越单元区域和第二外围电路区域;接触插塞,其在第二外围电路区域中并且连接到第二线路;第三线路,其设置在第二线路之上并且分别与第二线路交叠;以及第一存储单元,其设置在单元区域中并且位于第一线路和第二线路的相交处在第一线路和第二线路之间,其中第三线路的位于单元区域中并且在接触插塞之上的部分接触第二线路,并且第三线路的部分剩余部分与第二线路隔开。隔开。隔开。

【技术实现步骤摘要】
电子器件及其制造方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月12日提交的韩国申请第10

2020

0071434号的优先权,其整体内容通过引用合并于此。


[0003]本专利文件涉及存储器电路或器件以及它们在电子器件或系统中的应用。

技术介绍

[0004]近来,随着电子设备趋向于微型化、低功耗、高性能、以及多功能等,目前本领域中需要能够在诸如计算机、以及便携式通信装置等的各种电子设备中存储信息的半导体器件,并且已进行了关于所述半导体器件的研究。这些半导体器件包括能够使用它们根据所施加的电压或电流在不同的阻抗状态之间切换的特性来存储数据的半导体器件,例如,电阻随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)、电子熔丝(E

fuse)等。

技术实现思路

[0005]本专利文件中的公开技术包括能够改善半导体存储器的操作特性并且简化工艺的电子器件及其制造方法的各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子器件,包括半导体存储器,所述半导体存储器包括:衬底,其包括单元区域、在第一方向上设置在所述单元区域的第一侧的第一外围电路区域和在与所述第一方向交叉的第二方向上设置在所述单元区域的第二侧的第二外围电路区域;多个第一线路,其设置在所述衬底之上并且在所述第一方向上延伸穿越所述单元区域和所述第一外围电路区域;多个第二线路,其设置在所述第一线路之上并且在所述第二方向上延伸穿越所述单元区域和所述第二外围电路区域;接触插塞,其设置在所述第二外围电路区域中并且具有耦接到所述第二线路的上表面;多个第三线路,其设置在所述第二线路之上并且分别与所述第二线路交叠;多个第四线路,其设置在所述第三线路之上并且分别与所述第一线路交叠;多个第一存储单元,其设置在所述单元区域中并且位于所述第一线路和所述第二线路的相交处在所述第一线路和所述第二线路之间;以及多个第二存储单元,其设置在所述单元区域中并且位于所述第三线路和所述第四线路的相交处在所述第三线路和所述第四线路之间,其中,所述第三线路的位于所述单元区域中的第一部分以及所述第三线路的位于所述接触插塞之上的第二部分接触所述第二线路,以及所述第三线路的剩余部分的至少部分与所述第二线路隔开。2.如权利要求1所述的电子器件,其中,所述第二线路与所述第三线路的剩余部分的所述至少部分之间的空间填充有绝缘材料。3.如权利要求1所述的电子器件,其中,所述接触插塞的上表面的高度等于或高于所述第一存储单元的上表面的高度。4.如权利要求3所述的电子器件,其中,所述半导体存储器还包括:层间绝缘层,其设置在所述第二线路之下,以及其中,所述层间绝缘层的在所述第二外围电路区域中的部分包括凹入部分,所述凹入部分低于所述第一存储单元的上表面和所述接触插塞的上表面。5.如权利要求4所述的电子器件,其中,所述单元区域中的所述层间绝缘层具有与所述第一存储单元的上表面实质上共面的上表面。6.如权利要求4所述的电子器件,其中,所述凹入部分的高度随着距所述单元区域的距离在第一距离上增大而减小并且随着距所述单元区域的距离在第二距离上增大而增大。7.如权利要求4所述的电子器件,其中,所述第二线路沿所述第一存储单元的上表面、所述接触插塞的上表面和所述层间绝缘层的上表面形成。8.如权利要求7所述的电子器件,其中,所述第二线路在所述凹入部分之上具有凹入的下表面和凹入的上表面。9.如权利要求8所述的电子器件,其中,所述半导体存储器还包括:绝缘材料,其设置在所述第二线路的凹入的上表面之上,所述绝缘材料具有高度与所述单元区域中的所述第二线路的上表面实质上相同的上表面。10.如权利要求9所述的电子器件,其中,所述第三线路的下表面接触所述单元区域中
的所述第二线路的上表面、所述绝缘材料的上表面和所述接触插塞之上的所述第二线路的上表面。11.如权利要求1所述的电子器件,其中,除了所述第三线路的剩余部分的所述至少部分之外,所述第三线路具有平坦的下表面。12.如权利要求1所述的电子器件,其中,所述第三线路在所述单元区域和所述第二外围电路区域中具有平坦的下表面。13.如权利要求1所述的电子器件,其中,所述第三线路在所述单元区域和所述第二外围电路区域中具有平坦的上表面。14.如权利要求4所述的电子器件,其中,所述层间绝缘层包括:单元绝缘层,其填充在所述单元区域中的所述第一存储单元之间;以及外围电路绝缘层,其填充在所述第二外围电路区域中,其中,所述单元绝缘层的热导率低于所述外围电路绝缘层的热导率。15.如权利要求14所述的电子器件,其中,所述第一存储单元包括相变材料。16.如权利要求1所述的电子器件,还包括微处理器,所述微处理器包括:控制部,其被配置成从所述微处理器外部接收包括命令的信号,以及执行所述命令的提取、解码或者控制所述微处理器的信号的输入或输出;运算部,其被配置成基于所述控制部对所述命令解码的结果来执行运算;以及存储部,其被配置成存储:用于执行所述运算的数据、与执行所述运算的结果对应的数据、或者被执行所述运算的数据的地址,其中,所述半导体存储器是所述微处理器中的存储部的部分。17.如权利要求1所述的电子器件,还包括处理器,所述处理器包括:核心部,其被配置成:基于从所述处理器的外部输入的命令,通过使用数据来执行与所述命令对应的操作;缓存存储部,其被配置成存储:用于执行所述操作的数据、与执行所述操作的结果对应的数据、或者被执行所述操作的数据的地址;以及总线接口,其连接在所述核心部和所述缓存存储部之间,并且被配置成在所述核心部和所述缓存存储部之间传送数据,其中,所述半导体存储器是所述处理器中的缓存存储部的部分。18.如权利要求1所述的电子器件,还包括处理系统,所述处理系统包括:处理器,其被配置成对所述处理器接收到的命令解码以及基于对所述命令解码的结果来控制对信息的操作;辅助存储器件,其被配置成存储用于对所述命令解码的程序和所述信息;主存储器件,其被配置成从所述辅助存储器件调用和存储所述程序和所述信息,使得所述处理器在执行所述程序时使用所述程序和所述信息执行所述操作;以及接口器件,其被配置成执行所述处理器、所述辅助存储器件和所述主存储器件中的至少一种与外部之间的通信,其中,所述半导体存储器是所述处理系统中的所述辅助存储器件或所述主存储器件的部分。19.如权利要求1所述的电子器件,还包括存储系统,所述存储系统包括:
存...

【专利技术属性】
技术研发人员:金晃衍
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:

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