一种磁阻式随机存取存储器制造技术

本发明专利技术公开一种磁阻式随机存取存储器，其主要包含第一晶体管以及第二晶体管设于基底上、一源极线偶接该第一晶体管的第一源极/漏极区域以及一第一金属内连线偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域，其中第一金属内连线延伸并重叠第一晶体管及第二晶体管，且第一金属内连线包含第一端偶接第一晶体管的第二源极/漏极区域以及第二端偶接一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。junction,MTJ)。junction,MTJ)。

【技术实现步骤摘要】
一种磁阻式随机存取存储器


[0001]本专利技术涉及一种磁阻式随机存取存储器的布局图案。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropic magnetoresistance,AMR)感测元件、巨磁阻(GMR)感测元件、磁隧穿结(m本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包含：第一晶体管以及第二晶体管，设于基底上；源极线，偶接该第一晶体管的第一源极/漏极区域；以及第一金属内连线，偶接该第一晶体管的第二源极/漏极区域，其中该第一金属内连线延伸并重叠该第二晶体管。2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一金属内连线重叠该第一晶体管及该第二晶体管。3.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第二晶体管包含：第三源极/漏极区域；以及第四源极/漏极区域，其中该第一金属内连线重叠该第一晶体管的该第二源极/漏极区域以及该第二晶体管的该第三源极/漏极区域。4.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一金属内连线包含：第一端，偶接该第一晶体管的该第二源极/漏极区域；以及第二端，偶接一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction,MTJ)。5.如权利要求4所述的磁阻式随机存取存储器，其中该磁性隧穿结重叠该第二晶体管的该第三源极/漏极区域。6.如权利要求4所述的磁阻式随机存取存储器，其中该磁性隧穿结包含：自由层，偶接该第一金属内连线；阻障层；以及固定层，偶接一位线。7.如权利要求6所述的磁阻式随机存取存储器，另包含第二金属内连线，偶接该磁性隧穿结的该固定层以及该位线。8.如权利要求7所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第二金属内连线重叠该第二晶体管的该第三源极/漏极区域。9.一种磁阻式随机存取存储器，其特征在于，包含：栅极结构，沿着第一方向延伸于基底上；第一掺杂区以及第二掺杂区，沿着第二方向延伸于该栅极结构两侧；第一源极/漏极区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国兴，薛胜元，叶德炜，吴建良，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：