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电子器件及其制造方法技术
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文档序号:31455816
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本申请公开了电子器件及其制造方法。电子器件包括半导体存储器,半导体存储器包括:衬底,其包括单元区域、设置在单元区域两侧的第一外围电路区域和第二外围电路区域;第一线路,其延伸穿越单元区域和第一外围电路区域;第二线路,其设置在第一线路之上并且延...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。
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