多重图形化的光刻顺序的确定方法技术

本发明专利技术提供了一种多重图形化的光刻顺序的确定方法。该方法中，基于所获得至少两个掩膜版中掩模图形的工艺窗口的大小排布顺序，以进一步根据工艺窗口的大小排布顺序而确定出所对应的掩模版的光刻顺序。通过将工艺窗口较大的掩模图形所对应的掩模版优先执行光刻步骤，并将工艺窗口较小的掩模图形所对应的掩模版靠后执行光刻步骤，以提高最终形成的图形的良率，增大多重图形化工艺的整体工艺窗口。增大多重图形化工艺的整体工艺窗口。增大多重图形化工艺的整体工艺窗口。

【技术实现步骤摘要】
多重图形化的光刻顺序的确定方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种多重图形化的光刻顺序的确定方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路技术的不断发展，电路制作技术的关键尺寸也越来越小，正是由于关键尺寸的不断缩减，电路的排布密度也逐步增加，从而使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。然而，这也导致了半导体制造的工艺窗口越来越小，甚至难以满足密集图形所需要的分辨率。
[0003]以光刻工艺为例，为了制备出特定图形，传统光刻工艺通常是采用掩模版以单次光刻的形式形成该特定图形。然而，随着图形密度的不断提高，单次光刻并不能满足密集图形所需要的分辨率。为了解决分辨率不足的问题，业界提出了采用双重图形化工艺，该双重图形化工艺具体是将需要制备的特定图形以两次光刻过程叠加形成。如此，即可提高密集图形的分辨率，并有利于进一步提高图形的排布密度。
[0004]然而，随着半导体技术的不断发展，双重图形的成形技术也仍然会达到其工艺限制，进一步优化的难度也更大。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多重图形化的光刻顺序的确定方法，其特征在于，包括：提供一掩模版组合，所述掩模版组合包括至少两个掩模版，获得所述至少两个掩模版中的掩模图形的工艺窗口的大小排布顺序；以及，根据工艺窗口由大到小的顺序，确定所述至少两个掩模版的光刻顺序。2.如权利要求1所述的多重图形化的光刻顺序的确定方法，其特征在于，获得所述至少两个掩模版中的掩模图形的工艺窗口的大小排布顺序的方法包括：评估各个掩模版中的掩模图形所对应的工艺窗口，并比对所述至少两个掩模版中的掩模图形所对应的工艺窗口。3.如权利要求2所述的多重图形化的光刻顺序的确定方法，其特征在于，评估掩模版中的掩模图形所对应的工艺窗口的方法包括：利用掩模版在多个不同的光刻参数下执行光刻工艺，并通过刻蚀工艺以得到多组测试图形，检测所述多组测试图形，以得到符合规格的测试图形所对应的参数范围。4.如权利要求2所述的多重图形化的光刻顺序的确定方法，其特征在于，评估掩模版中的掩模图形所对应的工艺窗口的方法包括：利用掩模版执行光刻工艺，并在多个不同的刻蚀参数下执行刻蚀工艺，以得到多组测试图形，对所述测试图形进行图形检查，以得到符合规格的测试图形所对应的参数范围。5.如权利要求3或4所述的多重图形化的光刻顺序的确定方法，其特征在于，根据工艺窗口由大到小的顺序为：根据参数范围由大到小的顺序。6.如权利要求3或4所述的多重图形化的光刻顺序的确定方法，其特征在于，对所述测试图形进行图形检查，以得到符合规格的测试图形所对应的参数范围的方法包括：判断测试图形中的是否存在线条短接或者线条缺口，符合规格的参数范围介于产生短接所对应的临界参数和产生缺口所对应的临界参数之间。7.如权利要求1所述的多重...

【专利技术属性】
技术研发人员：王嘉鸿，童宇诚，夏忠平，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：