【技术实现步骤摘要】
光刻多余图形的检测方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种光刻多余图形的检测方法。
技术介绍
[0002]半导体生产中的光刻机有多种类型，其中一类是步进式投影光刻机，曝光光源8发出光穿过掩模版挡板7将光刻版5图形重复曝光到圆形硅片4上；光刻版5也称掩模版。
[0003]图1是光刻版5设计图形：有效管芯101和划片槽102组成了管芯区域1，这是需要曝光在圆片上形成重复结构的图形区域；有效管芯101是最终做成的芯片，划片槽102放置一些辅助图形，用于在生产过程中监控跟踪芯片生产工艺，最后在封装芯片时沿划片槽102切割出各个独立的芯片。
[0004]图2是光刻机简单示意图，步进式投影光刻机挡住部分入射光线，光刻机仅曝光管芯区域1，步进光刻机在圆片上重复曝光光刻版5管芯区域1，形成图3曝光图形；图3是圆片图形，每个虚实线分割的四边形区域就是一组管芯和划片槽102组成的重复图形；光刻机光源和镜头是由许多光学镜片组成的复杂结构，光刻机长期使用后，光路系统恶化，光刻机镜头6部分位置发生漫反射，导致光刻版...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.光刻多余图形的检测方法，其特征在于，检测方法步骤包括：步骤1：光刻机在涂布有光刻胶的硅片上曝光管芯区域，设定硅片上的光刻版曝光区域为完整的管芯区域；控制光刻机工作台使硅片沿X方向和Y方向歩进M次，每次步进距离为N；其中，步进次数M为5
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15次，步进距离N为10
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50 um；步骤2：显影，检测周围未曝光区域是否有多余图形；若没有，则无光刻多余图形；若有，则通过扫描电子显微镜对多余图形进行定位；步骤3：根据多余图形的位置判断是否停止光刻机工作。2.根据权利要求1所述的光刻多余图形的检测方法，其特征在于：所述步骤2中，通过扫描电子显微镜对多余图形进行定位的方法为：在电子显微镜光学模式下找到邻近管芯区域的某个参考顶点，切换到电子束扫描模式下，确定在扫描电子显微镜坐标系中的顶点坐标值；再切换到光学模式下，找到多余图形，确定多余图形坐标值，判断多余图形与邻近管芯区域的位置...
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