用于超表面加工的光刻系统及方法技术方案

本申请实施例提供了一种用于超表面加工的光刻系统及方法，属于超表面领域。该系统包括包括光源、曝光投影系统和将光刻对象的第一面和第二面对准的双面标记对准系统，双面标记对准系统包括准直光源、显微系统、工作台及控制系统，为了进行超表面的光刻系统的双面曝光对准，该光刻系统还包括用于对光刻对象做对准标记的标记单元；其中，所述工作台用于实现所述光刻对象的移动和旋转，所述工作台的精度为百纳米至微米级精度；光源和曝光投影系统配置成：在借助于所述双面标记对准系统将光刻对象对准的情况下，对光刻对象分别进行第一面和第二面曝光。该系统通过中精度工作台实现了超表面加工，代替了超高精度工作台，降低了超表面的加工成本。的加工成本。的加工成本。

【技术实现步骤摘要】
用于超表面加工的光刻系统及方法


[0001]本申请涉及超表面加工
，具体而言，涉及一种用于超表面加工的光刻系统及方法。

技术介绍

[0002]目前，加工超表面的常用工艺是光刻工艺，在晶圆(一般为硅晶圆)表面覆盖一层具有高度光敏感性光刻胶，再用光线(一般是紫外光、深紫外光、极紫外光)透过掩模照射在晶圆表面，被光线照射到的光刻胶会发生反应。此后用特定溶剂洗去被照射/未被照射的光刻胶，就实现了电路图从掩模到光刻胶的转移。光刻完成后对没有光刻胶保护的硅片部分进行刻蚀，最后洗去剩余光刻胶，就实现了超表面纳米结构在晶圆表面的构建过程。
[0003]现有的超表面加工采用用于半导体加工的光刻机。用于半导体加工的光刻机通常包括紫外光源、曝光投影系统、超高精度工作台。其中，超高精度工作台是指精度达到纳米级精度的工作台。
[0004]在超表面的加工中，超高精度工作台的成本高造成光刻机价格高，从而导致了超表面加工成本高昂；并且，用于半导体加工的光刻机针对平面加工设计，在加工非平面基底的超表面时存在局限性。因此，亟需一种可以加工非平面基底且加工成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，包括光源(1)、曝光投影系统(2)和将光刻对象(4)的第一面和第二面对准的双面标记对准系统，所述双面标记对准系统包括准直光源(31)、显微系统(32)、工作台(33)及控制系统(34)，为了进行超表面的光刻系统的双面曝光对准，所述光刻系统还包括：用于对所述光刻对象(4)做对准标记的标记单元(5)；其中，所述工作台(33)用于实现所述光刻对象(4)的移动和/或旋转，所述工作台(33)的精度为百纳米至微米级精度；所述光源(1)和所述曝光投影系统(2)配置成：在借助于所述双面标记对准系统将所述光刻对象(4)对准的情况下，对所述光刻对象(4)分别进行第一面和第二面曝光。2.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻机，其特征在于，所述光刻对象(4)包括平面光刻对象或非平面光刻对象。3.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻机，其特征在于，所述非平面光刻对象包括阶梯状光刻对象。4.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻机，其特征在于，所述标记单元(5)包括粗对准标记(51)和细对准标记(52)。5.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，所述标记单元(5)的形状包括十字形、梳子形、矩形、圆形和环形中的一种或多种。6.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，所述标记单元(5)由对近红外光不透明的材料制成。7.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，所述准直光源(31)包括近红外光LED和准直透镜。8.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，由所述准直光源(31)发射的辐射的波长对于所述光刻对象(4)的消光系数小于0.01，经过准直后，发散角应小于10
°
。9.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，由所述准直光源(31)发射的辐射的波长对于玻璃晶圆材料的消光系数小于0.01，经过准直后，发散角应小于10
°
。10.如权利要求1所述的用于超表面加工的光刻系统，其特征在于，显微系统(32)包括显微物镜(321)、连接管(322)及成像探测器(323)；其中，所述显微物镜(321)和所述成像探测器(323)分别位于所述连接管(322)的两端；所述连接管(322)的长度为显微物镜(321)的后截距。11.如权利要求8所述的用于超表面加工...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝成龙，谭凤泽，朱健，
申请(专利权)人：深圳迈塔兰斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：