半导体结构的测试方法以及测试样品技术

本公开实施例公开了一种半导体结构的测试方法以及测试样品。所述方法包括：提供半导体结构；其中，半导体结构包括：交替堆叠设置的多层绝缘层和多层牺牲层、以及贯穿半导体结构且呈阵列分布的多个填充柱；切割半导体结构形成待测样品；其中，待测样品包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面或第二表面与填充柱的轴向之间的夹角为第一锐角；第一表面或第二表面显露第1层至第N层的牺牲层和多个填充柱，N为自然数；对待测样品执行扫描检测，获得多个填充柱的扫描图形；对扫描图形进行拟合处理，获得多个填充柱的拟合图形；基于扫描图形与拟合图形，确定多个填充柱的形变方向。确定多个填充柱的形变方向。确定多个填充柱的形变方向。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的测试方法以及测试样品


[0001]本公开实施例涉及半导体器件测试领域，尤其涉及一种半导体结构的测试方法以及测试样品。

技术介绍

[0002]为了提高存储器的集成度和位密度，可在衬底上形成堆叠结构，其包括沿垂直于衬底所在平面的方向交替堆叠设置的绝缘层和牺牲层以及贯穿堆叠结构的沟道孔。由于绝缘层(例如，氧化硅)和牺牲层(例如，氮化硅)的组成材料不同，在刻蚀形成沟道孔的过程中，易导致牺牲层受到损害，使得所形成的沟道孔侧壁形状不规则，降低存储器的电性能和可靠性。
[0003]相关技术中，利用电子显微镜测试表征沟道孔的截面形貌，以反映牺牲层的受损情况。然而，该方法制备测试样品的方式复杂，且获得的信息较少，难以全面的反映牺牲层的受损情况。因此，如何在简化测试样品制备方法的同时，较为全面的反映牺牲层的受损情况，成为亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开实施例提供一种半导体结构的测试方法以及测试样品。
[0005]根据本公开实施例的第一方面，提供一种半导体结构的测试方法，所述方法包括：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的测试方法，其特征在于，包括：提供所述半导体结构；其中，所述半导体结构包括：交替堆叠设置的多层绝缘层和多层牺牲层、以及贯穿所述半导体结构且呈阵列分布的多个填充柱；切割所述半导体结构形成待测样品；其中，所述待测样品包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面或所述第二表面与所述填充柱的轴向之间的夹角为第一锐角；所述第一表面或所述第二表面显露第1层至第N层的所述牺牲层和所述多个填充柱，N为自然数；对所述待测样品执行扫描检测，获得所述多个填充柱的扫描图形；对所述扫描图形进行拟合处理，获得所述多个填充柱的拟合图形；基于所述扫描图形与所述拟合图形，确定所述多个填充柱的形变方向。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割所述半导体结构形成待测样品，包括：沿第一方向对所述半导体结构的一侧进行第一减薄，以显露第1层至第N层的所述牺牲层和所述多个填充柱；其中，所述第一方向与所述填充柱的轴向之间的夹角为第二锐角；沿第二方向对所述半导体结构的另一侧进行第二减薄，以形成所述待测样品；其中，所述第二方向与所述第一方向相反。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲层与所述填充柱的组成材料不同。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述牺牲层的组成材料包括：氮化硅或氮氧化硅；所述填充柱的组成材料包括：硅或多晶硅。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述扫描图形进行拟合处理，获得所述多个填充柱的拟合图形，包括：确定所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：石泉，吴正利，张云静，李国梁，魏强民，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：