半导体芯片及用于检测半导体芯片中的边缘裂纹的方法技术

本发明专利技术提供一种半导体芯片及用于检测半导体芯片中的边缘裂纹的方法，所述半导体芯片，包括裂纹停止结构、至少一个边缘密封结构及选择器电路。裂纹停止结构位于半导体芯片的外围区中。裂纹停止结构通过第一电压被偏压。边缘密封结构位于裂纹停止结构与半导体芯片的集成电路区之间。边缘密封结构在正常模式下通过第一电压被偏压，且在测试模式下通过与第一电压不同的第二电压被偏压。选择器电路接收第一电压、第二电压以及用于将半导体芯片设置于正常模式或测试模式的控制信号，且根据控制信号选择第一电压及第二电压中的一者并向边缘密封结构输出所选择的一者。缘密封结构输出所选择的一者。缘密封结构输出所选择的一者。

【技术实现步骤摘要】
半导体芯片及用于检测半导体芯片中的边缘裂纹的方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体芯片及用于检测半导体芯片中的裂纹的方法。

技术介绍

[0002]半导体芯片的边缘中的裂纹(以下称为芯片边缘裂纹)可能导致用户最终发现故障。一般来说，芯片边缘裂纹可能是由芯片锯切及封装的过程所导致。近年来，随着对更多堆叠及更薄封装的需求增加，对更薄研磨的需求增加。由于此种趋势，芯片边缘裂纹的发生更加频繁及严重。为提高产品质量，通常利用裂纹检测方法来筛选出较大的芯片边缘裂纹。但是通过常规的裂纹检测方法不容易检测出小裂纹。然而，在制造半导体芯片的过程期间，小裂纹可能由于热、电及机械应力而变得更加严重，从而导致故障无法被筛选出。因此，如何有效地检测芯片边缘裂纹是本领域中的重要课题。

技术实现思路

[0003]本专利技术涉及一种半导体芯片及一种用于检测半导体芯片的边缘裂纹的方法，可有效地检测芯片边缘裂纹及其位置。
[0004]本专利技术的实施例提供一种半导体芯片，半导体芯片包括裂纹停止结构、至少一个边缘密封结构及选择器电路。裂纹停止结构位于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片，包括：裂纹停止结构，位于所述半导体芯片的外围区中，其中所述裂纹停止结构通过第一电压被偏压；至少一个边缘密封结构，位于所述裂纹停止结构与所述半导体芯片的集成电路区之间，其中所述至少一个边缘密封结构在正常模式下通过所述第一电压被偏压，且在测试模式下通过与所述第一电压不同的第二电压被偏压；以及选择器电路，耦合到所述至少一个边缘密封结构，且被配置成接收所述第一电压、所述第二电压及用于将所述半导体芯片设置于所述正常模式或所述测试模式的控制信号，且根据所述控制信号选择所述第一电压及所述第二电压中的一者并向所述至少一个边缘密封结构输出所选择的一者。2.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：电流测量电路，耦合到所述裂纹停止结构，其中所述电流测量电路被配置成在所述测试模式下从所述裂纹停止结构接收测试电流且在所述正常模式下从所述裂纹停止结构接收参考电流，将所述测试电流与所述参考电流进行比较以产生比较结果，且根据所述比较结果判断所述外围区中是否存在裂纹。3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中当所述测试电流大于所述参考电流时，所述电流测量电路判定所述外围区中存在裂纹，并输出用于指示未通过的值；以及当所述测试电流不大于所述参考电流时，所述电流测量电路判定所述外围区中不存在裂纹，并输出用于指示通过的值。4.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述裂纹停止结构在所述测试模式下耦合到测试器，其中所述测试器被配置成在所述测试模式下从所述裂纹停止结构接收测试电流，将所述测试电流与存储在所述测试器中的参考电流进行比较以产生比较结果，且根据所述比较结果判断所述外围区中是否存在裂纹。5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中当所述测试电流大于所述参考电流时，所述测试器判定所述外围区中存在裂纹，并输出用于指示未通过的值；以及当所述测试电流不大于所述参考电流时，所述测试器判定所述外围区中不存在裂纹，并输出用于指示通过的值。6.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中所述参考电流由所述测试器在所述正常模式下测量。7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述第二电压大于所述第一电压。8.根据权利要求1所述的半导体芯片，还包括：电流测量电路，耦合到所述至少一个边缘密封结构，其中所述至少一个边缘密封结构包括第一边缘密封结构及第二边缘密封结构，且所述选择器电路被配置成在所述测试模式下选择所述第一电压并向所述第一边缘密封结构输出所述第一电压，以及选择所述第二电压并向所述第二边缘密封结构输出所述第二电压，其中所述电流测量电路被配置成在所述测试模式下从所述第一边缘密封结构接收测
试电流且在所述正常模式下从所述第一边缘密封结构接收参考电流，将所述测试电流与所述参考电流进行比较以产生比较结果，且根据所述比较结果判断所述第一边缘密封结构与所述第二边缘密封结构之间是否存在裂纹。9.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述至少一个边缘密封结构包括第一边缘密封结构及第二边缘密封结构，且所述选择器电路被配置成在所述测试模式下选择所述第一电压并向所述第一边缘密封结构输出所述第一电压，以及选择所述第二电压并向所述第二边缘密封结构输出所述第二电压，其中所述测试模式包括第一测试阶段及第二测试阶段，所述电流测量电路被配置成在所述正常模式下从所述裂纹停止结构接收第一参考电流及从所述第一边缘密封结构接收第二参考电流，其中所述电流测量电路被配置成在所述第一测试阶段中从所述裂纹停止结构接收第一测试电流，将所述第一测试电流与所述第一参考电流进行比较以产生第一比较结果，且根据所述第一比较结果判断所述裂纹停止结构与所述第一边缘密封结构之间是否存在裂纹，其中所述电流测量电路被配置成在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴山河，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：