电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备技术

本发明专利技术涉及一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备，其中方法包括：通过采集待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息，并根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置，然后基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，则说明相应区域的SE线的均匀性较差，致使后期印刷的金属栅线和SE线不易对准，从而准确地预测由SE激光台面水平差异导致的电池片的SE线和金属栅线套印异常。片的SE线和金属栅线套印异常。片的SE线和金属栅线套印异常。

【技术实现步骤摘要】
电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备


[0001]本专利技术涉及太阳能电池工艺
，特别是涉及一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备。

技术介绍

[0002]选择性发射极(selective emitter，SE)激光掺杂技术是一种通过激光线使掺杂元素在硅片的表面的局部区域扩散而形成重掺杂区域(发射极)的技术，该重掺杂区域可以称为选择性发射极，选择性发射极用于与金属栅线(电极)连接。通过在硅片的表面形成选择性发射极可以降低硅片表面的掺杂浓度，提升晶硅太阳能电池的开路电压。通过使硅片的表面印刷的金属栅线和SE线之间具有良好的套印效果，这能保证金属栅线和选择性发射极形成良好的欧姆接触，提升晶硅太阳能电池的填充因子和晶硅太阳能电池的效率。
[0003]SE激光机台台面水平影响在硅片的表面打印的激光图形的图形长度值Pitch(简称PT)值和线间距，采用Micro
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VU测量仪中运行的自动测量程序可以测量垂直于SE线方向的PT值，通过PT值和标准值比较可以获知垂直于SE线方向的SE激光机台台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法，所述预测方法应用于待测硅片，所述待测硅片的表面通过激光打印有第一定位点、第二定位点和多条相互平行的SE线，所述方法包括：采集所述待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息；根据所述第一定位点的信息和所述第二定位点的信息确定所述待测硅片的位置；基于所述待测硅片的位置检测所述待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值；若所述起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的所述距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，预测所述电池片的SE线和金属栅线套印异常。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基于所述待测硅片的位置检测所述待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：基于所述待测硅片的位置沿与所述SE线相交的方向将所述待测硅片划分成至少两个待检测区，所述SE线被划分至不同的所述待检测区内，每个所述待检测区中SE线的数目相等；分别检测每个所述待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为所述距离测试值。3.根据权利要求2所述的方法，其中，距离所述起始SE线最远的SE线作为终止SE线，所述分别检测每个所述待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为所述距离测试值，包括：按照逐渐远离所述起始SE线的顺序，分别依次检测所述其他SE线中每个SE线与所述起始SE线之间的距离并作为所述距离测试值，直至检测所述终止SE线与所述起始SE线之间的距离。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述分别依次检测所述其他SE线中每个SE线与所述起始SE线之间的距离并作为所述距离测试值，包括：采集所述起始SE线的起始位置对应的位置信息；按照相邻两条SE线之间的线间距标准值，在依次远离所述起始SE线一个所述线间距标准值的位置处采集对应的SE线的位置信息，其中，L＝X/(N
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1)，L表示线间距标准值，X表示PT标准值，N表示SE线的总条数；根据任意相邻的两条SE线的位置信息确定每相邻两个SE线之间的距离；自所述起始SE线开始依次累加每相邻两个SE线之间的距离得到所述起始SE线和其他SE线中对应的SE线之间的距离并作为所述距离测试值。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘，所述至少两个待检测区包括靠近所述第一边缘的第一待检测区和靠近所述第二边缘的第二待检测区，针对于所述第一待检测区，在所述采集所述起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，所述方法还包括：采...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙春生，王盼，王玉涛，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：