电池的测试方法和装置、电子设备及计算机可读存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种电池的测试方法和装置、电子设备及计算机可读存储介质，该测试方法包括：获取至少一个测试过程片的厚度W、扩散方阻R

【技术实现步骤摘要】
电池的测试方法和装置、电子设备及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及电池测试技术，尤其涉及一种电池的测试方法和装置、电子设备及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]电池，尤其是太阳能电池的电流I-电压V曲线和开路电压不仅决定器件的性能，还反应电池的主要复合机制，通过测试一个完整电池可以得到该电池的I-V曲线，以此判断电池器件的性能和复合机制。然而，测试完整电池时，寄生效应容易影响I-V曲线，使得判断结果不准确且成本较高。
[0003]目前，通过表征电池过程片的隐形开路电压implied-Voc(iVoc)来解决寄生效应，这样既可以节约制备完整电池所需的成本，又能够预测太阳能电池的电性能。
[0004]对于实际量产的电池片衬底，现有技术中会抽测一小部分原硅片的初始电阻率以得出一个电阻率范围，在后期表征的过程中，选择电阻率范围的平均值来代表用于实验表征的过程片的初始电阻率，以此计算iVoc。然而，原硅片在各道制程的过程中，其电性能包括iVoc会受到多方面的影响，使用电阻率范围的平均值表征iVoc会使得测试误差进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池的测试方法，其特征在于，包括：获取至少一个测试过程片的厚度W、扩散方阻R
k
和过程片方阻R0，计算所述测试过程片的初始电阻率；根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压。2.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，计算所述测试过程片的初始电阻率包括：采用公式(1)计算所述测试过程片的初始电阻率ρ
bulk
，3.根据权利要求1所述的测试方法，其特征在于，根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压，包括：根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度；根据所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压。4.根据权利要求3所述的测试方法，其特征在于，所述测试过程片的原始衬底为P型硅衬底或N型硅衬底。5.根据权利要求4所述的测试方法，其特征在于，对于所述P型硅衬底，根据所述测试过程片的初始电阻率，计算得到所述测试过程片的隐形开路电压，包括：采用公式(2)计算得到所述测试过程片的原始衬底掺杂浓度N
A
，其中，q为物理常数，μ
p
为空穴迁移率；采用公式(3)计算得到所述测试过程片的隐形开路电压iVoc，其中，k和均为物理常数，T为测试温度，Δn为电子载流...

【专利技术属性】
技术研发人员：张楚风，张达奇，吴坚，
申请(专利权)人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：