半导体设备的压力控制装置及半导体设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体设备的压力控制装置及半导体设备，压力控制装置用于控制半导体设备的工艺腔室的压力，压力控制装置的冷凝组件连接工艺腔室的排气口，用于冷凝工艺腔室排出的气体；气液分离部件连通冷凝组件，并用于连通厂务排气管路，且用于通过集液部件连通厂务排液管路；压力检测组件用于检测气液分离部件内气体的压力；集液部件中的液体用于平衡厂务排气管路的负压；溢流管伸入集液部件内，用于排出集液部件内超过预设液位的液体；补液组件连通集液部件，用于向集液部件输送补充液体使集液部件的液位达到预设液位。本发明专利技术提供的半导体设备的压力控制装置及半导体设备能够提高工艺腔室的压力的稳定性和可靠性，从而改善半导体工艺结果。善半导体工艺结果。善半导体工艺结果。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备的压力控制装置及半导体设备


[0001]本专利技术涉及半导体设备
，具体地，涉及一种半导体设备的压力控制装置及半导体设备。

技术介绍

[0002]氧化工艺是以气相沉积法利用氧化剂在晶圆表面制备例如二氧化硅膜等薄膜的工艺，而进行氧化工艺的工艺腔室的压力的稳定性决定了二氧化硅膜的致密性和均匀性，随着半导体行业的发展，氧化工艺对工艺腔室的压力的稳定性和可靠性有了更高的要求。
[0003]现有的进行氧化工艺的半导体设备包括工艺腔室、控压装置和压力控制装置，其中，工艺腔室用于进行氧化工艺，控压装置与工艺腔室的排气结构连通，以通过检测工艺腔室的排气的压力，来检测工艺腔室的压力，从而根据该检测到的压力对工艺腔室的压力进行控制，压力控制装置分别与控压装置和工艺腔室的排气结构连通，以分别对工艺腔室排出的气体和自工艺腔室排出的进入控压装置的气体冷凝形成的液体进行收集。
[0004]但是，现有的控压装置在氧化工艺中存在对工艺腔室的压力控制不准确且不稳定的情况，造成工艺腔室在氧化工艺中的压力的稳定性和可靠性较差，导致氧化工艺结果较差。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的压力控制装置，所述压力控制装置用于对半导体设备的工艺腔室的压力进行控制，其特征在于，所述压力控制装置包括冷凝组件、气液分离部件、集液部件以及压力检测组件，所述冷凝组件与所述工艺腔室的排气口连接，用于冷凝自所述工艺腔室排出的气体；所述气液分离部件与所述冷凝组件连通设置，所述气液分离部件用于与厂务排气管路连通，所述压力检测组件用于检测所述气液分离部件内气体的压力；所述气液分离部件还用于通过所述集液部件与厂务排液管路连通，所述集液部件中的液体用于平衡所述厂务排气管路的负压；所述压力控制装置还包括溢流管和补液组件，其中，所述溢流管伸入至所述集液部件内，用于将超过预设液位的液体排出至所述集液部件外；所述补液组件与所述集液部件连通，用于向所述集液部件内输送补充液体，以使所述集液部件内的液位达到所述预设液位。2.根据权利要求1所述的半导体设备的压力控制装置，其特征在于，所述补液组件包括补液管部件和流量调节部件，所述补液管部件的两端分别与所述补充液体的液体源和所述集液部件连通，所述流量调节部件设置在所述补液管部件上，用于调节流经所述补液管部件的所述补充液体的流量。3.根据权利要求2所述的半导体设备的压力控制装置，其特征在于，所述补液管部件包括进液管和连通管，所述进液管的两端分别与所述流量调节部件的进液端和所述液体源连通，所述连通管的两端分别与所述流量调节部件的出液端和所述集液部件连通，所述流量调节部件用于调节自所述进液管流向所述连通管的所述补充液体的流量。4.根据权利要求3所述的半导体设备的压力控制装置，其特征在于，所述压力控制装置还包括排液管和第一通断阀，所述排液管与所述集液部件连通，用于排出所述集液部件内的液体，所述第一通断阀设置在所述排液管上，用于控制所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振伟，石磊，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：