三相全桥封装芯片制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种三相全桥封装芯片。其包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒；三个第一功率晶粒构成三相全桥的上桥臂，三个第二功率晶粒构成三相全桥的下桥臂；基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区；拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区；三个第一功率晶粒均设置于第一基岛区，每一第二功率晶粒设置于每一第二基岛区；三个第一功率晶粒分别对应与一个第二功率晶粒连接。本方案设计的三相全桥封装芯片可以减小全桥的功率模块的设计体积，利用基底设计固定承载第一功率晶粒和第二功率晶粒的线路框架替代部分全桥的功率模块的连接线路，简化了全桥的功率模块的线路连接，实现高度集成的三相全桥封装芯片的封装设计。芯片的封装设计。芯片的封装设计。

【技术实现步骤摘要】
三相全桥封装芯片


[0001]本专利技术实施例涉及芯片封装
，尤其涉及一种三相全桥封装芯片。

技术介绍

[0002]目前全桥的金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET)功率模块，均是采用6个MOSFET单管或3个半桥封装的MOSFET单管(每一MOSFET单管内部封装有2个MOSFET晶粒)在水泵或电机控制板上进行组合，实现产生三相工作电压应用于泵或电机。通过采用6个MOSFET单管或3个半桥封装的MOSFET单管进行组合的功率模块不仅需要对各个MOSFET单管固定在水泵或电机控制板上，还需要对各个MOSFET单管进行线路连接，在该过程中会导致全桥的金属氧化物半导体场效应晶体管功率模块体积过大，集成度低并且线路复杂。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种三相全桥封装芯片，以减小全桥的功率模块设计体积，简化全桥的功率模块线路连接，实现高度集成的三相全桥封装芯片。
[0004]第一方面，本专利技术实施例提供了一种三相全桥封装芯片，其包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒；三个第一功率晶粒构成三相全桥的上桥臂，三个第二功率晶粒构成三相全桥的下桥臂；
[0005]基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区；拉筋区围绕第一基岛区、以及围绕第二基岛区；三个第一功率晶粒均设置于第一基岛区，每一第二功率晶粒设置于每一第二基岛区；三个第一功率晶粒分别对应与一个第二功率晶粒连接。
[0006]可选地，一个第一功率晶粒和一个第二功率晶粒构成三相全桥的一个桥臂；第一功率晶粒和第二功率晶粒均包括第一极、第二极和栅极；
[0007]第一功率晶粒的第一极与电源连接，第一功率晶粒和第二功率晶粒的栅极均接入控制信号，第一功率晶粒的第二极与第二功率晶粒的第一极连接，第二功率晶粒的第二极接地。
[0008]可选地，第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘；第一边缘与第七边缘平行且相邻设置；
[0009]拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构；
[0010]第一图案化结构设置于第一基岛区的第三边缘的外侧；第二图案化结构置于第一边缘和第七边缘之间；第三图案化结构设置于第二边缘的外侧，或者第三图案化结构设置于第四边缘的外侧。
[0011]可选地，第一图案化结构远离第三边缘的一侧设置有第一凹陷区；
[0012]三相全桥封装芯片还包括第一焊盘，第一焊盘设置于第一凹陷区内。
[0013]可选地，三个第二基岛区相邻设置；
[0014]拉筋区还包括第四图案化结构、第五图案化结构以及第六图案化结构；
[0015]第四图案化结构的一部分设置于相邻的第二基岛区的第六边缘和第八边缘之间，第四图案化结构的另一部分设置于处于外侧的第二基岛区的第七边缘和第二图案化结构之间；第五图案化结构设置于第二基岛区的第五边缘的外侧；第六图案化结构设置于处于外侧的第二基岛区的第六边缘的外侧，或者第六图案化结构设置于处于外侧的第二基岛区的第八边缘的外侧。
[0016]可选地，第五图案化结构远离第五边缘的一侧设置有第二凹陷区；
[0017]三相全桥封装芯片还包括第二焊盘和第三焊盘，第二焊盘和第三焊盘设置于第二凹陷区内。
[0018]可选地，一个第一功率晶粒和一个第二功率晶粒构成三相全桥的一个桥臂；第一功率晶粒和第二功率晶粒均包括第一极、第二极和栅极；
[0019]第一功率晶粒的第一极与第一基岛区连接，第一功率晶粒的栅极与一第一焊盘连接，第一功率晶粒的第二极与一第二基岛区连接，第二功率晶粒的第一极与第二基岛区连接，第二功率晶粒的第二极与一第二焊盘连接，第二功率晶粒的栅极与一第三焊盘连接；第一基岛区与电源连接，第一焊盘和第三焊盘与控制信号接口连接，第二焊盘接地。
[0020]可选地，三相全桥封装芯片还包括封装层；
[0021]封装层封装基底上除第一基岛区、第二基岛区、第一焊盘、第二焊盘以及第三焊盘的所有部分。
[0022]可选地，三相全桥封装芯片还包括过渡区，过渡区位于拉筋区之间、拉筋区和第一基岛区之间以及拉筋区和第二基岛区之间；基底对应过渡区的厚度小于基底对应第一基岛区的厚度，以及基底对应过渡区的厚度小于基底对应第二基岛区的厚度。
[0023]可选地，基底对应拉筋区内的区域镂空。
[0024]本实施例的技术方案，通过利用基底、第一功率晶粒和第二功率晶粒设计的三相全桥封装芯片可以减小全桥的功率模块的设计体积，利用基底设计固定承载第一功率晶粒和第二功率晶粒的线路框架替代部分全桥的功率模块的连接线路，简化了全桥的功率模块的线路连接，实现高度集成的三相全桥封装芯片的无外延引脚的封装设计。
附图说明
[0025]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图虽然是本专利技术的一些具体的实施例，对于本领域的技术人员来说，可以根据本专利技术的各种实施例所揭示和提示的器件结构，驱动方法和制造方法的基本概念，拓展和延伸到其它的结构和附图，毋庸置疑这些都应该是在本专利技术的权利要求范围之内。
[0026]图1为本专利技术实施例提供的一种三相全桥封装芯片内部的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的一种三相全桥封装芯片等效电路的结构示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的另一种三相全桥封装芯片内部的结构示意图；
[0029]图4为本专利技术实施例提供的另一种三相全桥封装芯片内部的结构示意图；
[0030]图5为本专利技术实施例提供的另一种三相全桥封装芯片内部的结构示意图。
具体实施方式
[0031]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]本专利技术实施例提供了一种三相全桥封装芯片，图1为本专利技术实施例提供的一种三相全桥封装芯片内部的结构示意图。如图1所示，三相全桥封装芯片包括基底100、三个第一功率晶粒111和三个第二功率晶粒121；三个第一功率晶粒111构成三相全桥的上桥臂，三个第二功率晶粒121构成三相全桥的下桥臂；基底100包括第一基岛区110、第二基岛区120和拉筋区130；拉筋区130围绕第一基岛区110、以及围绕第二基岛区120；三个第一功率晶粒111均设置于第一基岛区110，每一第二功率晶粒121设置于每一第二基岛区120；三个第一功率晶粒111分别对应与一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三相全桥封装芯片，其特征在于，包括基底、三个第一功率晶粒和三个第二功率晶粒；所述三个第一功率晶粒构成所述三相全桥的上桥臂，所述三个第二功率晶粒构成所述三相全桥的下桥臂；所述基底包括第一基岛区、第二基岛区和拉筋区；所述拉筋区围绕所述第一基岛区、以及围绕所述第二基岛区；三个所述第一功率晶粒均设置于所述第一基岛区，每一所述第二功率晶粒设置于每一所述第二基岛区；三个所述第一功率晶粒分别对应与一个所述第二功率晶粒连接。2.根据权利要求1所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，一个所述第一功率晶粒和一个所述第二功率晶粒构成所述三相全桥的一个桥臂；所述第一功率晶粒和所述第二功率晶粒均包括第一极、第二极和栅极；所述第一功率晶粒的第一极与电源连接，所述第一功率晶粒和所述第二功率晶粒的栅极均接入控制信号，所述第一功率晶粒的第二极与所述第二功率晶粒的第一极连接，所述第二功率晶粒的第二极接地。3.根据权利要求1所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，所述第一基岛区包括首尾相连的第一边缘、第二边缘、第三边缘和第四边缘，所述第二基岛区包括首尾相连的第五边缘、第六边缘、第七边缘和第八边缘；所述第一边缘与所述第七边缘平行且相邻设置；所述拉筋区包括第一图案化结构、第二图案化结构以及第三图案化结构；所述第一图案化结构设置于所述第一基岛区的第三边缘的外侧；所述第二图案化结构置于所述第一边缘和所述第七边缘之间；所述第三图案化结构设置于所述第二边缘的外侧，或者所述第三图案化结构设置于所述第四边缘的外侧。4.根据权利要求3所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，所述第一图案化结构远离所述第三边缘的一侧设置有第一凹陷区；所述三相全桥封装芯片还包括第一焊盘，所述第一焊盘设置于所述第一凹陷区内。5.根据权利要求4所述的三相全桥封装芯片，其特征在于，三个所述第二基岛区相邻设置；所述拉筋区还包括第四图案化结构、第五图案化结构以及第六图案化结构；所述第四图案化结构的一部分设置于相邻的所述第二基岛...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小兵，廖光朝，
申请(专利权)人：深圳云潼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：