金属化薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术一种金属化薄膜电容器，ＣＰ线与素子焊接接触面是平面，靠近素子处的ＣＰ线有一折弯，ＣＰ线与素子焊接段的端面呈Ｄ形和呈扁形，电容器壳与ＣＰ线相配处两侧有凹槽，电容器壳两侧面的内侧凹槽深度小于ＣＰ线折弯高度。ＣＰ线与素子是平面接触，增加焊接面积，焊接牢固；折弯部位进入电容器壳侧面凹槽内，既防止ＣＰ线前后松动，又防止ＣＰ线向两侧倾斜，产品质量稳定，自动化程度高，生产效率显著提高。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种金属化薄膜电容器。二
技术介绍
目前，金属化薄膜电容器是由金属化薄膜巻绕成素子，素子两端喷金，焊CP线，CP线外形呈圆柱状，CP线与素子侧面是线接触， 不易焊牢，线易脱落；经过点焊的素子入壳后，由于素子与壳之间有 一定间隙，不易定位，故在灌胶固化后，CP线发生偏斜，影响电容 品质。三、
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术提供一种CP线和外壳定位功能 的金属化薄膜电容器。本技术解决其技术问题所采取的技术方案金属化薄膜电容 器，包括素子、电容器壳和CP线，CP线与素子焊接接触面是平面，靠近素子处的CP线有一折弯，CP线与所述的素子焊接段的端面呈D 形和呈扁形，电容器壳与CP线相配处两侧有凹槽，电容器壳两侧面 的内侧凹槽深度小于所述的CP线折弯高度。其有益效果是CP线与素子是平面接触，增加焊接面积，焊接牢 固；折弯部位进入电容器壳侧面凹槽内，既防止CP线前后松动，又 防止CP线向两侧倾斜，产品质量稳定，自动化程度高，生产效率显著提高。四附图说明图1是本技术结构示意图图中1、 CP线，2、折弯，3、平面处，4、素子，5、电容器壳五具体实施方式具体实施方式在图l中，CP线1端本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金属化薄膜电容器，包括素子，ＣＰ线，电容器外壳，其特征在于，所述的ＣＰ线与所述的素子焊接段接触面是平面，靠近所述的素子处的所述的ＣＰ线有一折弯，所述的电容器壳两侧面的内侧有凹槽。

【技术特征摘要】
1、一种金属化薄膜电容器，包括素子，CP线，电容器外壳，其特征在于，所述的CP线与所述的素子焊接段接触面是平面，靠近所述的素子处的所述的CP线有一折弯，所述的电容器壳两侧面的内侧有凹槽。2、 根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述的CP线 与...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱旭东，孙世聪，
申请(专利权)人：南通中利机电高科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]