半导体电热膜前驱体液及电热膜结构、电热结构制备方法技术

技术编号:31231213 阅读:14 留言:0更新日期:2021-12-08 10:05
本发明专利技术提供了一种半导体电热膜的前驱体溶液,包括A组分、B组分和C组分,所述A组分包括以下重量份数的成分:2

【技术实现步骤摘要】
半导体电热膜前驱体液及电热膜结构、电热结构制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体电热膜领域,特别涉及半导体电热膜前驱体液及其半导体电热膜结构、电热结构的制备方法。

技术介绍

[0002]半导体电热膜相比于传统的电热材料,例如,电阻丝,具有较大的优势,例如,电热转换效率较高、可实现全表面覆盖,增加传热面积,提高传热速率,使用寿命比较长,可运用在电子烟的加热雾化器,但是,半导体电热膜的工作温度通常在100

300℃,相比于电阻丝的工作温度为100

1000℃,工作温度相对较低。
[0003]另外,目前氧化锡类的电热膜由于在500℃以上存在比较明显的电阻变化,衰减比较厉害,限制了氧化锡类电热膜的使用范围。
[0004]另外,电热膜的升温速度比较慢,较短时间内通电温度不稳定,运用在电子烟方面容易产生致癌物质。
[0005]目前,无机电热膜通常采用五水氯化锡或是氯化锡或是氯化亚锡作为主要成分,重量份数根据配方的不同,通常在10

60份,水解形成氧化锡电热膜,通过掺杂的方式改善电热膜的性能,但是,这种组分的掺杂无法解决上述技术问题。
[0006]因此,有必要提供一种新的半导体电热膜的前驱体溶液,作为进一步,有必要提供一种半导体电热膜结构的制备方法,作为进一步,还有必要提供一种电热结构的制备方法。

技术实现思路

[0007]本专利技术的第一目的在于提供一种半导体电热膜的前驱体溶液,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
>[0008]为实现上述目的,本专利技术提供了一种半导体电热膜的前驱体溶液,其特征在于,包括A组分、B组分和C组分,其中,
[0009]所述A组分包括以下重量份数的成分:2

10份的五水四氯化锡,3

6份的氯化亚锡和0.3

1份的丙三醇,还包括PH调节剂,所述A组分的PH为4.7
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6.2;
[0010]所述B组分包括以下重量份数的成分:5

10份的电导调节剂,所述电导调节剂为二水三氯化锑、三氧化二铋、三氧二铝和二氧化铊中的一种或是多种的组合,0.6

1份的氯化铝,还包括PH调节剂,所述B组分的PH为4.7

5.0;
[0011]所述C组分包括以下重量份数的成分:0.5

0.7份的氧化锡,0.8

1.5份的氧化铋和15

25份的乙醇;
[0012]还包括15

30份的蒸馏水。
[0013]本专利技术的第二目的是提供了一种半导体电热膜结构的制备方法,包括上述的半导体电热膜的前驱体溶液,其特征在于,包括以下步骤:
[0014]半导体电热膜的前驱体溶液的制备:
[0015]步骤一:
[0016]按配比,取五水四氯化锡和氯化亚锡充分混合,加入到PH调节剂中,控制PH值为4.7

6.2,控温在8

12℃,搅拌至完全溶解,按配比加入丙三醇,继续搅拌5

10min,得到A组分;
[0017]在PH调节剂中加入配比的电导调节剂和氯化铝,所述电导调节剂为二水三氯化锑、三氧化二铋、三氧二铝和二氧化铊中的一种或是多种的组合,控制 PH值为4.7

5.0,控温在15

20℃,搅拌均匀,得到B组分;
[0018]按配比,取乙醇,往所述乙醇中加入配比的氧化锡和氧化铋,混合均匀,得到C组分;
[0019]步骤二:
[0020]将所述A组分和B组分全部加到所述C组分中,加入配比的蒸馏水,充分反应后,滤出固体颗粒,即可得到半导体电热膜的前驱体溶液;
[0021]半导体电热膜结构的制备:
[0022]基底加热至380

860℃,将所述半导体电热膜的前驱体溶液与3

7kg空气充分混合,通过喷枪喷涂在所述基底的一侧面,冷却至室温,得到半导体电热膜结构。
[0023]优选地,所述基底为陶瓷材料和/或玻璃材料。
[0024]本专利技术的第三目的是提供一种电热结构的制备方法,其特征在于,包括上述的半导体电热膜结构的制备方法,还包括以下步骤:
[0025]电极的制备:
[0026]通过丝网印刷将导电浆印刷在所述半导体电热膜远离所述基底的一侧面上,形成第一电极和第二电极,且所述第一电极和第二电极相对设置,所述丝网的目数为80

200目;
[0027]电热结构的制备:
[0028]将涂覆好所述半导体电热膜、第一电极和第二电极的所述基底加热至180
‑ꢀ
300℃,烘干10

30min,加热至500

800℃,烧结15

30min,冷却即可得到电热结构。
[0029]优选地,所述导电浆为导电银浆。
[0030]优选地,所述基底为陶瓷材料和/或玻璃材料。
[0031]上述PH调节剂用于调节PH,防止氯化物的提前水解,产生变质,上述PH 调节剂包括但不限于盐酸、冰醋酸、硝酸、氯酸、磷酸、丙酮酸、亚硝酸、甲酸。
[0032]与现有技术相比,本专利技术的有益技术效果是:
[0033](1)由半导体电热膜的前驱体溶液经结晶得到的半导体电热膜具有耐温度骤变,温度稳定性好、耐衰减、升温速度快、耐高温性好的性质;
[0034](2)提供了一种半导体电热膜结构的制备方法,该方法可实现稳定大批量自动化工业生产;
[0035](3)提供了一种电热结构的制备方法,得到的电热结构具有耐温度骤变、耐击穿、可适应电压的大范围变化、电热转换效率高、耐高温性好的性质。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以
根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0037]图1为本专利技术实施例的电热结构的结构示意图之一;
[0038]图2为本专利技术实施例的电热结构的结构示意图之二。
[0039]附图标号说明:1

基底;2

半导体电热膜;3

第一电极、4

第二电极,5
‑ꢀ
导电件。
具体实施方式
[0040]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体电热膜的前驱体溶液,其特征在于,包括A组分、B组分和C组分,其中,所述A组分包括以下重量份数的成分:2

10份的五水四氯化锡,3

6份的氯化亚锡和0.3

1份的丙三醇,还包括PH调节剂,所述A组分的PH为4.7

6.2;所述B组分包括以下重量份数的成分:5

10份的电导调节剂,所述电导调节剂为二水三氯化锑、三氧化二铋、三氧二铝和二氧化铊中的一种或是多种的组合,0.6

1份的氯化铝,还包括PH调节剂,所述B组分的PH为4.7

5.0;所述C组分包括以下重量份数的成分:0.5

0.7份的氧化锡,0.8

1.5份的氧化铋和15

25份的乙醇;还包括15

30份的蒸馏水。2.一种半导体电热膜结构的制备方法,包括权利要求1所述的半导体电热膜的前驱体溶液,其特征在于,包括以下步骤:半导体电热膜的前驱体溶液的制备:步骤一:按配比,取五水四氯化锡和氯化亚锡充分混合,加入到PH调节剂中,控制PH值为4.7

6.2,控温在8

12℃,搅拌至完全溶解,按配比加入丙三醇,继续搅拌5

10min,得到A组分;在PH调节剂中加入配比的电导调节剂和氯化铝,所述电导调节剂为二水三氯化锑、三氧化二铋、三氧二铝和二氧化铊中的一种或是多种的组合,控...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗浩杨小华蔡建财
申请(专利权)人:福建晶烯新材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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