一种SiO2掺杂树脂灰多孔陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种SiO2掺杂树脂灰多孔陶瓷，涉及陶瓷制备技术领域，多孔陶瓷含有SiO2、Al2O3、Al6Si0

【技术实现步骤摘要】
一种SiO2掺杂树脂灰多孔陶瓷及其制备方法


[0001]本专利技术涉及多孔陶瓷制备
，尤其涉及一种SiO2掺杂树脂灰多孔陶瓷及其制备方法。

技术介绍

[0002]多孔陶瓷作为一种新型的陶瓷材料，其具有许多优良的特性，例如：气孔率高、体积密度小以及比表面积大等。加上陶瓷材料本身具有的耐高温、抗腐蚀性、优良的化学物理稳定性以及热稳定性等，使多孔陶瓷材料被广泛的运用于化工、冶金、能源环保和生物等多个领域。目前，通过利用多孔陶瓷孔结构的均匀透过性，可以制造出各种各样的分离装置和过滤器等，可运用于净化污水、过滤烟尘、吸音降噪等方面。同时，通过利用其发达的比表面积，可以制备出运用于生物制药、敏感元件等领域的催化剂载体、热交换器。
[0003]随着世界材料科学的飞速发展，二氧化硅材料的性能及应用也得到了极大的改善和拓展。通过制备多孔二氧化硅陶瓷，将二氧化硅陶瓷与多孔陶瓷的优良特性有机的结合起来，使其应用领域更为广泛，同时，其技术性能也有待进一步提高。二氧化硅陶瓷具有低导热率、热膨胀系数小、密度低以及良好的体积稳定性等优良特性，是轻质隔热材料的理本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiO2掺杂树脂灰多孔陶瓷，其特征在于，所述多孔陶瓷含有SiO2、Al2O3、Al6Si0
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和Fe2O3、MnO2，所述陶瓷的第一X射线衍射强度峰和第二X射线衍射强度峰对应的相均为Al6Si2O
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相，所述第一X射线衍射强度峰对应的2θ为26.201
°
，所述第二X射线衍射强度峰对应的2θ为33.100
°
，第三X射线衍射强度峰对应的相为Al2O3，所述第三X射线衍射强度峰对应的2θ为35.099
°
，所述第一X射线衍射强度峰与所述第二X射线衍射强度峰强度比大于所述第二X射线衍射强度峰与所述第三X射线衍射强度峰强度比。2.如权利要求1所诉的多孔陶瓷，其中，所述陶瓷的制备原料以重量百分比记为：10％～40％的SiO2，50％～80％的树脂灰，余量为Al2O3。3.如权利要求1所述的多孔陶瓷，其中，SiO2重量百分比为10％～30％，所述陶瓷气孔率为15.6％～38.2。4.如权利要求1所述的多孔陶瓷，其中，所述陶瓷的吸水率为6.6％～22.1％。5.权利要求1～4任一项权利要求所述的二氧化硅掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茂辉，杨少林，陆有军，韩凤兰，邢质冰，
申请(专利权)人：北方民族大学，
类型：发明
国别省市：