【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。技术背景近年来,随着个人计算机(PC)的中央处理装置(CPU)的高性 能化,期待开发在高频区域ESR (等效串联电阻)较小的固体电解电 容器。ESR取决于阴极的导电性以及在将阴极叠层为多层的情况下的 阴极层间的接触电阻。一般而言,固体电解电容器在由阀作用金属或其合金的多孔体构 成的阳极体的内部和外周部的表面上,通过阳极氧化等形成有电介质 层,在该电介质层之上设置有电解质层,在其上面形成有阴极。在日 本特开平4-48710号公报中,提案有以下方法通过化学聚合在电介质 层之上形成导电性高分子膜,该导电性高分子膜作为掺杂剂的一部分 含有芳香族磺酸阴离子,进而在该导电性高分子膜的上面利用电解聚 合形成导电性高分子膜。此外,在日本特开平10-321471号公报中,提案有以下方法形成 由聚噻吩或其衍生物构成的第一导电性高分子层,在其上面将聚吡咯 或其衍生物进行电解重合而形成第二导电性高分子层,并将它们用作 电解质层。但是,即使是这些现有技术中所提出的方法,也不能使ESR充分 地降低。
技术实现思路
本专利技术的目的是,提供能够降低ESR的固体电解电容器及其制 ...
【技术保护点】
一种固体电解电容器,其特征在于,包括: 由阀作用金属或其合金的多孔体构成的阳极体; 在所述多孔体的内部的表面上及其外周部的表面上形成的电介质层; 在所述电介质层之上形成的导电性高分子层; 在所述多孔体的外周部的所述导电性高分子层之上形成的阴极层;和 一端被埋设在所述阳极体内的阳极引线,其中, 以所述多孔体内部的所述阳极引线为中心的第一区域中的所述导电性高分子层仅由聚吡咯层形成, 由所述多孔体的所述第一区域的周围构成的第二区域中的所述导电性高分子层是在聚乙烯二氧噻吩层之上叠层聚吡咯层而形成。
【技术特征摘要】
JP 2007-9-28 2007-2538461. 一种固体电解电容器,其特征在于,包括由阀作用金属或其合金的多孔体构成的阳极体;在所述多孔体的内部的表面上及其外周部的表面上形成的电介质层;在所述电介质层之上形成的导电性高分子层;在所述多孔体的外周部的所述导电性高分子层之上形成的阴极层;和一端被埋设在所述阳极体内的阳极引线,其中,以所述多孔体内部的所述阳极引线为中心的第一区域中的所述导电性高分子层仅由聚吡咯层形成,由所述多孔体的所述第一区域的周围构成的第二区域中的所述导电性高分子层是在聚乙烯二氧噻吩层之上叠层聚吡咯层而形成。2. —种固体电解电容器,其特征在于,包括由阀作用金属或其合金的多孔体构成的阳极体;在所述多孔体的内部的表面上及其外周部的表面上形成的电介质层;在所述电介质层之上形成的导电性高分子层;在所述多孔体的外周部的所述导电性高分子层之上形成的阴极 层;禾口一端被埋设在所述阳极体内的阳极引线,其中, 所述导电性高分子层具有设置在所述多孔体的内部的第一区域、 和由所述第一区域的周围构成的第二区域,所述第一区域仅由聚吡咯 层形成,所述第二区域是在聚乙烯二氧噻吩层之上叠层聚吡咯层而形3.如权利要求1或2所述的固体电解电容器,其特征在于 从所述多孔体的外周部的所述电介质层的外周面至所述第一区域 和所述第二区域的界面为止的深度在整体上大致均匀。4. 如权利要求1或2所述的固体电解...
【专利技术属性】
技术研发人员:高谷和宏,矢野睦,梅本卓史,野野上宽,
申请(专利权)人:三洋电机株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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