磁头及磁记录装置制造方法及图纸

本公开提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和层叠体。层叠体包括第1～第3磁性层和第1～第4非磁性层。第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个。第3磁性层包括第1元素和第2元素，第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。Ti及Sc构成的群选择出的至少1个。

【技术实现步骤摘要】
磁头及磁记录装置
[0001]本申请以日本专利申请2020
‑
095414(申请日2020年6月1日)为基础，根据该申请而享受优先的利益。本申请通过参照该申请而包括该申请的内容的全部。


[0002]本专利技术的实施方式涉及磁头及磁记录装置。

技术介绍

[0003]使用磁头向HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)等磁记录介质记录信息。在磁记录装置中，期望记录密度的提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的实施方式提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。
[0005]用于解决课题的手段
[0006]根据本专利技术的实施方式，磁头包括第1磁极、第2磁极及设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间的层叠体。所述层叠体包括第1磁性层、设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间的第2磁性层、设置于所述第1磁极与所述第2磁性层之间的第3磁性层、设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间的第1非磁性层、设置于所述第2磁性层与所述第1磁性层之间的第2非磁性层及设置于所述第3磁性层与所述第2磁性层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁头，包括：第1磁极；第2磁极；及层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间；第3磁性层，设置于所述第1磁极与所述第2磁性层之间；第1非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第1磁性层之间；及第3非磁性层，设置于所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，所述第1磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个，所述第2磁性层包括Fe、Co及Ni中的至少1个，所述第3磁性层包括第1元素和第2元素，所述第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，所述第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个，所述第1磁性层及所述第2磁性层不包括所述第2元素，或者，所述第1磁性层及所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第3磁性层中的所述第2元素的浓度低，所述第1非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个，所述第2非磁性层包括从由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Ru、Tb、Rh、Cr及Pd构成的群选择出的至少1个，所述第3非磁性层包括从由Cu、Ag、Au、Al及Cr构成的群选择出的至少1个。2.根据权利要求1所述的磁头，所述第3非磁性层包括Cr。3.一种磁头，包括：第1磁极；第2磁极；及层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间；第3磁性层，设置于所述第1磁极与所述第2磁性层之间；第1非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第2非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第1磁性层之间；及第3非磁性层，设置于所述第3磁性层与所述第2磁性层之间，所述第1磁性层包括第1元素和第2元素，所述第1元素包括Fe、Co及Ni中的至少1个，所述第2元素包括从由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群选择出的至少1个，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：成田直幸，高岸雅幸，岩崎仁志，前田知幸，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：