用于磁记录驱动器的自旋力矩振荡器制造技术

本公开的方面涉及自旋力矩振荡器(STO)和方法，例如在磁介质驱动器的写头中使用的自旋力矩振荡器。所述STO包含晶种层、自旋极化层(SPL)、间隔物层、场产生层(FGL)、罩盖层。插入层安置在所述STO内。所述插入层增加负Hk。所述插入层可位于所述FGL与所述罩盖层之间，以及所述FGL与所述间隔物层之间。对于反向STO，所述插入层可安置在所述FGL与所述晶种层之间，以及所述FGL与所述间隔物层之间。以及所述FGL与所述间隔物层之间。

【技术实现步骤摘要】
用于磁记录驱动器的自旋力矩振荡器


[0001]本公开的方面大体上涉及自旋力矩振荡器和方法以及其相关联组件，例如在磁介质驱动器的写头中使用的自旋力矩振荡器。

技术介绍

[0002]计算机的运行和能力的核心是将数据存储和写入到数据存储装置，例如硬盘驱动器(HDD)。由计算机处理的数据量正在快速增加。需要磁记录介质的更高记录密度以增加计算机的功能和能力。
[0003]为了实现更高的记录密度(例如对于磁记录介质超过2Tbit/in2的记录密度)，写入轨道的宽度和间距变窄，且因此在每一写入轨道中编码的对应磁记录位变窄。使写入轨道的宽度和间距变窄的一个挑战是减小磁写头的主极在面对介质的表面处的表面积。随着主极变得更小，写入场也变得更小，从而限制磁写头的有效性。
[0004]热辅助磁记录(HAMR)和微波辅助磁记录(MAMR)是改善磁记录介质(例如HDD)的记录密度的两种类型的能量辅助记录技术。在MAMR中，自旋力矩振荡器(STO)装置紧邻或靠近写入元件定位，以便例如在微波频带中产生高频AC场。高频AC场降低用于存储数据的磁记录介质的有效矫顽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种写头，其包括：主极；后屏蔽物(trailing shield)；自旋力矩振荡器(STO)，其耦合到所述主极和所述后屏蔽物，所述STO包括：晶种层，其位于所述主极上；层，其位于所述后屏蔽物上；自旋极化层，其位于所述晶种层与所述后屏蔽物上的所述层之间；场产生层，其位于所述自旋极化层与所述后屏蔽物上的所述层之间；间隔物层，其位于所述自旋极化层与所述场产生层之间；以及一个或多个铬层，其位于所述晶种层与所述后屏蔽物上的所述层之间。2.根据权利要求1所述的写头，其中所述晶种层是钌层，且所述后屏蔽物上的所述层是钌层。3.根据权利要求2所述的写头，其中所述间隔物层是铜层，且所述场产生层包括铁和钴。4.根据权利要求1所述的写头，其中所述一个或多个铬层包括第一铬层，所述第一铬层安置在所述场产生层上且位于所述场产生层与所述后屏蔽物上的所述层之间。5.根据权利要求4所述的写头，其中所述第一铬层具有至多40埃的厚度。6.根据权利要求4所述的写头，其中所述一个或多个铬层进一步包括第二铬层，所述第二铬层安置在所述间隔物层上且位于所述间隔物层与所述场产生层之间。7.根据权利要求6所述的写头，其中所述第二铬层具有至多20埃的厚度。8.根据权利要求1所述的写头，其中所述一个或多个铬层包括铬层，所述铬层安置在所述间隔物层上且位于所述间隔物层与所述场产生层之间。9.一种磁介质驱动器，其包括根据权利要求1所述的写头。10.一种写头，其包括：主极；后屏蔽物；自旋力矩振荡器(STO)，其耦合到所述主极和所述后屏蔽物，所述STO包括：晶种层，其位于所述主极上；层，其位于所述后屏蔽物上；场产生层，其位于所述晶种层与所述后屏蔽物上的所述层之间；自旋极化层，其位于所述场产生层与所述后屏蔽物上的所述层之间；间隔...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z，
申请(专利权)人：西部数据技术公司，
类型：发明
国别省市：