包括堆叠在具有可编程集成电路的管芯上的存储器管芯的多芯片结构制造技术

本文中描述的一些示例提供了一种多芯片结构，该结构包括堆叠在具有可编程集成电路(IC)的管芯上的一个或多个存储器管芯。在一个示例中，多芯片结构包括封装衬底、第一管芯和第二管芯。第一管芯包括可编程IC，并且可编程IC包括存储器控制器。第一管芯在封装衬底上并且附接到封装衬底。第二管芯包括存储器。第二管芯堆叠在第一管芯上。存储器通信耦合到存储器控制器。器控制器。器控制器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括堆叠在具有可编程集成电路的管芯上的存储器管芯的多芯片结构


[0001]本公开涉及一种多芯片结构和形成这种结构的方法，并且具体地涉及一种包括堆叠在具有可编程集成电路的管芯上的一个或多个存储器管芯的多芯片结构以及形成这种结构的方法。

技术介绍

[0002]可编程集成电路(IC)是指一种类型的包括可编程电路系统的IC。可编程IC的一个示例是现场可编程门阵列(FPGA)。FPGA的特征在于包括可编程电路块。通过将配置数据(有时称为配置位流)加载到器件中，可以在可编程IC的可编程电路系统中物理实现电路设计。配置数据可以加载到器件的内部配置存储器单元中。个体配置存储器单元的集体状态决定可编程IC的功能。例如，由各种可编程电路块执行的特定操作和可编程IC的可编程电路块之间的连接性由一旦加载有配置数据的配置存储器单元的集体状态来定义。

技术实现思路

[0003]本文中描述的一些示例提供了一种多芯片结构，该结构包括堆叠在具有可编程集成电路(IC)的管芯上的一个或多个存储器管芯。本文中描述的一些示例可以避免使用中介层和/或物理层(PHY)接口，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多芯片结构，包括：封装衬底；第一管芯，包括可编程集成电路，所述可编程集成电路包括存储器控制器，所述第一管芯在所述封装衬底上，并且附接到所述封装衬底；以及第二管芯，包括存储器，所述第二管芯堆叠在所述第一管芯上，所述存储器通信耦合到所述存储器控制器。2.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述第一管芯包括半导体衬底，衬底通孔TSV穿过所述半导体衬底，所述存储器控制器经由所述TSV通信耦合到所述存储器。3.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述第二管芯通过外部电连接器附接到所述第一管芯的与所述封装衬底相对的一侧。4.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述存储器控制器与所述存储器之间没有通信设置和电设置物理层接口。5.根据权利要求1所述的多芯片结构，其中所述第一管芯包括控制逻辑电路，所述控制逻辑电路通信设置在所述存储器控制器与所述存储器之间。6.根据权利要求1所述的多芯片结构，还包括第三管芯，所述第三管芯包括控制逻辑电路，所述第三管芯堆叠在、并且附接到所述第一管芯的与所述封装衬底相对的一侧，所述第二管芯堆叠在、并且附接到所述第三管芯的与所述第一管芯相对的一侧，所述控制逻辑电路通信设置在所述存储器控制器与所述存储器之间。7.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述第三管芯键合到所述第一管芯。8.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述第三管芯通过外部电连接器附接到所述第一管芯的与所述封装衬底相对的所述一侧。9.根据权利要求6所述的多芯片结构，其中所述第二管芯通过外部电...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：赛灵思公司，
类型：发明
国别省市：