一种适用于WLCSP芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种适用于WLCSP芯片的封装结构，包括第一导电部和第二导电部，第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，第一导电部的边缘连接有第二导电部，第二导电部与第一导电部成一夹角，第二导电部与第一导电部的正面的内角为90

【技术实现步骤摘要】
一种适用于WLCSP芯片的封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装领域，特别是涉及一种适用于WLCSP芯片的封装结构。

技术介绍

[0002]通常在单个半导体晶圆上制造数十或者数百的集成电路(IC)管芯，通过沿分割线锯割集成电路来分成多个单独的管芯。然后，分别封装各单独的管芯，例如以多芯片组件方式，或者以其他类型的封装方式。其中一种类型的较小封装是晶圆级芯片尺寸封装(Wafer Level Chip Scale Packaging，简称WLCSP)，晶圆级芯片尺寸封装是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒，因此封装后的体积通常不大于IC裸晶的原尺寸的1.2倍。
[0003]需要注意的是，本申请中所记载的“WLCSP芯片”为能够进行WLCSP封装的芯片，例如金氧半场效晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor，简称MOSFET)。WLCSP芯片能通过常规的表面贴装技术与印刷电路板(PCB)连接，能降低WLCSP芯片与PCB之间的杂散电感电容。
[0004]当WLCSP芯片为MOSFET时，因WLCSP芯片与PCB之间的连接距离缩短，WLCSP芯片的RDSON(Static Drain
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to
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Source On
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Resistance，静态通态电阻)的阻值减小，间接提高了WLCSP芯片的导通电流。
>[0005]当WLCSP芯片为MOSFET时，现有的WLCSP芯片存在的技术问题为：1.WLCSP芯片远离PCB的端面的D漏极无引脚引出，无法与PCB电性连接，若使用导线或焊盘(例如TiNiAg焊盘)将WLCSP芯片的D漏极与PCB电性连接，易使得电流全部流向D漏极和导线或焊盘的连接处，导致该连接处的局部电流过大，进而导致WLCSP芯片的内部热量升高并堆积，烧坏WLCSP芯片；2.WLCSP芯片的热量堆积无法散出，易发生短路危险，并且随着WLCSP芯片的热量的堆积，WLCSP芯片的温度会上升使得的WLCSP芯片的RDSON提高，进而降低了WLCSP芯片的的导通电流值和功率。

技术实现思路

[0006]针对现有技术中存在的技术问题，本技术提供一种适用于WLCSP芯片的封装结构。
[0007]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种适用于WLCSP芯片的封装结构，包括第一导电部和WLCSP芯片。本申请中，为了方便描述，将第一导电部与WLCSP芯片连接的端面称为“正面”，将第一导电部远离WLCSP芯片的端面称为“背面”。第一导电部的边缘连接有第二导电部，第二导电部与第一导电部成一夹角。第二导电部与第一导电部的正面的内角为90
°‑
180
°
。第二导电部与第一导电部均采用导电材料制成。第一导电部和第二导电部为一体化结构。
[0008]第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，第一导电部的正面还设置内凹的槽条，内凹的槽条绕基岛周向设置，槽条所围绕出面
积相较于基岛的面积相等或略大。内凹的槽条可以通过半蚀刻的方法在第一导电部的正面加工出来。设置内凹的槽条的目的在于，当WLCSP芯片采用焊接的方法连接在基岛内时，用于焊接的锡膏或焊接金属胶或焊接金属液的多余部分会流入槽条内从而防止污染第一导电部的其它部位。槽条可以为连通结构也可以为多段式结构或者其它结构，只要能满足容纳多余的焊接材料即可。
[0009]当WLCSP芯片连接在基岛上时，WLCSP芯片的连接端面与第一导电部以及第二导电部电性连接。
[0010]第二导电部远离第一导电部的一端设置有平台端面，平台端面的朝向与第一导电部的正面的朝向相同。所有第二导电部的平台端面在竖直方向上与第一导电部的正面的距离均相等，同时平台端面在竖直方向上与第一导电部的正面的距离大于WLCSP芯片的高度。平台端面的作用是与PCB板固定连接，同时第一导电部通过第二导电部的平台端面与PCB板电性连接。平台端面在竖直方向上与WLCSP芯片远离第一导电部的端面的间隙用于填充连接材料例如锡膏等，该连接材料用于电性连接WLCSP芯片和PCB板，连接材料的涂覆面积不超过或略大于WLCSP芯片远离第一导电部的端面面积。为了方便描述，将平台端面称为“管脚”。
[0011]第二导电部远离第一导电部的一端的边缘处还设置有内凹的台阶面，台阶面的朝向与第一导电部的背面的朝向相同。内凹的台阶面可以通过半蚀刻的方法加工出来。设置内凹的台阶面的目的在于方便一体化结构的第一导电部和第二导电部从原始的加工板材中切割出来。
[0012]相比于现有的技术方案，本申请的技术方案至少存在以下的有益效果：
[0013]1.本申请提供的封装结构中，WLCSP芯片远离PCB板的端面通过第一导电部和第二导电部与PCB板电性连接，WLCSP芯片、第一导电部和第二导电部之间形成了良好的散热途径，从而提高了WLCSP芯片的稳定性与可靠性；
[0014]2.本申请提供的封装结构中，第一导电部和第二导电部将WLCSP芯片覆盖从而形成机械保护，免受WLCSP芯片受到外部的应力或机械攻击而损坏；
[0015]3.本申请提供的封装结构中，若第一导电部的基岛内设置有多个WLCSP芯片，多个WLCSP芯片的规格可以相同也可以不同，并且多个WLCSP芯片之间既可以实现串联连接也可以实现并联连接。
[0016]下面结合具体实施例进行说明。
附图说明
[0017]附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制。
[0018]图1为对比实施例提供的WLCSP芯片的正视图。
[0019]图2为对比实施例提供的WLCSP芯片的仰视图。
[0020]图3为对比实施例提供的WLCSP芯片和PCB板之间的连接示意图。
[0021]图4为实施例1提供的封装结构的正视图。
[0022]图5为实施例1提供的封装结构的结构示意图。
[0023]图6为实施例1提供的封装结构和PCB板的连接示意图。
[0024]图7为实施例1提供的封装结构的制备过程示意图。
[0025]图8为实施例2提供的封装结构的结构示意图。
[0026]图9为实施例3提供的封装结构的结构示意图。
[0027]其中，附图标记为：1.WLCSP芯片；11.D漏极；12.G基极；13.S源极；2.PCB板；3.铜导线；4.焊料；5.第二导电部；51.管脚；52.台阶面；6.第一导电部；61.基岛；62.槽条；7.贯穿孔；8.锡膏；9.板材。
具体实施方式
[0028]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0029]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于WLCSP芯片的封装结构，其特征在于：包括第一导电部和第二导电部，所述第一导电部的正面的中部上设置有基岛，在所述基岛的范围内至少设置有一个WLCSP芯片，所述第一导电部的边缘连接有所述第二导电部，所述第二导电部与所述第一导电部成一夹角，所述第二导电部与所述第一导电部的正面的内角为90
°‑
180
°
。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述第一导电部的正面还设置内凹的槽条，所述内凹的槽条绕所述基岛周向设置。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于：所述第二导电部远离所述第一导电部的一端设置有管脚，所有所述管脚在竖直方向上与所述第一导电部的正面的距离均相等，所述管脚在竖直方向上与所述第一导电部的正面的距离大于所述WLCSP芯片的高度。4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于：所述第二导电部远离所述第一导电部的一端的边缘处还设置有内凹的台阶面，所述台阶面的朝向与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉炜，
申请(专利权)人：无锡市乾野微纳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：