一种适用于MOSFET的封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，封装外壳包连接平台和支撑脚，若干支撑脚与连接平台的边缘一体连接，连接平台的底端面与MOSFET的顶端面连接，支撑脚的底端面与MOSFET的顶端面的D漏极电性连接，支撑脚的底端面的朝向和MOSFET的G基极的朝向以及S源极的朝向相同。朝向以及S源极的朝向相同。朝向以及S源极的朝向相同。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于MOSFET的封装结构


[0001]本技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种适用于MOSFET的封装结构。

技术介绍

[0002]金属
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氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,简称为MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET通过常规的表面贴装技术与印刷电路板(PCB)连接，能降低MOSFET与PCB之间的杂散电感电容，因MOSFET与PCB之间的连接距离缩短，MOSFET的RDSON(Static Drain
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to
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Source On
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Resistance，静态通态电阻)的阻值减小，间接提高了MOSFET的导通电流。
[0003]但现有的MOSFET的D漏极设置在MOSFET远离PCB的端面并且无引脚引出，从而导致MOSFET的D漏极无法与PCB电性连接。为解决该技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，其特征在于：所述封装外壳包连接平台和支撑脚，若干所述支撑脚与所述连接平台的边缘一体连接，所述连接平台的底端面与所述MOSFET的顶端面连接，所述支撑脚的底端面与所述MOSFET的顶端面的D漏极电性连接，所述支撑脚的底端面的朝向和所述MOSFET的G基极的朝向以及S源极的朝向相同。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述连接平台的底端面设置有内凹槽，所述MOSFET的顶部嵌入所述内凹槽中直至所述MOSFET的顶端面和所述内凹槽的槽底面连接，所述MOSFET的顶端面的D漏极和所述连接平台电性连接，所述支撑脚的底端面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉炜，
申请(专利权)人：无锡市乾野微纳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：