一种适用于MOSFET的封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，封装外壳包连接平台和支撑脚，若干支撑脚与连接平台的边缘一体连接，连接平台的底端面与MOSFET的顶端面连接，支撑脚的底端面与MOSFET的顶端面的D漏极电性连接，支撑脚的底端面的朝向和MOSFET的G基极的朝向以及S源极的朝向相同。朝向以及S源极的朝向相同。朝向以及S源极的朝向相同。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于MOSFET的封装结构


[0001]本技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种适用于MOSFET的封装结构。

技术介绍

[0002]金属
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氧化物半导体场效应晶体管(Metal
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Oxide
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Semiconductor Field
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Effect Transistor,简称为MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET通过常规的表面贴装技术与印刷电路板(PCB)连接，能降低MOSFET与PCB之间的杂散电感电容，因MOSFET与PCB之间的连接距离缩短，MOSFET的RDSON(Static Drain
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to
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Source On
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Resistance，静态通态电阻)的阻值减小，间接提高了MOSFET的导通电流。
[0003]但现有的MOSFET的D漏极设置在MOSFET远离PCB的端面并且无引脚引出，从而导致MOSFET的D漏极无法与PCB电性连接。为解决该技术问题，现有的技术方案为：使用导线或焊盘(例如TiNiAg焊盘)将MOSFET的D漏极与PCB电性连接。但现有的技术方案存在的技术问题为：1.使用导线或焊盘将MOSFET的D漏极与PCB电性连接时易使得电流全部流向D漏极和导线的连接处或D漏极和焊盘的连接处，导致该连接处的局部电流过大，进而导致MOSFET的内部热量升高并堆积从而烧坏MOSFET；2.由于MOSFET的热量堆积无法散出，容易发生短路危险；3.随着MOSFET的热量的堆积，MOSFET的温度会上升使得的MOSFET的RDSON提高进而降低了MOSFET的导通电流值和功率。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中存在的技术问题，本技术提供一种适用于MOSFET的封装结构，通过该封装结构能够使得MOSFET的D漏极引出从而与G基极、S源极处于相同或相近的水平面。本技术中所记载的MOSFET设置有D漏极、G基极、S源极，其中G基极、S源极设置在MOSFET的底端面，D漏极设置在MOSFET的顶端面。
[0005]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，封装外壳包连接平台和支撑脚，若干支撑脚与连接平台的边缘一体连接，连接平台的底端面与MOSFET的顶端面连接，支撑脚的底端面与MOSFET的顶端面的D漏极电性连接。
[0006]连接平台的底端面设置有内凹槽，MOSFET的顶部嵌入内凹槽中直至MOSFET的顶端面和内凹槽的槽底面连接，此时MOSFET的顶端面的D漏极和连接平台电性连接，而支撑脚的底端面和连接平台的内凹槽的槽底面电性连接，因此支撑脚的底端面和MOSFET的顶端面的D漏极电性连接。当MOSFET和封装外壳完成封装后，支撑脚的底端面可等效为MOSFET的D漏极，此时支撑脚的底端面的朝向和MOSFET的G基极的朝向以及S源极的朝向相同。
[0007]在一实施例中，连接平台的底端面可以设置单个内凹槽，该连接平台连接一个MOSFET。
[0008]在一实施例中，连接平台的底端面设置若干个内凹槽，该连接平台连接若干个MOSFET，MOSFET的数量不大于内凹槽的数量，每一个MOSFET对应一个内凹槽，为了防止
MOSFET嵌入内凹槽过程中相邻的MOSFET之间发生摩擦损坏，因此若干个内凹槽之间互相不连通。若干个MOSFET和封装外壳完成封装后，此时若干个MOSFET的D漏极为串联状态。
[0009]当MOSFET和封装外壳完成封装后，该封装结构连接PCB，此时MOSFET底端面的G基极、S源极通过连接材料如锡膏等和PCB连接，支撑脚的底端面通过连接材料如锡膏等和PCB连接，由于支撑脚的底端面可等效为MOSFET的D漏极，从而使得MOSFET的D漏极和PCB连接。封装结构连接PCB，支撑脚起到支撑作用，此时连接平台处于悬空状态，封装外壳和PCB之间形成一容纳空间，MOSFET位于该容纳空间内，此时封装外壳罩住MOSFET，因此该封装结构的有益效果至少有五个：1.封装外壳将MOSFET的D漏极引出和PCB连接；2.封装外壳对于MOSFET起到机械防护的作用，若封装外壳为槽体结构，则封装外壳和PCB之间形成的容纳空间为封闭状态，此时封装外壳对于MOSFET还能起到封闭隔绝的作用；3.由于封装外壳的面积远大于MOSFET的顶端面，封装外壳的散热效果好，因此封装外壳和MOSFET之间形成了良好的散热途径，从而提高了MOSFET芯片的稳定性与可靠性；4.由于封装外壳的面积远大于MOSFET的顶端面，因此电流全部流向D漏极和封装外壳的连接处时也不会导致该连接处的局部电流过大，从而防止MOSFET的内部热量积累；5.由于MOSFET的顶部嵌入内凹槽中，因此封装结构连接PCB后该封装外壳可以防止MOSFET发生移位情况，封装外壳可以固定MOSFET与PCB的连接位置。
[0010]封装外壳采用导电材料如金属铜等制成。封装外壳除了底端面的其余面做绝缘处理(如表面涂覆绝缘涂料等)。
[0011]在一实施例中，MOSFET的顶端面通过锡膏和连接平台的内凹槽的槽底面连接。
[0012]在一实施例中，MOSFET的顶端面通过焊盘(例如TiNiAg焊盘)和连接平台的内凹槽的槽底面连接。
[0013]本技术提供一种适用于MOSFET的封装结构，该封装结构和MOSFET之间形成了良好的散热途径，从而提高了MOSFET芯片的稳定性与可靠性。该封装结构对于MOSFET能形成机械保护。该封装结构能够使得MOSFET的D漏极引出从而与G基极、S源极处于相同或相近的水平面。
[0014]下面结合具体实施例进行说明。
附图说明
[0015]附图对本技术作进一步说明，但附图中的实施例不构成对本技术的任何限制。
[0016]图1为实施例1提供的封装结构的正视图。
[0017]图2为实施例1提供的封装结构的结构示意图。
[0018]图3为实施例1提供的封装结构和PCB的连接示意图。
[0019]图4为实施例2提供的封装结构的结构示意图。
[0020]图5为实施例2提供的封装外壳的正视图。
[0021]图6为图5的剖视图A
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A。
[0022]其中，附图标记为：1.连接平台；11.内凹槽；2.支撑脚；3.MOSFET；31.G基极；32.S源极；4.PCB；5.锡膏。
具体实施方式
[0023]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，其特征在于：所述封装外壳包连接平台和支撑脚，若干所述支撑脚与所述连接平台的边缘一体连接，所述连接平台的底端面与所述MOSFET的顶端面连接，所述支撑脚的底端面与所述MOSFET的顶端面的D漏极电性连接，所述支撑脚的底端面的朝向和所述MOSFET的G基极的朝向以及S源极的朝向相同。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于：所述连接平台的底端面设置有内凹槽，所述MOSFET的顶部嵌入所述内凹槽中直至所述MOSFET的顶端面和所述内凹槽的槽底面连接，所述MOSFET的顶端面的D漏极和所述连接平台电性连接，所述支撑脚的底端面和...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉炜，
申请(专利权)人：无锡市乾野微纳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：