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本实用新型涉及一种适用于MOSFET的封装结构，包括封装外壳，封装外壳包连接平台和支撑脚，若干支撑脚与连接平台的边缘一体连接，连接平台的底端面与MOSFET的顶端面连接，支撑脚的底端面与MOSFET的顶端面的D漏极电性连接，支撑脚的底端面的...
该专利属于无锡市乾野微纳电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡市乾野微纳电子有限公司授权不得商用。

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