半导体基板结构及其形成方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体基板结构及其形成方法。该半导体基板结构包括：基板，具有第一表面以及与第一基板相对的第二表面；第一电子元件和第二电子元件，内埋于基板内，其中，在第一电子元件朝向第一表面的正面上设置有第一导电孔，在第二电子元件朝向第二表面的正面上设置有第二导电孔。置有第二导电孔。置有第二导电孔。

【技术实现步骤摘要】
半导体基板结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体基板结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着封装技术的演进，各式各样的封装结构亦推陈出新，整体封装尺寸也越来越小，功能也越来越多，故通常需要一个Power Package来控制各种元件。嵌入式管芯(Embedded Die)是一种系统级封装(System in a Package，SiP)技术，内置于基板的半导体(Semiconductor Embedded in SUBstrate，SESUB))是一种封装技术，在某种程度上，两种技术必定会走向元件的整合，因此内埋多颗芯片势必为一趋势。
[0003]以现行SESUB为例，大多会有翘曲(Warpage)问题，因此内埋元件到介电材料的顶面距离不一，以致后续开孔作业非常困难，以往只能藉额外的制程或个别开孔来改善，如此一来良率与产量皆会下降。尤其同时内埋两个以上管芯时，制程更难控制。在SESUB制程中，目前管芯与介电材料的顶面的厚度控制为在12μm～30μm的范围内，此范围的厚度是在喷砂作业的可控范围内。若要在一个封装结构内接合两个或更多个管芯，则两个管芯间的厚度差不能太大，以免影响后续喷砂制程。例如，如图1所示，当两个管芯12、14间彼此的厚度差异太大时，尤其是其中管芯12、14中的一个与介电材料的厚度差距大于例如30μm时，在进行形成导电孔的喷砂制程作业中，会造成异常。例如厚度较小的管芯12上的导电孔22可能出现过喷而导致阔孔现象，或者导电孔24喷砂不够而无法暴露出管芯12的焊盘。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中的上述问题，本专利技术提出一种半导体基板结构及其形成方法。
[0005]本专利技术的实施例提供了一种半导体基板结构，该半导体基板结构包括：基板，具有第一表面以及与第一基板相对的第二表面；第一电子元件和第二电子元件，内埋于基板内。其中，在第一电子元件朝向第一表面的正面上设置有第一导电孔，在第二电子元件朝向第二表面的正面上设置有第二导电孔。
[0006]在一些实施例，第一表面处设置有第一线路层，第二表面处设置有第二线路层，其中，第一电子元件通过第一线路层与第二电子元件电连接。
[0007]在一些实施例，第一电子元件通过第一导电孔与第一线路层连接，第二电子元件通过第二导电孔与第二线路层连接。
[0008]在一些实施例，第二电子元件通过第二线路层与第一电子元件电连接。
[0009]在一些实施例，第二导电孔的侧壁比第一导电孔的侧壁更加倾斜。
[0010]在一些实施例，与第一电子元件的正面相对的背面是与第二电子元件的正面共面。
[0011]在一些实施例，第一电子元件的厚度与第二电子元件的厚度不同。
[0012]在一些实施例，第一电子元件与第二电子元件的厚度差大于30微米。
[0013]在一些实施例，第一电子元件具有暴露的焊盘，焊盘与第一导电孔连接。
[0014]在一些实施例，半导体基板结构，还包括：导电孔定位部件，位于第二电子元件与第二线路层之间，导电孔定位部件围绕第二导电孔。
[0015]本专利技术的实施例还提供了一种形成半导体基板结构的方法，该方法包括：在载板上形成第一电子元件和第二电子元件，其中，第一电子元件的接合表面背离载板设置，第二电子元件的接合表面朝向载板设置；形成延伸到第一电子元件的接合表面的第一导电孔；形成延伸到第二电子元件的接合表面的第二导电孔。
[0016]在一些实施例，方法还包括：在第一导电孔的与第一电子元件相对的一端处形成第一线路层；在第二导电孔的与第二电子元件相对的一端处形成第二线路层。
[0017]在一些实施例，第一电子元件通过第一导电孔与第一线路层连接，第二电子元件通过第二导电孔与第二线路层连接。
[0018]在一些实施例，形成第一导电孔包括：利用喷砂制程形成第一导电孔。
[0019]在一些实施例，形成第二导电孔包括：利用镭射制程形成第二导电孔。
[0020]在一些实施例，第二导电孔的侧壁比第一导电孔的侧壁更加倾斜。
[0021]在一些实施例，在形成第一电子元件和第二电子元件之前还包括：在载板上方形成导电孔定位部件，并且在形成第二电子元件之后，第二电子元件位于导电孔定位部件上方。
[0022]在一些实施例，形成第二导电孔包括：穿过导电孔定位部件形成第二导电孔。
[0023]在一些实施例，第一电子元件的厚度与第二电子元件的厚度不同。
[0024]在一些实施例，第一电子元件与第二电子元件的厚度差大于30微米。
附图说明
[0025]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。
[0026]图1是现有的半导体基板结构的穿孔制程问题的示意图；
[0027]图2是根据本专利技术实施例的半导体基板结构的示意图；
[0028]图3A至图3D示出了根据本专利技术实施例的形成半导体基板结构的方法的各个阶段的示意图。
具体实施方式
[0029]下列公开提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面将描述元件和布置的特定实例以简化本专利技术。当然这些仅仅是实例并不旨在限定本专利技术。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括在第一部件和第二部件之间形成额外的部件使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。而且，本专利技术在各个实例中可重复参考数字和/或字母。这种重复仅是为了简明和清楚，其自身并不表示所论述的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0030]根据本专利技术的实施例提供了一种半导体基板结构。图2是根据本专利技术实施例的半导体基板结构的示意图。如图2所示，半导体基板结构包括基板210，基板210中设置有内埋
的第一电子元件212和第二电子元件214。第一电子元件212和第二电子元件214都可以是管芯。基板210具有第一表面2101和与第一表面2101相对的第二表面2102。其中，在第一电子元件212朝向第一表面2101的正面2121上方设置有第一导电孔222。在第二电子元件214朝向第二表面2102的正面2141上设置有第二导电孔224。第一电子元件212和第二导电孔224的正面是指第一电子元件212和第二导电孔224的主动面。第一电子元件212和第二电子元件214可以分别经由第一导电孔222和第二导电孔224形成到基板210的第一表面2101和第二表面2102上的导电路径。
[0031]本专利技术的半导体基板结构，通过将两个电子元件212、214用于电性连接的表面分别朝相对的不同方向(朝上和朝下)放置，再制作电连接至第一电子元件212和第二电子元件214的第一导电孔222和第二导电孔224，从而可以避免由于电子元件212、214间的厚度不同导致的开孔困难问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体基板结构，其特征在于，包括：基板，具有第一表面以及与所述第一基板相对的第二表面；第一电子元件和第二电子元件，内埋于所述基板内，其中，在所述第一电子元件朝向所述第一表面的正面上设置有第一导电孔，在所述第二电子元件朝向所述第二表面的正面上设置有第二导电孔。2.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一表面处设置有第一线路层，所述第二表面处设置有第二线路层，其中，所述第一电子元件通过所述第一线路层与所述第二电子元件电连接。3.根据权利要求2所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第一电子元件通过所述第一导电孔与所述第一线路层连接，所述第二电子元件通过所述第二导电孔与所述第二线路层连接。4.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第二电子元件通过所述第二线路层与所述第一电子元件电连接。5.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，所述第二导电孔的侧壁比所述第一导电孔的侧壁更加倾斜。6.根据权利要求1所述的半导体基板结构，其特征在于，与所述第一电子元件的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文宏，石立节，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：