半导体器件及半导体器件的制备方法技术

本申请涉及半导体器件及半导体器件的制备方法。本申请实施例包括：采用图形化工艺和离子注入工艺分别形成第一浮动区和第二浮动区；第二浮动区至少包括两个不同掺杂浓度的子区域。能够有效地降低第二浮动区为连续型结构时，第二浮动区的掺杂剂量对半导体器件的反向耐压特性的影响，避免由于第二浮动区的掺杂剂量出现偏差，导致半导体器件被过早击穿的问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及半导体器件的制备方法


[0001]本申请实施例涉及但不限于半导体
，尤其涉及一种半导体器件及半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]浮动结(Floating Junction，FJ)结构，是在传统肖特基二极管的外延层中加入一层或多层不连续的P型掺杂结构，类似于在外延层内部形成PN结结构。当半导体器件工作在反向状态时，FJ可以将外延层内部原本的单层电场分布改变为以FJ为分割线的上下双层电场分布，从而在外延层深度和浓度不变的情况下增大半导体器件的反向击穿电压。然而，由于FJ同时出现在源区与终端区，且半导体器件的反向耐压特性容易受到终端区FJ的掺杂剂量的影响，若终端区FJ的掺杂剂量出现偏差，则容易导致半导体器件的反向击穿电压减小和反向泄漏电流增大，从而对半导体器件造成损害。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供了半导体器件及半导体器件的制备方法，能够改善终端区FJ为连续型结构时半导体器件的反向耐压特性，从而提升半导体器件的工作稳定性。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件，包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一电极；碳化硅衬底，所述碳化硅衬底位于所述第一电极上；外延层，所述外延层位于所述碳化硅衬底上；第一浮动区，所述第一浮动区位于所述外延层中；第二浮动区，所述第二浮动区位于所述外延层中，所述第二浮动区至少包括两个不同掺杂浓度的子区域；终端区，所述终端区至少部分嵌入所述外延层；钝化层，所述钝化层位于所述外延层上，所述钝化层至少部分覆盖所述终端区；第二电极，所述第二电极位于所述外延层上。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二浮动区至少包括：第一子区域；第二子区域，所述第二子区域相对于所述第一子区域更远离所述第一浮动区；所述第一子区域的掺杂浓度大于所述第二子区域的掺杂浓度。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二浮动区至少包括：第一子区域；第二子区域，所述第二子区域相对于所述第一子区域更远离所述第一浮动区；所述第二浮动区的掺杂浓度从所述第一子区域向所述第二子区域降低。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述外延层为第一掺杂类型；所述第一浮动区为第二掺杂类型；所述第二浮动区为第二掺杂类型。5.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一浮动区和所述第二浮动区均位于所述外延层中且深度相同。6.根据权利要求1至3任一项所述的半导体器件，其特征在于：所述第一电极为欧姆接触；所述第二电极为肖特基接触。7.一种半导体器件的制备方法，包括：提供碳化硅衬底；外延生长第一外延层；采用图形化工艺和离子注入工艺分别形成第一浮...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁昊，肖莉，王梁永，宋庆文，唐光明，汤晓燕，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：