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本申请涉及半导体器件及半导体器件的制备方法。本申请实施例包括：采用图形化工艺和离子注入工艺分别形成第一浮动区和第二浮动区；第二浮动区至少包括两个不同掺杂浓度的子区域。能够有效地降低第二浮动区为连续型结构时，第二浮动区的掺杂剂量对半导体器件的...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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